本文为大家介绍STM32H7带的ITCM，DTCM，AXI SRAM，SRAM1，SRAM2，SRAM3，SRAM4和备份SRAM的基础知识。

& Q, S& y* H, ?' c
) x4 I+ O  F7 T上图可以方便识别总线所外挂的外设，共分为三个域：D1 Domain，D2 Domain和D3 Domain。

1、  ITCM和DTCM
0 u0 s6 S2 Y1 A# k, z1 l) R
- x5 l" \  U/ G! H7 n1 l" Z这两个是直连CPU的。

9 }$ k: h; l( j# e3 b+ ~, [2、  D1 Domain
1 q- Z* q) O) T2 n; m
D1域中的各个外设是挂在64位A**线组成6*7的矩阵上。
: T9 }, m' m, j; q5 L. O' p4 n+ P
6个从接口端ASIB1到ASIB6，外接的主控是LTDC，DMA2D，MDMA，SDMMC1，AXIM和D2-to-D1 AHB 总线。

0 ]4 D& Y2 `0 x! E- ~7个主接口端AMIB1到AMIB7，外接的从设备是AHB3总线，Flash A，Flash B，FMC总线，QSPI和AXI SRAM。另外AHB3也是由A**线分支出来的，然后再由AHB3分支出APB3总线。
( Z# B8 n7 @- @, J
, `0 J9 M" V- F5 b$ j3、  D2 Domain
; [. V& ^0 w  O5 W
& }2 _7 |4 \1 v  eD2域的各个外设是挂在32位AHB总线组成10*9的矩阵上。

10个从接口，外接的主控是D1-to-D2 AHB 总线，AHBP总线，DMA1，DMA2，Ethernet MAC，SDMMC2，USB HS1和USB HS2。
5 G% u* \% D: F* z
  T: D" r% j! B9个主接口，外接的从设备是SRAM1，SRMA2，SRAM3，AHB1，AHB2，APB1，APB2，D2-to-D1 AHB总线和D2-to-D3 AHB总线。

4、  D3 Domain

D3域的各个外设是挂在32位AHB总线组成3*2的矩阵上。
5 h7 P. [# U5 |4 e' V1 v0 n
3个从接口，外接的主控D1-to-D3 AHB总线，D2-to-D3 AHB总线和BDMA。

2个主接口，外接的从设备是AHB4，SRAM4和Bckp SRAM。另外AHB4也是这个总线矩阵分支出来的，然后再由AHB4分支出APB4总线

! P6 W1 Q+ @3 L2 u**各块RAM特性**

# t9 O2 ^. W) k1 e3 {* S/ @各块RAM的特性对比如下，特别注意他们支持的最大速度和容量大小。
: H$ D# `+ x$ |" F; K; O- b  i) d7 n
- O" i/ H# ~  o' }# h**TCM区**

TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM用于运行指令，也就是程序代码，DTCM用于数据存取，特点是跟内核速度一样，而片上RAM的速度基本都达不到这个速度，所以有降频处理。
/ z6 i0 y7 X' Z% J
速度：400MHz。DTCM地址：0x2000 0000，大小128KB。ITCM地址：0x0000 0000，大小64KB。

- v8 E! @3 c- w- p; C- m- j**AXI SRAM区**
& f$ n; ]" K# E+ a3 Y# S
+ E7 R7 {- V2 {1 V3 }( T% T位于D1域，数据带宽是64bit，挂在A**线上。除了D3域中的BDMB主控不能访问，其它都可以访问此RAM区。
5 R1 _6 w- @3 E+ ^
  q% ?2 c; B7 t* x+ b速度：200MHz。地址：0x2400 0000，大小512KB。用途：用途不限，可以用于用户应用数据存储或者LCD显存。

! m, k% B" I6 _* s8 c) M**SRAM1，SRAM2和SRAM3区**

: R; @: w* d  p2 G* G5 s" y4 }9 J9 s位于D2域，数据带宽是32bit，挂在AHB总线上。除了D3域中的BDMB主控不能访问这三块SRAM，其它都可以访问这几个RAM区。

