
MCSDK不能启动电机???
MCSDK不能启动电机?
STM32H745启动与烧录问题
stm32H7 LTDC控制器 CLUT模式寄存器配置
STM32H750B-DK 板载STLINK 无程序
STM32CUBEMX最新版本6.14.1出现BUG
nucleo板子自带的stlinkv3坏了咋整
STM32H747 全新板子USB接口,插拔第一次连接的上,之后就再也连接不上。
STM32H747 的USB口,烧录程序就损坏。提示“NO DFU capable USB device available”
开发逆变器进行STM32学习,路径如何规划?
FLASH的编程宽度或粒度,8位,16位,32位或64位,对编程电压需求是不一样的。
例程里选择的就是FLASH_VOLTAGE_RANGE_4,像页擦除,bank擦除都该选择这个。该系列的参考手册里关于这点感觉不是很清晰,别的系列比方F4关于这点讲得更清晰些。
还有,就是你擦除的内容是否会影响到中断的正常处理,即擦除后使得中断服务程序没法完整
执行,没完没了的进中断?
一般来讲,被擦除的应该是目前闲置的代码或区域。
再就是注意系统供电稳定。
首先,谢谢你的即时回复!
嗯,我明白您的意思,我用的是STM32H723ZGt6的芯片,这个芯片有两个Bank(Bank1、Bank2),一共有8个扇区(sector0、sector1、sector2、sector3、sector4、sector5、sector6、sector7),每一个Bank有4个扇区,每个扇区有128kB的容量,我擦除的是第一个Back的sector3,我的程序就一个估计也就2k,怎么说都不可能和运行程序干涉呀?
请问这是什么问题呢?
同志!!!我知道哪里有问题了!!!
整个关于flash擦除的操作总共就没几条指令,于是就一个个参数改,总会瞎猫碰到死耗子,试了十几二十次总算是知道问题在哪了。
这是我原本的参数设置:EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
这是我改过后的:EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_4;
改成 EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_4 就可以了。
至于FLASH_VOLTAGE_RANGE_3和FLASH_VOLTAGE_RANGE_4有什么区别,不知道,程序跑通就行