你的浏览器版本过低,可能导致网站不能正常访问!
为了你能正常使用网站功能,请使用这些浏览器。

【中文文档】AN2790_TFT-LCD屏与高密度STM32F10xxxFSMC接口

[复制链接]
STMCU-管管 发布时间:2019-4-8 12:56
TFT LCD 与 FSMC 的硬件连接大容量 STM32F10xxx FSMC 接口
  l7 y+ e6 b, B; K
6 C, N1 U4 U/ G! }- ^前言 ; f$ m# I! Q* B- t/ _2 x1 q; }" I
1 i0 ?; b9 ]) ^5 ]+ d+ d
交互式界面被越来越多地集成于多种应用中,例如医疗设备、过程控制、手机和其它手持设备。这些界面主要基于使用彩色 LCD 的图形 HMI (人机界面)。 + U, z) w8 _4 u

8 V3 k  h$ C3 H6 k( B5 h对支持彩色的需求在全世界范围内极大增长。本应用笔记旨在讨论这一问题,它说明了怎样使用 STM32F10xxx FSMC(灵活的静态存储控制器)来驱动 TFT 彩色 LCD。本文首先说明了怎样将彩色 LCD 连接到 FSMC,然后提供了一个 TFT LCD 接口样例。
& `1 Z( h6 E2 }) g% c- `7 W
+ Z1 n" X" l8 x0 e
与本应用笔记一起交付的演示固件、STM32F10xxx 固件库、以及其它此类固件可从意法半导体网站下载:www.st.com
% B* Z3 a! Z, ~
' J# C( ]$ K3 N7 c: P1 STM32F10xxx 灵活的静态存储控制器 (FSMC) 概述 # k2 E1 Y! X, P

* t% s# ]" {4 ]- ?STM32F10xxx 灵活的静态存储控制器(FSMC)为嵌入式外部存储控制器,可使 STM32F10xxx微控制器与多种存储器接口,包括 SRAM、 NOR Flash、 NAND Flash 及 LCD 模组。
5 W/ i4 B6 F; {' V2 y# i
4 G/ B& S8 u" F$ h
FSMC NOR Flash/SRAM 存储区域适合 MCU 并行彩色 LCD 接口,将在本章讲述。
4 E* z! t6 z* L! K" |' t: X2 {, x; L( ]; V7 c* e) ]% M
1.1 FSMC NOR Flash/SRAM 存储区域说明
% h) N; m9 t7 q: [9 ?" A( E  G# p9 m+ z

7 R& u) @2 y/ p$ E2 X, CFSMC 提供了如下特性以控制 NOR Flash/SRAM: / v) R) T, e* B* ~+ J
● 选择将要用于映射 NOR Flash/SRAM 的存储区域:有四个独立的存储区域可用来与NOR Flash/SRAM/PSRAM 接口,使用单独的片选引脚选择每个存储区域。
) C: t1 g# d7 I8 w+ X● 启用或禁用地址 / 数据复用特性
9 z4 V2 X9 U: u5 ?8 P' ~) K7 F● 选择要使用的存储器类型:NOR Flash/SRAM/PSRAM + u5 D4 y. K/ }
● 定义外部存储器数据总线宽度:8/16 位 ! Y9 V0 p  c  F1 Z- r$ G
● 对于 NOR Flash 同步存储器,启用或禁用突发访问模式 # e/ w2 s$ y6 W7 g+ X$ z- q
● 配置等待信号的用法:启用 / 禁用、极性设置、时序配置 . q8 q* T' S, s* q5 V6 a1 {
● 启用或禁用扩展模式:此模式用于为读写操作使用不同的时序配置来访问存储器。 - f# m. q$ x* M# U
. o; ?& p- }. U8 h+ g
因为 NOR Flash/PSRAM 控制器支持异步和同步存储器,所以用户应根据存储器特性,仅选择有用的参数。 . S$ [4 f* @, G: |$ {/ _
4 j2 \+ S+ ~' W) T3 x0 S! y: f
FSMC 还提供了对多个参数编程,以正确与外部存储器接口的可能。取决于存储器类型,一些参数会用不到。 1 b! p1 m* ]# z: s; _

! ^* F% {5 u* u' S( k8 ~若使用了外部异步存储器,则用户必须根据存储器数据手册中规定的 AC 时序信息,计算并设置下列参数: & _6 E% @2 ]& ~9 ~. h
● ADDSET:地址建立时间
7 j' w4 A9 P# `● ADDHOLD:地址保持时间
% ]5 |1 @) L; Y+ J0 e0 c2 {● DATAST:数据建立时间
" z2 z. m) H6 _* _" ~$ Y  z0 r5 X3 I● ACCMOD:访问模式 ; y: J2 m) i; l8 D- \4 ]* @5 m

7 \( A  P; W  X: e% w, Z  {此参数可让 FSMC 灵活地访问多种异步静态存储器。若存储器支持此类特性,则有四种扩展访问模式可使读存储器与写访问同时使用不同时序。
+ Q: |3 r4 [: s: n1 e1 k2 q( v

* X; q6 g: O8 H. D/ h5 q% O# V当启用扩展模式时,FSMC_BTR 寄存器用于读操作,FSMC_BWR 寄存器用于写操作。4 w4 n/ C8 c8 m

$ p  ^' T. H! f3 E- K当使用同步存储器时,用户必须计算并设置如下参数:
8 Q: i6 Z6 D. t7 \- {● CLKDIV:时钟分频比
& T; Q% t; Q0 N, I● DATLAT:数据延迟
& Y5 S" r: }; D. d
  T/ j4 `% ^/ I* V, E请注意,若 NOR Flash 支持此模式,则读操作可为同步,而写操作一般为异步。
7 Q- O+ K, I0 C4 T3 ?! x: r5 b" E& J
当编程同步 NOR Flash 时,该存储器会自动在同步和异步模式间切换,因此在此情况下,必须正确设置所有参数。
" h6 K8 W- U3 p2 t! F' I
1 s6 k; o+ Y5 ]+ |
图 1 和图 2 显示了在典型 NOR Flash 访问期间的不同时序。
4 h* _& R0 A3 q# @6 @

8 f* L7 X' s7 L7 X* x9 ]5 d" m; V
1.png
: I+ U8 L; V" y2 s- Z9 O5 L: B4 t
...........

) y0 C' T. O, I) A. K5 d( F
想了解更多,请下载原文阅读
3 O! T5 E: b) k' c0 v5 e* ^
收藏 评论2 发布时间:2019-4-8 12:56

举报

2个回答
一代睡神的崛起 回答时间:2019-4-8 15:08:29
谢谢分享,已经在用了
Kevin_G 回答时间:2019-4-10 14:48:44
谢谢,学习下

所属标签

相似技术帖

官网相关资源

关于
我们是谁
投资者关系
意法半导体可持续发展举措
创新与技术
意法半导体官网
联系我们
联系ST分支机构
寻找销售人员和分销渠道
社区
媒体中心
活动与培训
隐私策略
隐私策略
Cookies管理
行使您的权利
官方最新发布
人形机器人运动控制、感知与智能配电
半导体创新技术与应用方向
EE架构与软件定义汽车
12V/48V 汽车智能配电(SPD)
区域控制单元(ZCU)与分区架构
关注我们
st-img 微信公众号
st-img 手机版