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STM32CUBEIDE(3)----GPIO输出模式,速率测试、开漏和输出说明

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STMCU小助手 发布时间:2022-8-18 18:43
生成例程; _1 n  s) i$ W. z( {- |, i: T
使用STM32CUBEMX生成例程,这里使用NUCLEO-L476RG开发板,因为我这只有这款板子的主频较快。$ f: T4 C+ M0 y% I% t

. `( P1 l# z) ^1 F# r* | ac4d1065ebba4e488a12ea7ee584ca7e.png 7 q9 c% X0 X# g" ^* E4 Y

) T* N' s4 E* \7 u4 s+ i6 [不同速率对应的波形

# P$ d$ @" z% A8 W以PC3为例,在推挽输出无上下拉情况下,输出速率主要有4种,一般的低端MCU只有3种,没有Very High。
4 G, Q; O/ b1 T* _) W
# I5 ]* N% k% ^& C" {# D 953e8f999771409fbdd778001cec231a.png / w7 ]/ i5 {: o
$ \" U. r" ?( n, W* |/ m* ]' ]
LOW速率
7 Q5 y& a4 y" X7 ]" t. q: P9 V; K* ^# @, x* K
f6ff4657cbe84e1a8d89af943ac2fdec.png
! l4 A% l! ~+ S* Q! [( H. I- ~3 Z( I2 j6 @6 d# ~) C$ w
Medium速率
3 i. u4 I) D1 F/ D+ {5 c
8 B9 c8 q' r* [
c10f1fc18458489c941e8e3aa6c6df82.png
1 k3 I7 Q2 H$ O
. ?6 Z1 Q; }9 F& ]: @* LHigh速率" T' v7 t' |& Y0 D% X  k
  p) ]9 ?/ p6 c( K. i3 n
d5a89a7166914b9abfc890e4affa043b.png : }9 e- D$ Y) u4 R+ v8 i
) a( t9 W& W. _# U8 {, O
Very High速率

- ^3 `+ W6 {( j4 n1 [% E7 G0 D* S/ p
. w7 B* j+ o' i& |) _5 j1 G/ E: j c8f118d5bfa54fc197d225a408bfe9bd.png
4 u5 Y2 x* n2 R0 e% v/ C
3 `& o7 y' L1 @! j7 y4 R3 J可以看到,在不同速率下,端口的反应速度不一样,设置最大输出速率越大,响应越快,对应的噪声也就越大。4 O9 O& t! T/ k8 h0 Q

  x: s2 `% ?" ^0 M7 P. G  Y# _输出方式4 G! b' `" C. Q/ Q

# D0 ^, p: e2 d- a. [9 R" p a1f9283193d043c8ba763ecb573c102e.png
6 n2 i2 U0 B0 C- h7 j6 J$ O 8bf1755054d548e4b4f88433e1ddbee5.png % I9 e  S! y3 u3 ~
* _6 y! O' Q- ~2 o% a' o/ A& R
在上图中,P-MOS带了一个⚪,说明是低电平导通。2 g8 v" d; @; U! _6 p

4 h' Y) d( X" Z 6b87ad300a6b4dfcade22a5da187d798.png % _/ X7 h2 ~3 c5 e" N! z

- |( d2 m) Q! }$ E" T上图是GPIO的示意图,有输入和输出,如果简化为输出,则如下所示。
5 t0 F% w) f9 I' X+ }2 U* M9 J6 _9 O7 ^7 m2 F3 r
5bd70bb9f9824e01ac560d7f8b6280d5.png
/ K9 y& k: K% R" n, s0 P, q+ ]" o3 i4 N3 g
; z" `3 x( x' U$ H! e+ u
推挽输出
3 Q: f( Y7 Y, W) z) i推挽输出的内部电路大概是下图这个样子,由一个P-MOS和一个N-MOS组合而成,同一时间只有一个管子能够进行导通。$ |( x5 }* L! j+ q' M: N
  ^5 @) j. O5 w9 n3 Q; A' g
49db6c09e2c14426980e795f4eda90bc.png
1 X4 b0 b- O& S6 U; p. S9 C+ W& D  H4 U  H7 |' Y
当输出高电平时候,P-MOS导通,N-MOS截至,此时电源电流入R5。( @1 w/ s& w1 p4 j
. J' c  X. E2 }& A& [1 f: p$ h/ @
e7d2d7b0da474aff9ccccd43b79aa286.png ; ?( P0 w3 I: h, O

