一、芯片FLASH容量分类：

可以看到我们今天介绍的这款芯片的flash大小是64K的，网上也有人说它可以支持到128K，但是官方给出的解释是前64K是有保证的，后面的无法保证，所以想要使用的小伙伴需要慎重。
现在芯片的flash大小我们知道了，下面就可以看看这个flash是怎么划分的了，通过芯片数据手册，我们能看到今天说的STM32F103C8T6是属于中等容量的设备。

既然是中等容量的设备了，那我们就来看看flash划分吧，在STM32的闪存编程手册中有这样一段话：按照不同容量，
存储器组织成：
32个1K字节/页(小容量)
128个1K字节/页(中容量)
256个2K字节/页(大容量)
这段话怎么理解呢，就是告诉我们小容量的设备（内存是6K和32K）的设备是由1K字节每页组成的，
中容量的设备（内存是64K和128K）的设备是由1K字节每页组成的，
大容量的设备（内存是256K、384K和512K）的设备是由2K字节每页组成的，
举个例子吧：
一个芯片的存储容量是64K，这64K是什么呢，就是64*1024个BYTE，一个BYTE是由8位0或1组成的，（比如0000 1111 这8个二进制数组成了一个字节，用十进制来说就是15）
小结一下：64K的flash可以存储64*1024个字节的数据。
咱们继续说，这64K的数据怎么划分，存储是按照页为单位进行存储的，一页1K的容量，也就说一页可以存储1024个字节
一共是多少页？
答案是：64页，我们看一下官方是不是这么说的

在闪存编程手册里确实是这么说的，所以我们刚才说是64页是正确的

二、 读写步骤：
上面我们知道了芯片是怎么分类的，下面我们就重点来讲解一下芯片是怎么读写的。
内部flash我们参照HAL库或者标准库，直接调用ST公司给我们封装好的库进行编程就可以了，这里我用的是标准库，有兴趣的小伙伴可以去看看HAL库
是不是有小伙伴会疑问什么是标准库，什么是HAL库？
在这里给大家解释一下，这两个库都是ST公司，直接把寄存器封装成函数，供大家直接调用某一个函数，就可以完成各种寄存器的配置，不容大家直面芯片的寄存器，方便阅读和使用，因为每个函数的名称功能都是不一样的，在调用前可以参考函数的注释，在F0和F4的标准库里甚至有每个函数的用法，不知道为什么在F1的库里把使用步骤去掉了。
咱们继续，读写的话库函数分为：

1. /*------------ Functions used for all STM32F10x devices -----*/
   
2. 
   
3. void FLASH_SetLatency(uint32_t FLASH_Latency);
   
4. 
   
5. void FLASH_HalfCycleAccessCmd(uint32_t FLASH_HalfCycleAccess);
   
6. 
   
7. void FLASH_PrefetchBufferCmd(uint32_t FLASH_PrefetchBuffer);
   
8. 
   
9. void FLASH_Unlock(void);
   
10. 
    
11. void FLASH_Lock(void);
    
12. 
    
13. FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
    
14. 
    
15. FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
    
16. 
    
17. FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
    
18. 
    
19. FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
    
20. 
    
21. FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);
    
22. 
    
23. FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);
    
24. 
    
25. FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages);
    
26. 
    
27. FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState);
    
28. 
    
29. FLASH_Status FLASH_UserOptionByteConfig(uint16_t OB_IWDG, uint16_t OB_STOP, uint16_t OB_STDBY);
    
30. 
    
31. uint32_t FLASH_GetUserOptionByte(void);
    
32. 
    
33. uint32_t FLASH_GetWriteProtectionOptionByte(void);
    
34. 
    
35. FlagStatus FLASH_GetReadOutProtectionStatus(void);
    
36. 
    
37. FlagStatus FLASH_GetPrefetchBufferStatus(void);
    
38. 
    
39. void FLASH_ITConfig(uint32_t FLASH_IT, FunctionalState NewState);
    
40. 
    
