21世纪初，随着电动汽车、太阳能电池等新能源行业的迅速崛起，半导体材料SiC因其高温、高压、高频等优异性能成为备受关注的研究热点。不过，在这个新兴领域，成本仍然是制约SiC产品普及的软肋，而大规模生产是实现降本的重要方法。为此，SiC巨头纷纷行动、跑马占地，一方面加大自身研发与制造投资，另一方面通过收购、联合等方式完成制造产业链的布局，以抢占市场高地。
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SiC、GaN、Si的性能比较

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ST也十分重视这样的契机，计划在2017—2024年间把SiC产能提高9倍。为此，在这方面的投资与合作非常活跃。EEPW记者简要梳理了ST近几年在SiC方面的重要收购和联合：

✦ 2019年，与Cree签署超5亿美元的SiC晶圆购买合同；

✦ 2019年，完成对瑞典SiC晶圆制造商Norstel AB的整体收购，实现内部量产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆；

✦ 2022年10月，ST宣布将在意大利卡西西里岛的卡塔尼亚建造一座价值7.3亿欧元（约8亿美元）的碳化硅衬底晶圆厂，预计2023年投产，可提供单晶的SiC晶棒和外延芯片及芯片制造业务；

✦ 2022年12月，ST宣布将与Soitec合作开发SiC衬**造技术，双方同意在未来的8英寸(200mm)SiC衬**造过程中引入Soitec的SmartSiC 技术；

✦ 2023年6月，ST和中国化合物半导体龙头企业三安光电签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸SiC器件合资制造厂。新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成。

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