SCTWA40N120G2AG型号SiC MOS，按照datasheet上给定的条件，按照开关过程计算，Eon约为127uJ，Eoff约为164uJ。开关过程计算方法：Eon=0.5*VDD*ID*（t1+t2），其中t1是门极电压从门槛电压上升到米勒平台时间，t2是米勒平台持续时间；Eoff=0.5*VDD*ID*（t3+t4），其中t3是米勒平台持续时间，t4是门极电压从米勒平台下降到门槛电压时间。
而且从datasheet中给定的下降时间来看，关断损耗也不止datasheet中的Eoff值。
计算值和给定值为什么会有这么大的差异？

驱动设计是否按照手册来的？有可能驱动未设计好，损耗增大