STMCU小助手
发布时间:2022-7-17 21:59
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前言 本应用笔记说明了使用 STM32L-DISCOVERY 和 32L152CDISCOVERY 板,实现简单温度测量应用的方法。本文讲解的解决方案使用 STM32L1x 微控制器集成的温度传感器。本文讲解了使用工厂或用户校准,提高温度传感器精度的方法。1 a# _) p7 g$ \6 w& d( d8 S 演示应用不需要任何额外硬件。当使用相关固件更新 STM32L-DISCOVERY 和32L152CDISCOVERY,并通过连至主机 PC 的 USB 线给板子上电之后,应用即可显示STM32L1x 微控制器的温度。5 x+ n4 v5 U' O3 l/ b 温度传感器例程代码包含在 STM32L1x 探索固件包中 (STSW-STM32072),可从http://www.st.com 获得。! C2 M- G8 B3 _. v) M) S" d0 c 参考文档1 q1 N/ x7 r- x+ i, o • STM32L-DISCOVERY 和 32L152CDISCOVERY 用户手册 (UM1079) . R: K) F& d7 v( J • STM32L-DISCOVERY 和 32L152CDISCOVERY 板软件开发工具入门 (UM1451) 8 [% D0 T& c7 s" b e& T- ~# o$ | • STM32L1x 电流消耗测量和触摸感应演示 (AN3413) * f+ {6 N1 W% H! p& l0 r) U • 超低功耗 STM32L15xx6/8/B 数据手册 • 超低功耗 STM32L151xC 和 STM32L152xC 数据手册 • 超低功耗 STM32L151xD 和 STM32L152xD 数据手册 • 超低功耗 STM32L162xD 数据手册, L3 R: o4 ` [) L0 I7 ` • STM32L100xx、STM32L151xx、STM32L152xx 和 STM32L162xx 基于 ARM 内核的 32 位高级 MCU 参考手册 (RM0038)8 n$ Y9 q! {' w Y3 m+ @, g . ` X# Q+ ^- q4 O, x& C) F
1 应用概述( @+ d8 j" j$ o" ~) V, Z 本章说明了温度传感器的工作原理以及如何使用 STM32L-DISCOVERY 或32L152CDISCOVERY 上内置的 STM32L1x 微控制器进行温度测量。 后面会简单说明如何实现示例温度测量应用。6 l" R8 }; A& I6 ]1 D) h9 J 在整个文档中,使用 STM32L1xxDISCOVERY 表示 STM32L-DISCOVERY 或32L152CDISCOVERY 评估套件。; [+ G) P1 w, B0 y4 B2 ^ 1.1 温度传感器 集成于 STM32L1x 微控制器中的温度传感器可输出与器件芯片结温成正比的模拟电压。9 K5 D* O: u! P2 p3 D% R7 Y 注: 请注意,传感器提供的温度信息为芯片结温 (半导体表面的实际温度),它可能与环境温度不同。若需更详细信息,请参见产品数据手册的 “ 热特性 ” 一节。 集成的温度传感器提供了较好的线性特性,典型偏差为 ± 1%。其温度范围等于器件的温度范围 (–40 °C 到 85 °C),最大结温为 150 °C。/ Q8 C8 C/ M0 s: i( q 传感器的线性很好,但可交换性很差,必须对其校准以得到较好的总体精度。若应用设计为仅测量温度的相对变化,则不需要校准温度传感器。 1 e6 D2 _3 H$ W* |: O+ X D 1.2 温度测量和数据处理 温度传感器的输出在芯片内部连至 STM32L1x 中 ADC (模数转换器)的通道 16(ADC_IN16), ADC 通道用于采样和转换温度传感器的输出电压。必须进一步处理原始ADC 数据,以便用标准温度单位显示温度 (摄氏度、华氏度、开氏温度)。 