求助，STM32F407ZE与STM32F407ZG按官方给的datasheet一个是512k flash，一个是1M flash，STM32F407ZG的内存范围如下
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0             (0x08000000)         // sector0  16 Kbytes   
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1             (0x08004000)         // sector1  16 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2             (0x08008000)         // sector2  16 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3             (0x0800C000)         // sector3  16 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4             (0x08010000)         // sector4  64 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5             (0x08020000)         // sector5  128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6             (0x08040000)         // sector6  128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7             (0x08060000)         // sector7  128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8             (0x08080000)         // sector8  128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9             (0x080A0000)         // sector9  128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10            (0x080C0000)         // sector10 128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11            (0x080E0000)         // sector11 128 Kbytes  
那STM32F407ZE应该是前8个扇区，但是我在不小心将数据写入第10和第11扇区可以正常读写，求大侠指点，STM32F407ZE有扇区10和11吗，如果有是怎么分配地址，如果没有写入的话存储在哪里

附上写入代码
enum bsp_err STM_FLASH_Write(uint32_t WriteAddr, uint32_t *pBuffer, uint32_t NumToWrite)       
{
        uint32_t start_addr;
        uint32_t end_addr;       
   
    uint16_t begin_sec;
    uint16_t end_sec;
   
    FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
   
    if (   (WriteAddr < STM32_FLASH_BASE)
        || (WriteAddr > STM32_FLASH_END)
        || (WriteAddr % 4 != 0) )
    {
        return BSP_ERR_FLASH_ADDR;        // invalid address
    }
   
        FLASH_Unlock();                                                        
    FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);      

    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR |
                    FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR|FLASH_FLAG_PGSERR);     
                                               
        start_addr = WriteAddr;                                           
        end_addr   = WriteAddr + (NumToWrite * 4);            
                                               
    begin_sec = STM_FLASH_GetFlashSector(start_addr);
    end_sec   = STM_FLASH_GetFlashSector(end_addr);
                                      
    while ( begin_sec <= end_sec )                    
    {
        status = FLASH_EraseSector(begin_sec, VoltageRange_3);  //VCC=2.7~3.6VÖ®¼ä!!
            
        if ( status != FLASH_COMPLETE )
        {
            FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);       
            FLASH_Lock();   
            
            return BSP_ERR_FLASH_ERASE;        // error
        }
        
        if ( begin_sec == FLASH_Sector_11)
        {
            begin_sec += 40;
        }
        else
        {
            begin_sec += 8;
        }
    }

    while ( start_addr < end_addr )   // write data
    {
        if ( FLASH_ProgramWord(start_addr, *pBuffer) != FLASH_COMPLETE )
        {
            FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);       
            FLASH_Lock();
            
            return BSP_ERR_FLASH_WRITE;                   
        }
        
        start_addr += 4u;
        pBuffer++;
    }
   
    FLASH_DataCacheCmd(ENABLE);       
        FLASH_Lock();

    return BSP_ERR_OK;
}

andeyqi 发表于 2018-12-5 14:04
读出来相应的地址的内容和你写入的是否相同，确认下是否写成功了，怀疑如果没有相应的地址写有可能什么事都 ...

正确的，断电后读取正常

ST的秘密被你发现了，可能出现了stm32f103c8t6和stm32f103cbt6相同的情况

用某坛友的话说就是，其实流片时都是大容量的，只是出于某种原因，出厂时将产品信息写成了小容量512K的，但是物理上是没有屏蔽掉后512K的。
如果每个型号都流一次片，一次少出也得几十万，那么多系列和型号，ST是扛不住的。因此都按大容量的流片，测试稳定的话，就烧成大容量信息，正常的卖；如果有些缺陷，但是不影响小容量的功能，那么就当小容量的卖；最后剩下的，连小容量的功能也无法满足，就报废。

就当成是将产品按特等、优等、良品、次品、废品分类。

这个是正确的，我们经常把STM32F103R8当成STM32F103RB来用，因为这些芯片有冗余。但是出了问题，就自己承担 了

谢谢，学习了，第一次知道这种情况

学习了

涨姿势！！