请教STM32F103的DMA空闲接收问题
STM32F405rgt6 I2S DMA输入会造成卡死,这个芯片有BUG
USBX在F407上创建CDC不能正常使用
串口DMA收发出现ORE错误
STM32H725S没有硬件双缓冲吗?
STM32F427ZGTx内部RTC秒及亚秒同步问题
stm32使用hal库数据疑问
stm32使用hal库开发串口通讯问题
有没有STM32F405RG参考设计
LSM6DS3TR-C静止情况下使用MotionFX固件算出的欧拉角周期性异常跳动
微信公众号
手机版
MOS 有内阻的呀,当电流大,电压自然被抬高了。 不清楚光耦内部结构,但是一般烧坏的话,多半是断路吧。
感谢解答。我知道电阻阻值选的不合理,我的意思是假设这样接,IO配的是推挽输出,为什么不能拉到地,看IO内部框图,是控制mos开关直接接地,我认为的结果是因电流过大光耦发射管烧掉了,而不是IO被抬高。