
目前用STM8L052R8T6做个产品,用到RTC部分,现在的爱普生FC-135的32.768KHZ晶振,CL=9Pf,两个负载电容为12pf。 程序设置为采用外部晶振LSE。产品到现场运行一段段时间后出现 RTC不工作的现象。 请问有人遇到类似的吗? 还有这个用外部晶振时,晶振端的电压应该是多少mV。我的用示波器测对地测试,可以正常运行的晶振振幅只有150mV. 已经按勘误手册见PC7和PC4引脚接到GND,程序上也设置为了输出低电平。 现场出现此问题故障率到2%,怕后续会陆续出现,求高手指点 |
stm8l051f3 TSSOP20 封装,待机模式下,2天后,电流突然增加到140UA
stm8l050j3
STM8L的LCD调试时不亮
STM8L050J3使用SWIM下载方式,无法下载,总是报错
STM8L52、在主频1M下I2C 100K 时序异常,在主频16M就没问题。这是什么原因
stm8l152 低功耗7uA,降不下来
STM8 flash 库函数 startaddress = startaddress + ((uint32_t)BlockNum * FLASH_BLOCK_S
stm 8 flash 在RAM运行代码的问题,是不是库函数有问题 Library call (?sll32_l0_l0_a) from within a
批量中有少数几片STM8L101F3的uid多次读出不一致
STM8L051低功耗模式下ADC无法关闭
那这个晶振的振幅到达多少才算合适可靠?求指点
从应用笔记上看,振幅并没有太大意义,只是反映了驱动电流大小,而驱动电流大了,反而会损坏晶体的稳定性,这也是为什么有的电路会串联一个电阻的原因。 其次去测量晶体这个振幅时,通常的探头都带有一定的电容,会将电容值引入电路,从而改变晶体的震荡频率和一定的幅值,甚至起震条件等。 手册中的评价方式有详细描述,关键是设计电路的夸导要有足够裕量。
计算出来gmcrit =0.16uA/V。
看手册STM8的Gm=3uA/V。
比值3/0.16=18. 满足5倍要求。