为低压功率器件树立新的性能基准

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STripFET F8技术在功率MOSFET的性能方面实现了重大提升。通过显著降低内部电容和栅极电荷，这一全新的40V 和100V 器件系列实现了更低的开关损耗和更高的整体转换效率。

利用这一基础 ，全新的Smart STripFET F8系列 经过专门设计，旨在优化导通性能和硅片面积。

该系列的首款器件是STL059N4S8AG ，这是一款高性能功率MOSFET，导通电阻R~ds~~(on)~ 低至0.59mΩ，并封装在寄生参数低、占用空间小的PowerFLAT（5×6mm）封装中。

探索首款40V智能STripFET F8

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STL059N4S8AG：面向汽车配电领域的超低损耗

得益于R~ds~~(on)~ =0.59mΩ 的超低导通电阻，STL059N4S8AG 在导通和开关效率方面树立了新的基准。它专为恶劣工况设计，已通过AEC-Q101认证 ，适用于汽车应用，并支持175°C的最高结温 。凭借其优异的散热性能、低导通损耗以及紧凑的封装，该器件特别适合电池管理系统（BMS） 、大电流配电 和固态继电器 等大电流应用。

利用eDSim提升设计效率

eDSim可为STripFET F8 MOSFET系列提供支持，并为SMPS和模拟IC提供快捷可靠的电气模拟功能。该工具性能强大，能够帮助用户设计和优化汽车系统，并确保将其无缝集成并有效应用于各个汽车应用领域。

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链接：

https://www.st.com.cn/content/st_com/zh/campaigns/stripfet-f8-n-channel-low-voltage-power-mosfets-for-automotive-applications.html