ADC 参考电压 (VDDA = VREF+)连至 STM32L1xxDISCOVERY 板的 3 V VDD 电源。若不知道 VDD 的精确值,则与使用电池工作的应用一样,必须对它测量以得到正确的总体 ADC转换范围 (见下节的详细信息)。+ E7 U' J' _ Y0 d3 T* F 电池供电设备上的温度测量5 g4 H, ~- E( J" n( ^, f$ D0 ^1 Y0 k 若器件直接用电池供电,则微控制器的供电电压会有变化。若 ADC 参考电压连至 VDDA,即低引脚数封装器件的连接方式,ADC 转换的值会随电池电压漂移。需要知道供电电压以补偿该电压漂移。可使用芯片的内部电压参考 (VREFINT)来确定实际供电电压 (VDDA)。 ADC_IN17 内部参考输入上的 ADC 采样值 (Val_VREFINT)可由下式表示: 0 i: T6 ~ W$ S. P $ v' h; ?2 l2 I; Q: |
! K) Z5 s" W' A3 R 精确的芯片内部参考电压 (VREFINT)由 ADC 单独采样,在制造过程期间,将每个器件的对应转换值 (Val_VREFINT_CAL)储存于受保护的存储区,其地址为产品数据手册中规定的VREFINT_CAL。内部参考电压校准数据为 12 位的无符号数 (右对齐,存储于 2 个字节中),由用于参考的 STM32L1x ADC 获取 7 V" Q! X( c U2 q3 U * w+ h$ n1 L( z; H9 c
) r* w, A ~" T. w 工厂测量的校准数据总体精度为 ± 5 mV (若需更详细信息,请参考数据手册)。 我们可使用上式确定实际的 VDDA 电压,如下所示:
# F$ `5 t5 }" x, ~4 X5 h 当采样温度传感器数据 ValTS_bat 时,ADC 量程会参考前面步骤中确定的实际 VDDA 值。因为温度传感器工厂校准数据是在 ADC 量程设为 3 V 时获得的,所以我们需要归一化ValTS_bat,以得到 ADC 量程为 3 V 时应获得的温度传感器数据 (ValTS)。可使用下式归一化 ValTS_bat: 5 Q! `% X$ @' }6 ?0 F6 A" V; ? $ C1 d! ^8 `) y( v' ^3 \0 W 2 I: X8 [9 Q$ U" {' z& H
1 { u: @8 s* H# X 若 ADC 参考为 3 V 供电 (STM32L1 Discovery 的情况),则不需要这样归一化,可直接使用采样温度数据确定温度,如第 2.2.1 章节:温度传感器校准中所述。' n9 f2 e& M) V7 n) Y, k6 W( o 1.3 应用程序示例说明 每 2 秒,应用从温度传感器电压获取 16 个采样。使用四分均值算法,对 ADC 原始数据滤波、平均,以降低电源系统的噪声。将结果重新计算为标准的温度测量单位下的数值 (在本例中为 °C)。 I! W! M( V3 R8 x/ j9 X! {8 U ADC 原始数据或当前温度值每 2 秒更新一次 LCD 显示,单位为摄氏度。用户可通过按用户按钮在两种温度数据表示之间切换。 为演示 STM32L1x 超低功耗微控制器的低功耗能力,在温度传感器数据测量间歇期, CPU切换至停止模式, RTC (实时时钟)唤醒设为 2 秒。 ADC 数据获取和数据传输由直接存储器访问 (DMA)管理在此阶段 CPU 处于低功耗睡眠模式。仅在初始化阶段和数据处理期间, CPU 才处于运行模式,其频率为 16 MHz (基于 HSI 振荡器时钟)。 3 [& x! y4 v% F% q$ {, G$ ~
