• 内置主动米勒钳位的全新3A驱动器，可提升充电站、储能系统、感应加热、驱动和自动化应用的效率

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意法半导体（STMicroelectronics）扩展了STGAP3S栅极驱动器系列，该系列采用增强型电隔离设计，提升可靠性；此次推出的是一款高效且经济的3A驱动能力产品，适用于需要较低驱动电流的电路。新产品STGAP3S3S针对碳化硅（SiC）MOSFET进行了优化，而STGAP3S3IF则适用于IGBT。

所有STGAP3S驱动器均可在高达1200V的高压母线电路中工作，适用于功率因数校正（PFC）、电源、DC/DC转换器和逆变器等应用。包括UL 1577和IEC 60747-17在内的国际安全与绝缘认证，独立验证了其强隔离性能、安全运行能力以及在高电压下长期可靠的表现。典型应用包括充电站、储能系统（ESS）、太阳能逆变器、叉车等工业电动车、感应加热设备，以及通用驱动、泵和风机等。

意法半导体先进的加强绝缘隔离技术可保护功率级电路免受高达9.6kV的瞬态干扰，并确保高达200V/ns的共模瞬态抗扰度（CMTI）。该系列包含三种驱动能力版本，分别可提供最高10A、6A和新增加的3A灌/拉电流能力，每种版本均配有针对IGBT和碳化硅MOSFET优化的型号。

全新的STGAP3S3系列具有3A驱动能力，集成主动米勒钳位功能，包括钳位MOSFET，可防止功率开关发生不希望的感应导通，从而避免直通电流。集成MOSFET可节省PCB空间、简化电路设计并降低物料清单成本，同时在高达3A的栅极驱动条件下仍能提供合适的钳位性能。6A的STGAP3S6和10A的STGAP3SX系列则内置用于外部MOSFET的预驱动器，可在高栅极驱动电流系统中为钳位速度优化提供更大的灵活性。

所有STGAP3S驱动器都具备去饱和检测和软关断功能，以确保电压和电流的受控转换，从而在危险的过载或短路情况下保护功率开关。6A和10A驱动器，以及面向SiC MOSFET的新款3A驱动器，允许设计人员连接外部电阻，以优化软关断速度。

所有器件都配有诊断引脚，可指示去饱和保护、欠压锁定（UVLO）和过热关断是否处于激活状态。驱动器支持负栅极电压，可进一步增强对误导通的抑制，在故障关断期间保护器件，并确保在正常关断过程中实现稳健开关且无振铃。

每款STGAP3S驱动器都提供评估板，包括最新的3A型号。这两款评估板EVLSTGAP3S3S和EVLSTGAP3S3IF均为半桥板，已预先配置好保护功能，并提供测试点和诊断LED以辅助开发。

完整的STGAP3S系列现已量产，可用于驱动IGBT和SiC MOSFET，包括STGAP3S3、STGAP3S6和STGAP3SX系列。该系列器件采用SO16W宽体封装。

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https://www.st.com.cn/content/st_com/zh/campaigns/advanced-galvanic-isolated-gate-drivers-asp-mcmotdri.html