芯片：STM32G474

问题1：内部通道Viefint Channel测量结果3400mV与实际万用表数据3300mV相差100mV？

使用__HAL_ADC_CALC_VREFANALOG_VOLTAGE获取测量结果。

为什么芯片内部测得电压高于实际电压，高出部分是如何产生的？

问题2：内部通道Vbat Channel测量结果3430mV与实际万用表数据3300mV相差130mV?

为什么芯片内部测得电压高于实际电压，高出部分是如何产生的？

问题3：内部通道Tempertature SensorChannel测量结果58℃与芯片表面实际温度38℃相差20℃？

使用__HAL_ADC_CALC_TEMPERATURE获取测量结果。

为什么芯片内部测得温度与实际温度相差巨大，高出部分是如何产生的？

1. ADC的測量結果通常與硬件和軟件息息相關。硬件保持電壓穩定。
2. 軟件部分注意ADC的校準以及采樣時間要充分。
估算VREF+的電壓公式中只有一個ADC内部參考電壓值是轉換過來的。 這個通道轉換是有時間要求的。如果轉換時間短，得到的值偏小，那麽自然計算結果就會偏大。
此外，内部溫度傳感器適合估算内部結溫的，本身半導體運行發熱，以及與外界隔著封裝，測量環境溫度就不合適。

给你些提示供参考：


1、这几个内部信号，都有最小采样时间的要求，其中Vbat的测量最少需要12us采样时间，其它两个为4~5us.
配置注意采样时间的合理配置。不影响整体性能情况下，尽可能将采样时间配置长点。


2、你说测得的内部Vrefint的结果为3400mv ,这就差太远了。它不可能到这个数。
它一般在1.2v左右。我刚才用手边G4开发板测量，结果为1.207v。


你好好确认下你的测量过程。我很好奇你是怎么用万用表测得到它的。


我也顺便测量VBAT的结果，我将VBAT与 板上3.3v相连，ADC测得的结果为3.304v。


没有什么偏差。


3、至于温度我也 测量 了。温度结果就没去计算了。对你来说先把第一步搞好，


把测量搞准。一步步来。


4、顺便提醒下 启动ADC前做下校准。保持系统供电稳定。

感谢您准确且非常针对性的回复，是我描述的不准确。我利用Vrefint的测量换算出VDDA的大小，实际测量的是VDDA的数值，两者相差100mV.

实际上我同时也测量了VBAT，电路上VBAT实际连接通过一个小电感到VDDA，这两者之间似乎有35mV的压差，此时读出的数据在3430mV，也许是采样时间设置的太小了 ，我晚些时候将采样时间放大看看结果。

butterflyspring 发表于 2023-7-28 11:10</p>
<ol>
<li>ADC的測量結果通常與硬件和軟件息息相關。硬件保持電壓穩定。</li>
<li>軟件部分注意ADC的校準以及采樣時間要 ...

非常感谢您的准确的回答，我的采样时间过小了，我将改善采样时间再试试。

再次感谢您耐心的解答。

感谢2位大神指点：

是采样时间过短影响了采样结果，当电压采样的结果趋于准确时，温度偏差也相应减小。

实际上3个问题归结于一个问题，合理的设置采样周期和采样时间可以得到准确的结果。

再次感谢2位，工作愉快！