各位好，目前正在用STM32H723ZET6做IAP升级，发现一个比较严重问题，FLASH擦除时只能使用BANK擦除和SECTOR擦除。BAN1擦除是把FALSH全部擦掉，所以不考虑；SECTOR擦除是把其中一个SECTOR擦除，由用户指定，所以我使用了SECTOR擦除。
STM32H723ZET6共有512K FLASH，由4个SECTOR组成(每个SECTOR由128K组成)；整块FLASH由APP和BOOTLOADER组成，由于最小擦除单位是128K，因此app和bootloader不能放在同一个SECTOR(防止擦除APP时将BOOTLOADER也擦除)。因此，APP使用了256K，BOOTLOADER使用了128K。如果我想把BOOTLOADER放小，该怎么做？
程序从0800 0000开始运行，首先判断APP的首地址(0802 0000)和尾地址(0806 0000)固定地址的固定字符是否完整，如果完整的话，就跳到APP应用程序去执行；如果不完整，将在BOOTLOADER中等待升级。正常升级时，在APP应用程序中将APP的首地址(0802 0000)和尾地址(0806 0000)固定地址修改为其他字符，重启后BOOTLOADER就会认为APP不完整，等待升级了。但是由于只能擦除128K，导致在擦除固定字符时，也把全APP应用程序全部擦除了。导致无法实现IAP在线升级功能。
STM32F103系列对FLASH操作时有PAGE页擦除，一次只擦除1K，因此没有问题。
所以想请教下各位，STM32H723ZET6是否有擦除小于128K的FLASH的指令；如果没有，各位的IAP是如何实现的，不胜感激！

geowhy 发表于 2022-7-2 23:13
能否使用芯片的自举程序，APP升级时，通过自举程序先将bootloader加载的RAM中运行，然后升级APP程序
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这个方法是个不错的思路。唯一美中不足之处就是怕这时候掉电，看看应用中这种小概率事件能不能接受吧。

能否使用芯片的自举程序，APP升级时，通过自举程序先将bootloader加载的RAM中运行，然后升级APP程序

没有，不然还是换芯片吧，比如选择F4或者F7啊，L4和L5都行

butterflyspring 发表于 2022-7-5 10:49
这个方法是个不错的思路。唯一美中不足之处就是怕这时候掉电，看看应用中这种小概率事件能不能接受吧。
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应该没问题啊，每次上电，都是自举程序先运行，不需要下载的时候，跳转到应用区运行