STMCU小助手
发布时间:2022-8-18 18:43
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生成例程; _1 n s) i$ W. z( {- |, i: T 使用STM32CUBEMX生成例程,这里使用NUCLEO-L476RG开发板,因为我这只有这款板子的主频较快。$ f: T4 C+ M0 y% I% t
不同速率对应的波形 以PC3为例,在推挽输出无上下拉情况下,输出速率主要有4种,一般的低端MCU只有3种,没有Very High。
$ \" U. r" ?( n, W* |/ m* ]' ] LOW速率 : P9 V; K* ^# @, x* K
. I- ~3 Z( I2 j6 @6 d# ~) C$ w Medium速率
High速率" T' v7 t' |& Y0 D% X k p) ]9 ?/ p6 c( K. i3 n
) a( t9 W& W. _# U8 {, O Very High速率
可以看到,在不同速率下,端口的反应速度不一样,设置最大输出速率越大,响应越快,对应的噪声也就越大。4 O9 O& t! T/ k8 h0 Q 输出方式4 G! b' `" C. Q/ Q
* _6 y! O' Q- ~2 o% a' o/ A& R 在上图中,P-MOS带了一个⚪,说明是低电平导通。2 g8 v" d; @; U! _6 p
上图是GPIO的示意图,有输入和输出,如果简化为输出,则如下所示。 + }2 U* M9 J6 _9 O7 ^7 m2 F3 r
0 P, q+ ]" o3 i4 N3 g ; z" `3 x( x' U$ H! e+ u 推挽输出 推挽输出的内部电路大概是下图这个样子,由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成,同一时间只有一个管子能够进行导通。$ |( x5 }* L! j+ q' M: N ^5 @) j. O5 w9 n3 Q; A' g
& D H4 U H7 |' Y 当输出高电平时候,P-MOS导通,N-MOS截至,此时电源电流入R5。( @1 w/ s& w1 p4 j . J' c X. E2 }& A& [1 f: p$ h/ @
当输出低电平时候,N-MOS导通,P-MOS截至,此时电流流入R5的为0。
( R2 H8 m' |1 D @6 r 线与 推挽输出高电平与电源电压基本上没有压差 高低电平的驱动能力较强,推挽输出的电流都能达到几十mA。 但是无法进行线与操作,做进行线与操作,那么电源和地就会短路,因为mos管电阻很小。 看下图可以得知,电流通过Q3的P-MOS流到Q2的N-MOS,最终回到地。) z) O' p$ ]$ z* E- c
# ?% T- b! [! |) j8 J8 S1 A$ F 开漏输出* t8 z% q' v* E' D! Q 开漏输出又叫漏极开漏输出简化后可以看作如下的示意图。7 B4 p7 K6 F% d$ l* W . ^( L1 W4 a7 e$ l/ Y% v3 O' @0 F
若还是使用上面推挽的电路图,当N-MOS为低电平时候,那么他的输出就是一个高阻态。$ W. e3 e, D5 O( O3 _8 j& ` 可以看到,R5没有电流通过,电压也是接近于0,所以GPIO无法对外输出高电平。 ( U( @0 t4 Y9 l8 c/ s/ H5 C
此时需要增加一个上拉,这样的话上拉的电流就会流出去。+ Z F1 V( a b( P/ t 所以在开漏输出情况下,需要增加一个上拉才能进行输出高电平。6 c1 q5 `5 x/ e
7 }4 C& g, n# X! J, ~' t/ r! B 对于输出低电平,他和推挽输出差不多,电流通过N-MOS流到地中。 4 [6 y# K! n9 p4 a8 v$ z( J* `* z
& G$ w6 }8 v( B4 r8 W6 }" ^5 X 上图是没有增加上拉,但是开漏输出模式都需要增加,增加上拉之后如下图所示。 电流通过N-MOS流回地中。- ?/ X q! r* I' J# z6 g
输出电压 由于推挽输出在输出的时候是通过单片机内部的电压,所以他的电压是不能改变的。 但是开漏输出是通过外部上拉的电压,所以可以改变开漏输出模式下的电压大小。, m2 L/ R9 ?& F; U2 z 下图是当上拉为5V时候,也是可以驱动出去的,这个上拉电压最大值需要看单片机的耐压。
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