41. FlagStatus FLASH_GetFlagStatus(uint32_t FLASH_FLAG);
    
42. 
    
43. void FLASH_ClearFlag(uint32_t FLASH_FLAG);
    
44. 
    
45. FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
    
46. 
    
47. FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
    
48. 
    
49. 
    
50. 
    
51. /*------------ New function used for all STM32F10x devices -----*/
    
52. 
    
53. void FLASH_UnlockBank1(void);
    
54. 
    
55. void FLASH_LockBank1(void);
    
56. 
    
57. FLASH_Status FLASH_EraseAllBank1Pages(void);
    
58. 
    
59. FLASH_Status FLASH_GetBank1Status(void);
    
60. 
    
61. FLASH_Status FLASH_WaitForLastBank1Operation(uint32_t Timeout);

复制代码

在这里就不一个一个的详细说了，我们说一下常用的就行
1. 解锁

void FLASH_Unlock(void);

2. 上锁

void FLASH_Lock(void);

3. 页擦除

FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);4. 半字写入
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);上面这4个函数就是我们最常用的。下面说一下数据写入的步骤，第一步：解锁第二步：判断写入的数据是否被擦除过，也就是判断写入的地址内存放的是不是0xFFFF 这里要重点说一下，为什么要判断是不是0xFFFF而不是判断是不是0xFF呢？因为我们每次写入数据都要写入半字，也就是两个字节的数据才行，而且写入的地址只能是2的整数倍，不能是奇数。这里大家注意一下。第三步：写入数据 STM32F103C8T6只能按照半字的方式进行数据写入，写入前的数据必须是0XFFFF，因为FLASH数据写入，只能写0，不能写1，这也就是为什么我们要先确保写入前的数据是被擦除了的原因。第四步：上锁第五步：验证写入是否正确其实第五步可以省略。我们看看官方给的写入过

好了，其实是一样的。
下面我就和大家来分享一下（百分之九十九参考的正点原子的例程）

1. //不检查的写入
   
2. 
   
3. //WriteAddr:起始地址
   
4. 
   
5. //pBuffer:数据指针
   
6. 
   
7. //NumToWrite:半字(16位)数   
   
8. 
   
9. void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
   
10. 
    
11. {                                          
    
12. 
    
13.         u16 i;
    
14. 
    
15.         for(i=0;i<NumToWrite;i++)
    
16. 
    
17.         {
    
18. 
    
19.                 FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);
    
20. 
    
21.             WriteAddr+=2;//地址增加2.
    
22. 
    
23.         }  
    
24. 
    
25. }

复制代码

1. //从指定地址开始写入指定长度的数据
   
2. 
   
3. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
   
4. 
   
5. //pBuffer:数据指针
   
6. 
   
7. //NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
   
8. 
   
9. 
   
10. 
    
11. u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
    
12. 
    
13. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)        
    
14. 
    
15. {
    
16. 
    
17.         u32 secpos;           //扇区地址
    
18. 
    
19.         u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
    
20. 
    
21.         u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)           
    
22. 
    
23.          u16 i;   
    
24. 
    
25.         u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
    
26. 
    
27.         if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
    
28. 
    
29.         FLASH_Unlock();                                                //解锁
    
30. 
    
31.         offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
    
32. 
    
33.         secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    
34. 
    
35.         secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    
36. 
    
37.         secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
    
38. 
    
39.         if(NumToWrite<=secremain)
    
40. 
    
41.         {
    
42. 
    
43.           secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
    
44. 
    
45.         }
    
46. 
    
47.         while(1)
    
48. 
    
49.         {        
    
50. 
    
51.                 STMFLASH_Read(((secpos*STM_SECTOR_SIZE)+STM32_FLASH_BASE),STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
    
52. 
    
53.                 for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
    
54. 
    
55. //                for(i=0;i<(STM_SECTOR_SIZE/2);i++)//校验数据
    
56. 
    
57.                 {
    
58. 
    
59.                         if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  
    
60. 
    
