在使用之前我们要先学**H7的内存分布，之前可能接触过ST的程序员没有发现有内存分布的特性，这可能是在M7系列新加的特性。
0 ~/ W& k* y- K0 E7 c& Q
5 F4 g% {) x. J/ c4 pTCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM 用于指令，DTCM 用于数据，特点是跟内
+ Z( |6 R0 i: V- s" D核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度。
! k+ i- n' x# ^  [1 }. d, W: _$ Q( ^
3 Y  o$ p3 W8 R9 b/ EITCM 和 DTCM
+ h4 c4 e+ X2 l1 R这两个是直连 CPU 的。
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1 S; h1 x% h' b( t  `TCM 区
TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM 用于运行指令，也就是程序代码，DTCM
用于数据存取，特点是跟内核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度，所以有降频处
理。
: `2 f! g6 V% G, t+ U/ u7 m7 T! b* y速度：400MHz。
DTCM 地址：0x2000 0000，大小 128KB。
ITCM 地址：0x0000 0000，大小 64KB。

4 J; T& W1 \8 V1 sAXI SRAM 区
位于 D1 域，数据带宽是 64bit，挂在 AXI 总线上。除了 D3 域中的 BDMB 主控不能访问，其它都可
以访问此 RAM 区。
速度：200MHz。
4 f' f6 D8 ~, F# q/ u) b3 T地址：0x2400 0000，大小 512KB。
用途：用途不限，可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。

2 T5 n. e+ M' u5 l# A2 e6 \SRAM1，SRAM2 和 SRAM3 区
SRAM1：地址 0x3000 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以当
D1 域断电后用于运行程序代码。
3 J4 ?; v$ Y1 Y, D% aSRAM2：地址 0x3002 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以用于
用户数据存取。
& f& ^6 l* U3 k3 t4 V# WSRAM3：地址 0x3004 0000，大小 32KB，用途不限，主要用于以太网和 USB 的缓冲。
1 v0 ^+ a7 [+ a4 p! U/ ]
SRAM4 区
位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访这块 SRAM 区。
6 X8 ?/ X( f* F) b6 Y速度：200MHz。
; N% U' d: O; W地址：0x3800 0000，大小 64KB。
5 W; y' U% h1 _& K4 X2 x! N6 g" Z用途：用途不限，可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲，也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby 待机方式
- a7 ]$ L$ M! a$ k; u' J. B9 ]后，继续保存用户数据。

7 l* W" l9 @# XBackup SRAM 区
备份 RAM 区，位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访问这块 SRAM
区。
: a/ u+ E/ |2 c速度：200MHz。
地址：0x3880 0000，大小 4KB。
用途：用途不限，主要用于系统进入低功耗模式后，继续保存数据（Vbat 引脚外接电池）。

0 a9 f9 O7 n: `2 e) l2 I3 V各块 RAM 的 DMA 问题
之前写了一个空闲中断+DMA的例子，在F4的板子稳定运行，可是在H7上跑不通，所以才注意到了内存分布对DMA的影响

DTCM 和 ITCM 不支持 DMA1，DMA2 和 BDMA，仅支持 MDMA。
4 o, l! `; J6 x3 o" QAXI SRAM，SRAM1，SRAM2，SRAM3 不支持 BDMA，支持 MDMA，DMA1 和 DMA2。
SRAM4 支持所有 DMA，即 MDMA，DMA1，DMA2 和 BDMA。

鉴于 DTCM 是 400MHz 的，而其它的 RAM 都是 200MHz，推荐工程的主 RAM 空间采用 TCM，而
' X3 G; k0 T6 _7 `/ E# d* W$ V% s其它需要大 RAM 或者 DMA 的场合，使用剩余 RAM 空间。
! I2 Y, C; N- v! P: V本教程配套的例子基本都是采用的这个方案，让 TCM 的性能得到最大发挥。
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