
STM32F413/423单片机参考手册% M8 i9 w. e4 g! y, D( G 前言 5 I. L2 |) @$ J: _ ' L- G( O4 ~- w* }9 B 本参考手册面向应用开发人员, 提供有关使用 STM32F413/423 微控制器存储器与外设的完整信息。 ! [$ w. B6 C- ^/ d ) V" c" g1 a, ]+ M# D8 {: k STM32F413/423 构成一个微控制器系列,各产品具有不同的存储器大小、封装和外设。有关订购信息以及器件的机械与电气特性,请参见数据手册。 ! G3 Y" z4 F" E% @* `, X% r 有关 Arm® 带 FPU 的 Cortex®-M4 内核的信息,请参见Cortex®-M4 技术参考手册。 7 w; K/ I4 q2 [0 J) f( y- q 相关文档意法半导体网站 www.st.com 提供以下文档: + v# [" |/ J# a& H8 i
1 文档约定 8 @. P7 T, m* u% J! X- C8 S9 ~/ U+ @ 1.1 一般信息 5 I3 o8 s! v( ?. j0 y # o* M/ I+ T" j, o' t/ R STM32F413/423 器件具有 Arm®(a) Cortex®-M4 with FPU 内核 7 g! {+ ~0 k( i, J& U% ?4 j 1.2 寄存器相关缩写词列表 ! v) B9 M( v. _6 \2 z1 U 寄存器说明中使用以下缩写词(b): / N# b* M) b |$ a3 c1 ` 读/写 (rw) 软件可以读写该位。 只读 (r) 软件只能读取该位。 ; I3 g* }" i+ }- C; S 只写 (w) 软件只能写入该位。读取该位时将返回复位值。 读取/写入 0 清零 (rc_w0) 软件可以通过读取该位,也可以通过写入 0 将该位清零。写入 1 对该位的值无影响。 读取/写入 1 清零 (rc_w1) 软件可以通过读取该位,也可以通过写入 1 将该位清零。写入 0 对该位的值无影响。 读取/写入清零 (rc_w) 软件可以通过读取该位,也可以通过写入寄存器将该位清零。写入该位的值并不重要。 % }9 y' p, P! h2 L! u' h2 c 读取/读取清零 (rc_r) 软件可以读取该位。读取该位时,将自动清零。写入该位对其值无影响。 读取/读取置位 (rs_r) 软件可以读取该位。读取该位时,将自动置位。写入该位对其值无影响。 % Q- f3 A1 U, ~% ^7 K 读取/置位 (rs) 软件可以读取该位,也可将其置 1。写入 0 对该位的值无影响。 读/仅可写入一次 (rwo) 软件仅可写入一次该位,但可随时读取该位。只能通过复位将该位返回到复位值。 切换 (t) 软件可以通过写入 1 来切换该位。写入 0 无影响。 / F: G; v( m: e4 l7 Z' {) X7 d5 n 只读写触发 (rt_w1) 软件可以读取该位。写入 1 时,将触发事件,但不会影响该位的值。 保留 (Res.) 保留位,必须保持复位值。0 U& m' [5 P. i! u 1.3 词汇表 本节简要介绍本文档中所用首字母缩略词和缩写词的定义: ( s# _% _ N# l- x, X" Q7 m
1.4 外设可用性 有关各型号产品的外设可用性及数量的信息,请参见特殊器件数据手册。- _7 R1 U5 [6 }5 i 2 系统和存储器概述 2.1 系统架构 STM32F413/423 的主系统由 32 位多层 AHB 总线矩阵构成,可实现以下部分的互连: 六条主控总线: ( L* w( _% H2 m( d! T – 带 FPU 的 Cortex®-M4内核 I 总线、D 总线和 S 总线 : B G8 _# s, J+ G; l/ Y4 v6 u: T/ ~ – DMA1 存储器总线 % O- j A8 @$ v# ]3 Z3 V – DMA2 存储器总线 – DMA2 外设总线 / ?+ R1 m1 V% L 七条被控总线: / x: a: u* Y4 c$ l* ?4 g – 内部 Flash ICode 总线 j2 k$ [1 m% ~- E – 内部 Flash DCode 总线 + O; m! m6 l6 _2 m – 主内部 SRAM1 (256 KB) – 辅助内部 SRAM2 (64 KB) – AHB1 外设(包括 AHB-APB 总线桥和 APB 外设) }1 k4 ?5 C# u4 n4 a7 h – AHB2 外设 $ m- x4 {7 H W9 C) A – FSMC/QuadSPI * j) V+ D$ V# v: X4 R. v 1 v* w! E' c; j4 ?: h6 u 借助总线矩阵,可以实现主控总线到被控总线的访问,这样即使在多个高速外设同时运行期间,系统也可以实现并发访问和高效运行。此架构如图 1 所示。 6 `; Y8 ]0 x' d- n, F6 `: T ![]() 2.1.1 I 总线 此总线用于将带 FPU 的 Cortex®-M4 内核的指令总线连接到总线矩阵。内核通过此总线获取指令。此总线访问的对象是包含代码的存储器(内部 Flash/SRAM1/SRAM2)。 0 f2 N* t* _2 s! R, I+ w2.1.2 D 总线 + }: \* P: t; V* f# f2 F此总线用于将带 FPU 的 Cortex®-M4 的数据总线连接到总线矩阵。内核通过此总线进行立即数加载和调试访问。此总线访问的对象是包含代码或数据的存储器(内部 Flash/SRAM1/SRAM2)。 8 U) q! c: F8 k# [2.1.3 S 总线 * |1 S5 k; P. _+ M! H+ I1 E, H此总线用于将带 FPU 的 Cortex®-M4 内核的系统总线连接到总线矩阵。此总线用于访问位于外设、SRAM1 或 SRAM2 中的数据。也可通过此总线获取指令(效率低于 ICode)。此总线访问的对象是内部 SRAM1/SRAM2、包括 APB 外设在内的 AHB1 外设、AHB2 外设和外部存储器(通过外设接口 FSMC 和 QUADSPI)。 9 d5 [ E4 }2 f1 q |