2 起始& K V% {# `4 K7 Q o3 l 在开始运行例程之前,必须如下节中所述更新固件和配置硬件。, O; l+ m% ?5 o0 J0 O 2.1 搭建板子运行环境 更新固件* p8 D1 ~1 d/ Y# | 需要使用本应用笔记相关的固件更新 STM32L1x 程序存储器。若需如何更新固件的信息,请阅读项目目录中的 ‘readme.txt’ 文件。4 e! Y' b* o2 r& N$ W 例程会用到的硬件元件/ ? T& X" m5 `. ? 本应用例程使用 STM32L1xxDISCOVERY 板上现成的硬件元件:STM32L1x 微控制器上集成的外设、 6 位 LCD 玻璃显示器、用户按钮。不需额外元件。0 z% r& D7 k5 X2 d6 S" h7 Y3 g STM32L1xxDISCOVERY 硬件设置' i0 ^# k4 V" I: |: w# W1 L2 @ IDD 跳线 JP1 必须置于 ON 位置。 必须安装 CN3 上的两个跳线,以通过串行线调试 (SWD)接口启用 STM32L1x 微控制器和 ST-Link 调试工具之间的通信。* T, `& c. _6 l2 g+ Z1 r$ V 注: 所有焊桥必须为 UM1079 中所述的默认状态。# C% o8 Q# S# w: j" r7 @# O1 ?8 o 2.2 运行演示例程. H8 @$ U* k/ L4 a1 e6 Z5 s3 | 运行演示例程很简单。 开机后,例程首先会显示欢迎消息,然后立即显示电流温度,单位为摄氏度,刷新率为 2秒。当按下用户按钮后,显示屏会显示 ADC 获取的一组 16 个样例的平均值。再按一下用户按钮会在显示当前摄氏度温度和均值之间切换。均值可在之后用作校准点,作为已知温度来提高温度测量的整体精度。 2.2.1 温度传感器校准 在制造过程期间,温度传感器校准数据存储于受保护的存储区中,用户可从该处读取并使用该数据以提高温度测量的精度。生产过程中测量两个点的校准数据:6 x, w% u5 ~+ G1 s • 室温 (30 °C ± 5°C):TS_CAL11 O5 U" X+ H, {0 O+ n! v/ N • 高温 (110 °C ± 5°C):TS_CAL2。 若需获取校准数据所存储的存储器地址,请参考产品数据手册。9 O- ~! _* J( i1 L7 ] 温度传感器校准数据为 12 位的无符号数 (存储于 2 个字节中),由 STM32L1x ADC 在使用3 V (± 10 mV)参考电压时获得。5 w( o, u' [% W2 ^ 例程初始化时,会检查工厂校准数据的有效性。若存储器中存在数据,则用它做温度计算。 否则,则验证并使用用户校准期间存储在 EEPROM 存储区中的校准数据。若用户校准数据也不可用,则使用默认值计算。工厂校准或用户校准数据为温度测量提供了较好的精度。 默认校准数据基于典型温度传感器特性的统计数据,由于制造过程期间温度传感器特性变化较大,所以使用默认值可能会导致温度估计的精度较差。建议使用工厂校准数据或对温度传感器执行两点校准,这代表了温度传感器的个体特性,可得到较好精度的测量。$ B! L+ d" k% i! i # a# Q, b3 I7 A7 U% ]
可由 ADC 使用线性估计采样,从数字值 ValTS 计算温度。若两个校准点 C1 和 C2 的坐标已知,则可使用此方法,如图 2 中所示。 当前温度可如下计算,其中低温坐标对表示为(TC1, ValC1),高温对为(TC2, ValC2):
使用工厂校准数据,公式可重写如下: 3 q9 x, D2 a! a- z8 @
: |7 W/ j& E* O6 I8 i- C- B 2.3 温度传感器估计的工程容差: Q$ _$ }+ Q( { E+ w5 s" x t1 X8 H 在图 2 中可以看到,两点校准方法极大提高了测量精度。温度测量的偏移主要有两个原因:校准点的温度裕度及传感器的线性。其它造成偏移的原因,例如 ADC 参考电压裕度可被有效降低。对于使用 3 V (± 10 mV)参考电压测量的工厂校准值则可忽略。& a% ]5 f# l& v4 Y2 L+ ^3 f$ X; G, [ 温度估计的工程容差示于图 2 中,它有两个边界线:最小偏移值 (绿色)和最大偏移值(蓝色)。校准点之间的区域具有恒定的容差,比外面的容差稍微增加。因此,校准点的建议位置应与测量范围的最大和最小值尽量接近。 - v, F1 [, R( O3 {, H! n 9 W* h6 T( z; s f& C 完整版请查看:附件 ! V$ K- C. C& U! B |
DM00035957_ZHV3.pdf
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