STM32F103RET6 FLASH擦除失败问题

oh1 提问时间：2025-6-19 15:48 / 未解决

问答
是否解决:	未解决

MCU是STM32F103RET6，512K大容量型，我现在程序内进行掉电存储，用到的地址是第224页到254页，共60kb，芯片上电后第一次擦除是成功的，然后写入一次数据，再读出数据是对的，之后芯片不掉电，再进行擦除会出现擦不掉的情况，但是FLASH->SR寄存器未起任何异常状态，只有一个EOP置位。如果只是擦除->写入->擦除，中间不进行读的操作就可以正常擦除。

擦除代码如下

/ 状态寄存器标志位 /

define FLASH_FLAG_BSY ((uint32_t)0x00000001) // 忙标志

define FLASH_FLAG_PGERR ((uint32_t)0x00000004) // 编程错误

define FLASH_FLAG_WRPERR ((uint32_t)0x00000010) // 写保护错误

define FLASH_FLAG_EOP ((uint32_t)0x00000020) // 操作结束

void Flash_ErasePage( u32 Address ) { u8 rRetry = 0; u32 rDat = 0; __disable_irq(); // 禁止中断 rFlashRetry: FLASH->KEYR.FlashProgramAndEraseControllerKey_W = FLASH_KEY1; FLASH->KEYR.FlashProgramAndEraseControllerKey_W = FLASH_KEY2; // 解锁

FLASH->SR.All = FLASH_FLAG_WRPERR|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_EOP;

while( FLASH->SR.Busy_R == TRUE );  // 忙时卡住
    FLASH->CR.PageErase_RW = ENABLE;
    FLASH->AR.Address_W = (u32)Address;

FLASH->CR.Strat = ENABLE;
    while( FLASH->SR.Busy_R == TRUE );  // 忙时卡住
    FLASH->CR.Strat = DISABLE;
    FLASH->CR.PageErase_RW = DISABLE;   //禁能操作，恢复现场
    FLASH->CR.LockOnlyCanWriteOne_RW = 1;  // 锁定操作

rDat = *((volatile u32 *)Address);

if(rDat != 0xffffffff)
    {
        if(++rRetry < 10)
    {
        goto rFlashRetry;
    }
  }

__enable_irq();

}

写入代码如下

FLASH->KEYR.FlashProgramAndEraseControllerKey_W = FLASH_KEY1; FLASH->KEYR.FlashProgramAndEraseControllerKey_W = FLASH_KEY2; // 解锁 FLASH->CR.Programming_RW = ENABLE; // 编程使能

while (FLASH->SR.Busy_R);

for( u8 tmp = 0;tmp<8;tmp++) { if ((uint32_t)&HighDensity_FlashPage(PreFlashPageStart)->IndexLen16[pWriteToFlash] % 2 != 0) { my_log("地址未对齐！\n");//回复错误 break; } HighDensity_FlashPage(PreFlashPageStart)->IndexLen16[pWriteToFlash] = cflashBuffer1[tmp]; pWriteToFlash ++; while( FLASH->SR.Busy_R == 1 ); }

FLASH->CR.Programming_RW = DISABLE; // 编程禁能 FLASH->CR.LockOnlyCanWriteOne_RW = 1; // 锁定操作

读取代码如下

typedef union { u8 IndexLen8[2048]; // 可正常读出，不可写入 u16 IndexLen16[1024]; // 1024个16位 u32 IndexLen32[512]; }_Flash_High_Density_TypeDef;

define HighDensity_FlashPage(x) ((_Flash_High_Density_TypeDef ) (0x08000000+x0x800))

void Flash_Read(u8* pBuffer,u16 ReadPag,u16 NumByteToRead) { u16 i = 0;

if(ReadPag>255)return;
    if(NumByteToRead>2048)return;

for(i=0;i<NumByteToRead;i++)
    {
        pBuffer[i] = HighDensity_FlashPage(ReadPag)->IndexLen8[i];
    }

}

赞收藏评论3 发布时间：2025-6-19 15:48

3个回答

xmshao 回答时间：6 天前

给些提醒供参考：
1、保证擦除过程中供电稳定；
2、保证基本地址、页码参数正确，你现在共擦除的是31页吧；
3、严格按照擦除流程来，以SR_BSY位为0时表示擦除结束；

● Check that no Flash memory operation is ongoing by checking the BSY bit in the
FLASH_CR register
● Set the PER bit in the FLASH_CR register
● Program the FLASH_AR register to select a page to erase
● Set the STRT bit in the FLASH_CR register
● Wait for the BSY bit to be reset
● Read the erased page and verify

原则上要求将所有擦除区域再检查一遍，

即确认是否每个位置都成功擦除了。如果发现有未成功擦除的，得重新擦除。

至于EOP，每次成功编程或擦除完成后它都会被置1.

其实，你可以简化下，就针对某一页进行擦除来检验是否代码实现上有问题。

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oh1 回答时间：5 天前

xmshao 发表于 2025-6-19 17:07
给些提醒供参考：
1、保证擦除过程中供电稳定；
2、保证基本地址、页码参数正确，你现在共擦除的是31页吧； ...

我做了检测确实有时候擦除不成功，并且做了重试，擦除步骤是：解锁->清除标志->查询busy->执行擦除->查询busy->上锁->读出校验->不成功重新擦除(重试100次)

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xmshao 回答时间：5 天前

oh1 发表于 2025-6-20 10:32
我做了检测确实有时候擦除不成功，并且做了重试，擦除步骤是：解锁->清除标志->查询busy->执行擦除-> ...

[md]ok

一般来讲，读操作是不会影响编程或擦除结果的。注意，擦除时供电足且稳定。