在 STM32CubeIDE 中正确设置 STM32F103C8T6 的 Flash 容量
咨询下,新项目打算用STM32F103的USB与工控机或PAD进行通讯,问题如下
STM32F103 串口下载ST Flash Loader Demo
请问一下STM32F103C8T6的Hardwar NSS Output ENABLE后cs持续拉低是为什么
foc2.0函数SVPWM_3ShuntCalcDutyCycles看不明白
F103的IIC支持高速400K频率吗?
STM32F103RCT6断电以后,ADC会漏电
无源晶振开关电路设计
要在STM32F103C8T6上实现TIM+DMA+ADC采集电压,cubemx配置为什么,代码怎么写
PCF8563(RTC)读取时间有误
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解决了,问题是VDD / VDDA 掉电“不同步” 现象:VDDA 负载轻→掉电比 VDD 慢,内部“VBAT 开关”仍由 VDDA 侧的 PDR 电路控制;当 VDD 已掉到 0 V 而 VDDA 还高于 ~1.6 V 时,开关来不及切到 VBAT,RTC/LSE 瞬间断电,导致停振+数据归零。 判定:用示波器两通道同时量 VDD、VDDA,看掉电时差;若 > 0.5 ms 基本可确认。 解决: 原理图上把 VDD 与 VDDA 用 0 Ω 电阻或磁珠直接连在一起,保证同源、同时掉电; 如果 ADC 需要干净 VDDA,可在磁珠后加 1 µF + 100 nF 去耦,但绝不能把 VDDA 单独接基准源而 VDD 先掉。
其次考虑一下软件设置,可以才官方的评估版上验证一下。
貌似是软件问题
这块板打了三个版本的样板,MCU外围的最小系统电路没做过修改,走线什么的一模一样,然后器件也是一致的;烧录同一程序,只有在初版上是正常的,后面两个版本就出现这个问题,主电源掉电后会导致低速晶振不起振,检测了他们MUC的VBAT引脚的电平也是正常的。
会不会刚好晶振的参数或芯片的参数都在边缘部分,也就是裕量不足。
我看到AN2867手册里保证起振的其中一个条件是g值小于5倍以上的裕量。
太好了!终于找到原因了。
这样小伙伴以后对电源和Vbat 设计有更深的了解了。
[md]学习到了