61. //        if(STMFLASH_BUF!=0XFFFF)break;//需要擦除                        
    
62. 
    
63.                 }
    
64. 
    
65.                 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    
66. 
    
67.                 if(i<secremain)//需要擦除
    
68. 
    
69. //                if(i<(STM_SECTOR_SIZE/2))//需要擦除
    
70. 
    
71.                 {
    
72. 
    
73.                         FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    
74. 
    
75. 
    
76. 
    
77.                         FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
    
78. 
    
79.                         for(i=0;i<secremain;i++)//复制
    
80. 
    
81.                         {
    
82. 
    
83.                                 STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;         
    
84. 
    
85.                         }
    
86. 
    
87.                         STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
    
88. 
    
89.                 }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                    
    
90. 
    
91.                 if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
    
92. 
    
93.                 else//写入未结束
    
94. 
    
95.                 {
    
96. 
    
97.                                 secpos++;                                //扇区地址增1
    
98. 
    
99.                                 secoff=0;                                //偏移位置为0         
    
100. 
     
101.                                   pBuffer+=secremain;          //指针偏移
     
102. 
     
103.                                 WriteAddr+=（secremain*2）;        //写地址偏移           
     
104. 
     
105.                                  NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
     
106. 
     
107.                                 if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))
     
108. 
     
109.                                 {
     
110. 
     
111.                                   secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
     
112. 
     
113.                                 }
     
114. 
     
115.                                 else
     
116. 
     
117.                                 {
     
118. 
     
119.                                   secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
     
120. 
     
121.                                 }
     
122. 
     
123.                 }         
     
124. 
     
125.         }        
     
126. 
     
127.         FLASH_Lock();//上锁
     
128. 
     
129. }
     

复制代码

最终我们调用STMFLASH_Write（）函数进行数据的写入，是不是有没看懂的小伙伴，我给大家解释一下写入的过程吧

这个STMFLASH_Write（）函数，是说给定一个写入的地址、数据和写入的个数，然后按照给定的地址开始写数据，注意红色字体。
写数据是怎么做的呢
首先是整理一下写入的页地址和需要写入多少页，每一页写入的话起始地址是什么
然后开始一页一页的写，当遇到跨页写入的时候，把第二页的地址写进去，写的个数继续写入就行
如果还有不明白的可以在下面留言，我给大家解答
还有一个地方很重要，就是我修改了库函数

1. /**
   
2.   * [url=home.php?mod=space&uid=247401]@brief[/url]  Programs a half word at a specified address.
   
3.   * [url=home.php?mod=space&uid=536309]@NOTE[/url]   This function can be used for all STM32F10x devices.
   
4.   * @param  Address: specifies the address to be programmed.
   
5.   * @param  Data: specifies the data to be programmed.
   
6.   * @retval FLASH Status: The returned value can be: FLASH_ERROR_PG,
   
7.   *         FLASH_ERROR_WRP, FLASH_COMPLETE or FLASH_TIMEOUT.
   
8.   */
   
9. 
   
10. FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)
    
11. 
    
12. {
    
13. 
    
14.         FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
    
15. 
    
16.   FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;
    
17. 
    
18.   /* Check the parameters */
    
19. 
    
20.   assert_param(IS_FLASH_ADDRESS(Address));
    
21. 
    
22. 
    
23. 
    
24. #ifdef STM32F10X_XL
    
25. 
    
26.   /* Wait for last operation to be completed */
    
27. 
    
28.   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    
29. 
    
30. 
    
31. 
    
32.   if(Address < FLASH_BANK1_END_ADDRESS)
    
33. 
    
34.   {
    
35. 
    
36.     if(status == FLASH_COMPLETE)
    
37. 
    
38.     {
    
39. 
    
40.       /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */
    
41. 
    
42.       FLASH->CR |= CR_PG_Set;
    
43. 
    
44. 
    
45. 
    
46.       *(__IO uint16_t*)Address = Data;
    
47. 
    