0 B% Q, o2 H4 W当输出低电平时候,N-MOS导通,P-MOS截至,此时电流流入R5的为0。
$ i9 |/ H, O$ v4 q& m# y
' E) a# _$ e9 \$ f+ f' ~( i  b ff7e7feb1f7441228ad6b7388f888579.png ! r. V" n9 t/ @. @0 _# \- t) y
( R2 H8 m' |1 D  @6 r
线与
, P: U* }! W2 W3 K0 B/ J推挽输出高电平与电源电压基本上没有压差
( e4 k: ~* D5 \2 f" b高低电平的驱动能力较强,推挽输出的电流都能达到几十mA。
: E% @& L, f, M: @9 @$ c2 R但是无法进行线与操作,做进行线与操作,那么电源和地就会短路,因为mos管电阻很小。
: ]' c' L, L) C% E7 Z- Y0 e看下图可以得知,电流通过Q3的P-MOS流到Q2的N-MOS,最终回到地。) z) O' p$ ]$ z* E- c

6 m- [. ~. L7 o# o a4552466e8884460a82bd8e5a2e85f53.png 6 Y: ^  Z$ p4 P8 @  M/ l
# ?% T- b! [! |) j8 J8 S1 A$ F
开漏输出* t8 z% q' v* E' D! Q
开漏输出又叫漏极开漏输出简化后可以看作如下的示意图。7 B4 p7 K6 F% d$ l* W
. ^( L1 W4 a7 e$ l/ Y% v3 O' @0 F
9dae31763a574f3191fe25a1c3f0aa0e.png 7 G# e& Y, p5 z1 q/ o8 C

" K, S7 G  T$ n" E8 l若还是使用上面推挽的电路图,当N-MOS为低电平时候,那么他的输出就是一个高阻态。$ W. e3 e, D5 O( O3 _8 j& `
可以看到,R5没有电流通过,电压也是接近于0,所以GPIO无法对外输出高电平。
; g2 r; }8 A  N) m  p3 i( U( @0 t4 Y9 l8 c/ s/ H5 C
24f7594a147c403291977dad11ccb66a.png % h) ^0 H# t* p. Q3 O

6 o# o& G1 D" x) c5 }+ t, @$ a此时需要增加一个上拉,这样的话上拉的电流就会流出去。+ Z  F1 V( a  b( P/ t
所以在开漏输出情况下,需要增加一个上拉才能进行输出高电平。6 c1 q5 `5 x/ e

, F6 o5 r2 p4 j& a; R( l1 _( P/ _) ?. m 94d0ffe64a464bc78f21f2c88b1eddc0.png 2 U0 y/ S& r0 r4 T- T5 ]
7 }4 C& g, n# X! J, ~' t/ r! B
对于输出低电平,他和推挽输出差不多,电流通过N-MOS流到地中。
& S2 u" n) D  s' S  u4 i4 [6 y# K! n9 p4 a8 v$ z( J* `* z
34521860ce5b4735bec49eeda331f40a.png ) X. ]4 e: v; F4 T3 p; f# b& E
& G$ w6 }8 v( B4 r8 W6 }" ^5 X
上图是没有增加上拉,但是开漏输出模式都需要增加,增加上拉之后如下图所示。
+ W1 R6 Q) T: s* b( a电流通过N-MOS流回地中。- ?/ X  q! r* I' J# z6 g

0 g) X7 E- s2 R( L" l2 t 8fd31bf2b9c84bb2a0e366ae22d782f8.png
) K. n8 \( P! w* Z
- a/ ]# }4 P& j9 Z( i( I输出电压
/ e3 A5 G# x# F6 x/ X由于推挽输出在输出的时候是通过单片机内部的电压,所以他的电压是不能改变的。
8 k$ Z: ?4 s% ~+ y: X; N但是开漏输出是通过外部上拉的电压,所以可以改变开漏输出模式下的电压大小。, m2 L/ R9 ?& F; U2 z
下图是当上拉为5V时候,也是可以驱动出去的,这个上拉电压最大值需要看单片机的耐压。
& n5 R" U5 u5 j0 O+ m, j
) U5 Z0 ?1 N* ~" d+ d 57fc7b4dc1dc41aaa15966c1beb0ee21.png
0 M2 \4 u, ~/ c6 j# O/ t) U) @6 a# ?$ b* b

1 m$ P3 H& S. a: _+ J* H3 L6 r
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