在main.c里面的while外面执行测试程序

void Simple_NAND_Test(void)
{
        memset(write_buf, 0x55, sizeof(write_buf));

        NAND_IDTypeDef nand_id={0};
        NAND_AddressTypeDef nand_addr;
        nand_addr.Block = 0;
        nand_addr.Page = 0;
        nand_addr.Plane = 0;
//
        HAL_NAND_Reset(&hnand1);

//
        HAL_NAND_Read_ID(&hnand1,&nand_id);
//  
        HAL_NAND_Erase_Block(&hnand1,&nand_addr);
//
        while(HAL_NAND_GetState(&hnand1) != HAL_NAND_STATE_READY);
//
        HAL_NAND_Write_Page_8b(&hnand1,&nand_addr,write_buf,1);

//      HAL_NAND_Read_Status(&hnand1);
        //NAND_WritePage(20,0,read_test);
//  
//      memset(write_buf, 0, sizeof(write_buf));
//
        HAL_NAND_Read_Page_8b(&hnand1,&nand_addr,read_test,1);
//      NAND_Read_Page_With_ECC(20,5,read_test);

}

执行出的结果全为0XFF

加延时函数试试

摩洛哥的制砖匠人 发表于 2026-3-18 08:48
加延时函数试试

不行，能读出ID，但是将数据写入的时候，

/ Get Data into Buffer / for (index = 0U; index < hnand->Config.PageSize; index++) { buff = (uint16_t *)deviceaddress; buff++; }

能看到寄存器的地址在变，但是后期读的时候就是读出来0XFF

Xa__ 发表于 2026-3-18 16:30
不行，能读出ID，但是将数据写入的时候，</p>
<p>/<em> Get Data into Buffer </em>/

[md]说明读没问题，出在写函数里面，可以减小写入数量，或者增加总线频率

摩洛哥的制砖匠人 发表于 2026-3-19 08:43
说明读没问题，出在写函数里面，可以减小写入数量，或者增加总线频率
...

写入一页4096个数据都不行，也尝试过往备用区写128个数据，读出来的都是0XFF，时钟总线频率180MHZ，应该不低了吧