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【中文文档】AN2790_TFT-LCD屏与高密度STM32F10xxxFSMC接口

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STMCU-管管 发布时间:2019-4-8 12:56
TFT LCD 与 FSMC 的硬件连接大容量 STM32F10xxx FSMC 接口4 A+ {! h5 [) g0 V
& V, M2 E" g, @) q# x
前言 ( a: [9 r+ g5 F7 ]

# z. M4 c" K6 L交互式界面被越来越多地集成于多种应用中,例如医疗设备、过程控制、手机和其它手持设备。这些界面主要基于使用彩色 LCD 的图形 HMI (人机界面)。
, R# |+ L- a+ A8 }9 \

6 v( _' C4 \3 z# q0 e8 c" s对支持彩色的需求在全世界范围内极大增长。本应用笔记旨在讨论这一问题,它说明了怎样使用 STM32F10xxx FSMC(灵活的静态存储控制器)来驱动 TFT 彩色 LCD。本文首先说明了怎样将彩色 LCD 连接到 FSMC,然后提供了一个 TFT LCD 接口样例。 1 s1 ~# W" d9 c9 ^

0 C) M& r  }( O  x3 \与本应用笔记一起交付的演示固件、STM32F10xxx 固件库、以及其它此类固件可从意法半导体网站下载:www.st.com。
/ `6 d/ [& y, F* e
; N. h8 @' P# V4 t1 STM32F10xxx 灵活的静态存储控制器 (FSMC) 概述 2 r; a# r& b$ u! V5 F9 b' W

# [/ o* J' R+ g! z& V. XSTM32F10xxx 灵活的静态存储控制器(FSMC)为嵌入式外部存储控制器,可使 STM32F10xxx微控制器与多种存储器接口,包括 SRAM、 NOR Flash、 NAND Flash 及 LCD 模组。 - T+ v' h- R' F( T- M
4 x% i+ E/ G7 |; W& e/ n) w
FSMC NOR Flash/SRAM 存储区域适合 MCU 并行彩色 LCD 接口,将在本章讲述。
9 x+ f% ^4 y/ r7 ~6 J1 o: G  a
* D) M8 ~! C- ^9 W) x! u1.1 FSMC NOR Flash/SRAM 存储区域说明 1 x5 _% `  U1 x& p/ K

1 g( e5 G* m& i2 T8 uFSMC 提供了如下特性以控制 NOR Flash/SRAM: * _3 M. O% {* O* e" K
● 选择将要用于映射 NOR Flash/SRAM 的存储区域:有四个独立的存储区域可用来与NOR Flash/SRAM/PSRAM 接口,使用单独的片选引脚选择每个存储区域。
. a6 h- h# ^/ X% c3 w● 启用或禁用地址 / 数据复用特性
  `2 Y: W9 i) x# o# L) A: F● 选择要使用的存储器类型:NOR Flash/SRAM/PSRAM % p+ E. c' i6 O9 z
● 定义外部存储器数据总线宽度:8/16 位
4 ~% X1 W# a$ X1 ~) y● 对于 NOR Flash 同步存储器,启用或禁用突发访问模式
7 D* h+ ?& F! l9 r# A8 E● 配置等待信号的用法:启用 / 禁用、极性设置、时序配置 ) Q. L. g$ G$ X. _8 l, Z" Y8 ^! g
● 启用或禁用扩展模式:此模式用于为读写操作使用不同的时序配置来访问存储器。 3 _$ ~( j" }  X* h8 f* T1 Z
! k6 L% X9 L5 L7 g. }5 j
因为 NOR Flash/PSRAM 控制器支持异步和同步存储器,所以用户应根据存储器特性,仅选择有用的参数。
! b0 y4 a. b; @, y. ^! a( o  u

2 {+ b" f/ g6 j; v, `/ r$ G8 b6 eFSMC 还提供了对多个参数编程,以正确与外部存储器接口的可能。取决于存储器类型,一些参数会用不到。 + s, h3 ?  y' M# |5 t

1 A# W, D0 @6 D6 {8 x3 S6 q1 V若使用了外部异步存储器,则用户必须根据存储器数据手册中规定的 AC 时序信息,计算并设置下列参数: 5 X- A+ ]' j$ ]8 o: `: O
● ADDSET:地址建立时间
; D( T8 T9 @* c& [$ n" |7 ^● ADDHOLD:地址保持时间 ( o- y$ n+ T4 l7 v) ?/ l# E  j2 A
● DATAST:数据建立时间 - v5 X, ?& `2 Q7 u3 a3 l5 V
● ACCMOD:访问模式 : {- g, D- x2 D+ ?" L! t

$ D" K6 O" ~& [此参数可让 FSMC 灵活地访问多种异步静态存储器。若存储器支持此类特性,则有四种扩展访问模式可使读存储器与写访问同时使用不同时序。 & X, |9 a, k1 e- [( f0 h( X

7 \4 o: w7 E* }" Q当启用扩展模式时,FSMC_BTR 寄存器用于读操作,FSMC_BWR 寄存器用于写操作。
; |2 g. l6 Q  x- W: V- ?$ A) @1 c. a. h  {0 h( B+ |
当使用同步存储器时,用户必须计算并设置如下参数:
1 ]. c/ b( l  c● CLKDIV:时钟分频比 ( h( m- T5 g" P6 ^5 s" }& z
● DATLAT:数据延迟 / c' R! ?. ^3 t

! R* l" |' B* d- u" t) j  Y" @" {请注意,若 NOR Flash 支持此模式,则读操作可为同步,而写操作一般为异步。 , p! l- e- L$ p* h( V9 V4 H

3 C2 e4 `& a( r! B当编程同步 NOR Flash 时,该存储器会自动在同步和异步模式间切换,因此在此情况下,必须正确设置所有参数。
! {1 J5 B8 Y; V) ^/ ]% h0 _

# t; X/ o/ r! f1 e; Q图 1 和图 2 显示了在典型 NOR Flash 访问期间的不同时序。
  F  D* X' b, b& y4 T7 ~2 h1 p
' c3 D! d- `3 e6 l( m' I; L, t
1.png

* A$ ~2 c, f3 v$ [) t- R; o
...........

0 K6 \/ d) p. V/ R0 d/ s
想了解更多,请下载原文阅读

1 u) t, C2 T. Q* A2 M! X% V8 }
赞 收藏 评论2 发布时间:2019-4-8 12:56

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2个回答
一代睡神的崛起 回答时间:2019-4-8 15:08:29
谢谢分享,已经在用了
Kevin_G 回答时间:2019-4-10 14:48:44
谢谢,学习下

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