速度：200MHz。

$ U" [3 U8 r+ u1 p' u, x, b- ~SRAM1：地址0x3000 0000，大小128KB，用途不限，可用于D2域中的DMA缓冲，也可以当D1域断电后用于运行程序代码。
- c3 D" z; t* t0 Y, H) Z7 K# q# P
SRAM2：地址0x3002 0000，大小128KB，用途不限，可用于D2域中的DMA缓冲，也可以用于用户数据存取。
6 A8 Y! m/ K# ^" c7 ~( u4 k$ ^
SRAM3：地址0x3004 0000，大小32KB，用途不限，主要用于以太网和USB的缓冲。
. x& B* e8 _: O( q* `9 E
1 U$ s& e8 o& t  K; x**SRAM4区**

位于D3域，数据带宽是32bit，挂在AHB总线上，大部分主控都能访这块SRAM区。
# D7 _$ A* F: b
速度：200MHz。
" k% m6 ^5 ^& z
8 ?5 a6 n. i, b地址：0x3800 0000，大小64KB。
" @( t: ?( i- z' \" h% P$ D0 g
! d" V# ?& h8 L) K+ i  L用途：用途不限，可以用于D3域中的DMA缓冲，也可以当D1和D2域进入DStandby待机方式后，继续保存用户数据。
; {; I* k4 s/ T) H1 V1 n
**Backup SRAM区**
# f  |3 j8 k/ U, t8 H
0 c& ]# ]$ V: E% j( J备份RAM区，位于D3域，数据带宽是32bit，挂在AHB总线上，大部分主控都能访问这块SRAM区。

/ v" V5 r1 q- _6 b( R+ {速度：200MHz。
& q( k2 f& Q; D) H( I
地址：0x3880 0000，大小4KB。

用途：用途不限，主要用于系统进入低功耗模式后，继续保存数据（Vbat引脚外接电池）。

RAM的时钟问题

5 {) E1 ?  L1 q* Y1 e正常情况下，系统上电后，CPU要访问的外设是需要使能对应的时钟位，但是下面这几个，CPU上电即可访问，而且芯片没有对应的寄存器使能位。
8 h" B0 X1 ?9 H

也就是说AXI SRAM，SRAM4，ITCM和DTCM可以在上电后直接使用。而SRAM1，SRAM2，SRAM3是需要使能的，但是实际测试发现，不使能也可以正常使用。不过，建议用到时候开启下时钟，防止意想不到的问题发生。
! Z4 j% O- b; i$ l
- l$ s& c6 I+ e/ x8 v( l**RAM的DMA问题**
$ l& w8 A+ m7 F* w+ ]$ D: ?2 Q
先看下面的Bus Master总线主控端和Bus Slave设备端的控制互联：
8 ]$ I. n/ {9 k& [  v
! W1 t* x1 d' u
加粗字体是64位总线（ITCM，DTCM，Flash A，Flash，AXI SRAM，FMC等），普通字体是32位总线。
. w" b9 }2 i0 T: l访问通路（每个小方块里面的字符）
任何有数字的表示有访问通路。
短横杠“-”表示不可访问。
有灰色阴影的表示有实用价值的访问通路。
* f( `9 |, o9 p9 X' w表格中具体数值所代表的含义
D=direct,
1=via AXI bus matrix,
2=via AHB bus matrix in D2,
3 Z0 W4 ?! C) \+ n1 N/ U3=via AHB bus matrix in D3,
4=via AHB/APB bridge in D1,
5=via AHB/APB bridge in D2,
6=via AHB/APB bridge in D3,
. ~2 Y% e: V- k9 f7=via AHBS bus of Cortex-M7,
+ J% J( k$ R4 S) M) @: s+ Q* G
多个数值组合 = 互连路径以数字的顺序经过多个矩阵或/和桥。
; J6 c- O! n' S5 }! g: r
& I: r9 l0 ^) `. V5 t6 m总线访问类型
' T5 g( E7 M1 }1 Q7 u
普通字体表示32位总线。

& m" G  f  c! G2 p- y* [1 I! K斜体表示32位总线主机端/ 64位总线从机端。
% K7 Y- O6 K0 R2 J
粗体表示64位总线。
' y( E5 O/ s3 c9 d: |7 A
通过这个总线互联图，要了解到下面三个重要知识点：

+ C9 |! W1 h# F* M  H8 z5 c. u! lDTCM和ITCM不支持DMA1，DMA2和BDMA，仅支持MDMA。
; C$ y/ d" q0 Q& c
AXI SRAM，SRAM1，SRAM2，SRAM3不支持BDMA，支持MDMA，DMA1和DMA2。
) j* ]* ^0 s2 C- d7 a
SRAM4支持所有DMA，即MDMA，DMA1，DMA2和BDMA。
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