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【中文文档】AN2790_TFT-LCD屏与高密度STM32F10xxxFSMC接口

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STMCU-管管 发布时间:2019-4-8 12:56
TFT LCD 与 FSMC 的硬件连接大容量 STM32F10xxx FSMC 接口
; x+ o' u2 N* q; A. i' T$ u
) s5 U, [7 z' L3 s  z: w2 j* |; o前言
' H1 y2 j3 F( T4 @% `; s6 [, K$ V& k
交互式界面被越来越多地集成于多种应用中,例如医疗设备、过程控制、手机和其它手持设备。这些界面主要基于使用彩色 LCD 的图形 HMI (人机界面)。
: M* V5 [9 R% ]6 R

: W" M' t2 D4 ~; M- |( g对支持彩色的需求在全世界范围内极大增长。本应用笔记旨在讨论这一问题,它说明了怎样使用 STM32F10xxx FSMC(灵活的静态存储控制器)来驱动 TFT 彩色 LCD。本文首先说明了怎样将彩色 LCD 连接到 FSMC,然后提供了一个 TFT LCD 接口样例。 & ^0 @5 a( y4 t" C" ^+ l

0 g7 L$ K0 m) s* e" `, x# X2 `) U与本应用笔记一起交付的演示固件、STM32F10xxx 固件库、以及其它此类固件可从意法半导体网站下载:www.st.com  Q1 C$ D! m! o- z

) c9 i1 |. w: V' v6 h( D9 o* v0 o1 STM32F10xxx 灵活的静态存储控制器 (FSMC) 概述 0 U: o0 b2 g7 I
# ?, z% G9 n2 W  q
STM32F10xxx 灵活的静态存储控制器(FSMC)为嵌入式外部存储控制器,可使 STM32F10xxx微控制器与多种存储器接口,包括 SRAM、 NOR Flash、 NAND Flash 及 LCD 模组。 6 J% Z% J; D8 b0 K* N) h
7 c* h. K' u7 A* j7 G) E
FSMC NOR Flash/SRAM 存储区域适合 MCU 并行彩色 LCD 接口,将在本章讲述。 , w' @: ?  x  V, ~/ m

' W/ d8 S! {+ ]4 T1.1 FSMC NOR Flash/SRAM 存储区域说明
7 q3 M: J. K! O9 C1 u8 n! r
8 Z# s* Y1 e* f4 }  v( o/ n
FSMC 提供了如下特性以控制 NOR Flash/SRAM:
# R' |* R. `2 r! w/ n: M● 选择将要用于映射 NOR Flash/SRAM 的存储区域:有四个独立的存储区域可用来与NOR Flash/SRAM/PSRAM 接口,使用单独的片选引脚选择每个存储区域。
5 N7 P& n0 [# I! P0 m● 启用或禁用地址 / 数据复用特性 & `1 W* Y$ E: Y
● 选择要使用的存储器类型:NOR Flash/SRAM/PSRAM
$ `4 `; K, p) x$ n% S0 E● 定义外部存储器数据总线宽度:8/16 位
  V9 {8 L5 o. I6 a● 对于 NOR Flash 同步存储器,启用或禁用突发访问模式 ; A' J* i' n0 r9 X
● 配置等待信号的用法:启用 / 禁用、极性设置、时序配置
! v3 y2 y; |; M) `● 启用或禁用扩展模式:此模式用于为读写操作使用不同的时序配置来访问存储器。 9 e7 \; W1 ~0 y

1 c$ i& R; P! e6 [: a0 `0 O4 H/ p因为 NOR Flash/PSRAM 控制器支持异步和同步存储器,所以用户应根据存储器特性,仅选择有用的参数。
' Y! h/ |+ o/ s

+ g+ l3 `* ~  U  UFSMC 还提供了对多个参数编程,以正确与外部存储器接口的可能。取决于存储器类型,一些参数会用不到。
! @3 I+ x* d+ y0 ~) ?+ K4 ]2 a
$ Q% x0 r% p, t& [. a. u若使用了外部异步存储器,则用户必须根据存储器数据手册中规定的 AC 时序信息,计算并设置下列参数: 2 d8 X% _& `. _/ P- l/ v0 X! [# Q
● ADDSET:地址建立时间 : N% R9 \( {; I6 U+ k0 e, [. z  D
● ADDHOLD:地址保持时间 ( n9 j3 i; _2 _# `
● DATAST:数据建立时间 ; V. `( G* k* R2 u+ ^2 O% l
● ACCMOD:访问模式
; I2 G; l0 j% i# ^2 l. B6 V( }3 ~8 K. J
此参数可让 FSMC 灵活地访问多种异步静态存储器。若存储器支持此类特性,则有四种扩展访问模式可使读存储器与写访问同时使用不同时序。
, |+ _) C# N' X

- K/ ]/ i0 T% ^$ _当启用扩展模式时,FSMC_BTR 寄存器用于读操作,FSMC_BWR 寄存器用于写操作。5 ]' s- f( B. \- J' e0 g" S$ k

8 `& z3 [7 p/ {! e& P. t当使用同步存储器时,用户必须计算并设置如下参数: . ?. J3 x/ M* D9 m8 t( H. P) Z
● CLKDIV:时钟分频比 7 d$ h9 @2 |$ n& _4 j
● DATLAT:数据延迟
) i; f, d: {8 S1 f6 E# E! A$ q
! ?# p$ a8 O1 ^" ]请注意,若 NOR Flash 支持此模式,则读操作可为同步,而写操作一般为异步。 ) a, f  l, O1 D  F3 P' T

' ?* f( T  M9 P; g  x: Q4 Q  ]当编程同步 NOR Flash 时,该存储器会自动在同步和异步模式间切换,因此在此情况下,必须正确设置所有参数。
) k+ a/ n. t3 V% `+ e  l" Z: B

7 z1 M' a7 Q& {4 d$ O图 1 和图 2 显示了在典型 NOR Flash 访问期间的不同时序。* [5 G6 c; P% O  h2 k

. Q0 `3 R; S* P& `6 H  r6 V
1.png

7 S8 Q, m5 m. `+ w
...........
# A, R* t" U5 r  t( Z
想了解更多,请下载原文阅读

2 c5 y) j5 {6 [0 h! v$ D
收藏 评论2 发布时间:2019-4-8 12:56

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2个回答
一代睡神的崛起 回答时间:2019-4-8 15:08:29
谢谢分享,已经在用了
Kevin_G 回答时间:2019-4-10 14:48:44
谢谢,学习下
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