48.       /* Wait for last operation to be completed */
    
49. 
    
50.       status = FLASH_WaitForLastBank1Operation(ProgramTimeout);
    
51. 
    
52. 
    
53. 
    
54.       /* Disable the PG Bit */
    
55. 
    
56.       FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
    
57. 
    
58.     }
    
59. 
    
60.   }
    
61. 
    
62.   else
    
63. 
    
64.   {
    
65. 
    
66.     if(status == FLASH_COMPLETE)
    
67. 
    
68.     {
    
69. 
    
70.       /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */
    
71. 
    
72.       FLASH->CR2 |= CR_PG_Set;
    
73. 
    
74. 
    
75. 
    
76.       *(__IO uint16_t*)Address = Data;
    
77. 
    
78.       /* Wait for last operation to be completed */
    
79. 
    
80.       status = FLASH_WaitForLastBank2Operation(ProgramTimeout);
    
81. 
    
82. 
    
83. 
    
84.       /* Disable the PG Bit */
    
85. 
    
86.       FLASH->CR2 &= CR_PG_Reset;
    
87. 
    
88.     }
    
89. 
    
90.   }
    
91. 
    
92. #else
    
93. 
    
94.   /* Wait for last operation to be completed */
    
95. 
    
96.   status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
    
97. 
    
98. 
    
99. 
    
100.   if(status == FLASH_COMPLETE)
     
101. 
     
102.   {
     
103. 
     
104.     /* if the previous operation is completed, proceed to program the new data */
     
105. 
     
106.     FLASH->CR |= CR_PG_Set;
     
107. 
     
108. 
     
109. 
     
110.     *(__IO uint16_t*)Address = Data;
     
111. 
     
112.     /* Wait for last operation to be completed */
     
113. 
     
114.     status = FLASH_WaitForLastOperation(ProgramTimeout);
     
115. 
     
116. 
     
117. 
     
118.     /* Disable the PG Bit */
     
119. 
     
120.     FLASH->CR &= CR_PG_Reset;
     
121. 
     
122.   }
     
123. 
     
124. #endif  /* STM32F10X_XL */
     
125. 
     
126. 
     
127. 
     
128.   /* Return the Program Status */
     
129. 
     
130.   return status;
     
131. 
     
132. }
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大家能看出来吗?就是红色字体部分，增加了一个每次写入前清除所有异常状态。
为什么添加这个呢？
因为，如果你写入的数据的地址没有擦除，你就写入的话会导致异常状态的发生，而这个异常状态时要手动清除的，如果你没有清除这个异常状态，而继续写入数据的话，那么你后面写入任何数据都会报错，均写不进去，所以我在这里增加了一个异常状态清除，如果前面写入的数据报错了，不会影响我接下来的数据写入。
这里大家就清除为什么了吧。
写数据会了，那么再说一下读数据，其实这里读数据要比外部flash读取容易的多，我们直接读取地址，返回的就是地址存放的数据，是不是很简单
看下面的函数

1. 
   
2. //读取指定地址的半字(16位数据)
   
3. 
   
4. //faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
   
5. 
   
6. //返回值:对应数据.
   
7. 
   
8. u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
   
9. 
   
10. {
    
11. 
    
12.         return *(vu16*)faddr;
    
13. 
    
14. }
    
15. 
    
16. 
    
17. 
    
18. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    
19. 
    
20. //ReadAddr:起始地址
    
21. 
    
22. //pBuffer:数据指针
    
23. 
    
24. //NumToWrite:半字(16位)数
    
25. 
    
26. 
    
27. 
    
28. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)           
    
29. 
    
30. {
    
31. 
    
32.         u16 i;
    
33. 
    
34.         for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
35. 
    
36.         {
    
37. 
    
38.                 pBuffer=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
    
39. 
    
40.                 ReadAddr+=2;//偏移2个字节.        
    
41. 
    
42.         }
    
43. 
    
44. }
    

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有没有很开心，读写数据就是这么简单就完成了。

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作者：binoo7