
stm32H745 M4核不能调试和下载
stm32h745 调试问题
我想实现三对移相PWM(占空比为50%)输出,前两对是互补输出,用了TIM1的CH1/CH1N和CH2/CH2N。第三对用了TIM1的CH3和TIM8的CH2,类似于互补输出。需要以TIM1的CH1/CH1N为参考,其余两对怎样实现占空比不变,相移可调呢?另外TIM8的CH1和CH3的PWM需要输出高电平
cubemx导入模型后找不到keil找不到工程内的模型的相关文件
STM32H750使用FMC
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STM32H723 TIM1输出三相50%的占空比,TIM_CH3的输出上升沿略比TIM_CH1和TIM_CH2超前,这是哪里配置有问题吗
stm32h7 用pb3、pb4、pb5、pa15做spi3后,mx组态时debug里选择serial wire,程序里加了禁用jtag,spi3口不能工作
MCSDK不能启动电机?
STM32H745启动与烧录问题
FLASH的编程宽度或粒度,8位,16位,32位或64位,对编程电压需求是不一样的。
例程里选择的就是FLASH_VOLTAGE_RANGE_4,像页擦除,bank擦除都该选择这个。该系列的参考手册里关于这点感觉不是很清晰,别的系列比方F4关于这点讲得更清晰些。
还有,就是你擦除的内容是否会影响到中断的正常处理,即擦除后使得中断服务程序没法完整
执行,没完没了的进中断?
一般来讲,被擦除的应该是目前闲置的代码或区域。
再就是注意系统供电稳定。
首先,谢谢你的即时回复!
嗯,我明白您的意思,我用的是STM32H723ZGt6的芯片,这个芯片有两个Bank(Bank1、Bank2),一共有8个扇区(sector0、sector1、sector2、sector3、sector4、sector5、sector6、sector7),每一个Bank有4个扇区,每个扇区有128kB的容量,我擦除的是第一个Back的sector3,我的程序就一个估计也就2k,怎么说都不可能和运行程序干涉呀?
请问这是什么问题呢?
同志!!!我知道哪里有问题了!!!
整个关于flash擦除的操作总共就没几条指令,于是就一个个参数改,总会瞎猫碰到死耗子,试了十几二十次总算是知道问题在哪了。
这是我原本的参数设置:EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
这是我改过后的:EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_4;
改成 EraseInitStruct.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_4 就可以了。
至于FLASH_VOLTAGE_RANGE_3和FLASH_VOLTAGE_RANGE_4有什么区别,不知道,程序跑通就行