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摘要 本文是一份全面指南,指导您如何在STM32N6 Nucleo和Discovery开发板上测量功耗。文章详细介绍了STM32N6的多电源域架构及其对功耗的影响,帮助您识别测量点,并通过简单的开发板改造实现精准的电流检测。同时,您还将了解如何使用数字万用表,或STLINK-V3PWR配合STM32CubeMonitor-PWR软件进行精确的功耗分析。 文章列出了必要的先决条件、详细的分步说明和重要提示,确保您能够自信从容地优化设计的能效表现。如需深入了解技术细节,请参阅文末随附的文档和支持资源。 简介 STM32N6微控制器拥有多个电源域,每个域在系统运行中都有特定用途。主要电源(加粗标示)如下:
下图(摘自RM0486)展示了电源架构及各个域的内外部连接关系。
对于开发人员,尤其是面向能耗敏感型应用时,理解功耗至关重要。第一步是熟悉电源架构及其与设计的相关性。两大关键因素会显著影响功耗:
例如,可将VDDCore设置为过驱动模式以提升性能。虽然这会增加电压和功耗,但能让MCU以更高的频率运行。 1.测量Nucleo和Discovery开发板上的功耗 STM32N6的Nucleo和Discovery开发板默认将VDD域设为3.3 V。请注意,数据手册中提供的电流消耗值是基于VDD = 1.8 V条件下测得的,因此开发板上进行的功耗测量值与数据手册中的值不会直接对应——较高的VDD电压 (3.3 V) 会导致功耗增加。 默认情况下,Nucleo和Discovery开发板为通用设计,但只需简单修改即可用于功耗测量。要测量各电源轨的功耗,您需要对开发板进行修改。本指南将引导您完成修改步骤,实现精准的功耗测量。 2.先决条件 开始测量STM32N6 Nucleo和Discovery开发板上的功耗之前,请准备好以下工具和文档: 2.1 工具
2.2 文档 以下文档对于理解开发板架构和顺利执行修改至关重要。开始操作之前,请务必仔细查阅。
3.STM32N6电源架构 Nucleo和Discovery开发板具有相似的电源架构。Discovery开发板上还有一些附加功能,例如SD卡、MEMS麦克风和额外的开关。 您可以按如下方式选择每个开发板上的电源:
两款开发板可用的电源选项如下:
默认情况下,MCU电源配置为外部SMPS。 以下电源在两款开发板上均可用,且可进行测量:
注意: 如果不确定这些电源之间的差异或连接方式,请参考原理图 或硬件开发指南 以获取更详细的说明。这类资源可为您提供有关开发板电源架构及其与MCU关系的深入见解。 另请注意,备份域的电流无法直接测量,但可在数据手册表45中找到其在VBAT模式下的电流消耗值。 4.识别测量点 要测量功耗,需找到开发板上相应的测量点。 请参阅原理图和用户手册以获取指导:
通过原理图可了解为何必须移除某些电阻才能进行功耗测量。例如,插头上的引脚1和2通过电阻连接,需要先拆下该电阻,才能插入测量工具。 Discovery开发板CN2测量点示意图:
Nucleo开发板CN12测量点示意图:
Nucleo开发板CN12原理图
5. 修改开发板以进行测量 要测量STM32N6 Nucleo或Discovery开发板上的功耗,需移除特定的电阻来修改硬件(若使用STLINK-V3PWR,还需移除电容)。让我们以测量CN2 (Discovery) 和CN12 (Nucleo) 连接器的引脚1和2 上的功耗为例进行说明。 Discovery 开发板修改:
Nucleo 开发板修改:
5.1 示例:测量引脚1和2的功耗(外部SMPS输入电流)
对于Discovery开发板,移除R23 。
6. 执行测量 6.1 数字万用表
6.2STLINK-V3PWR与STM32CubeMonitor-PWR
单击“START ACQUISITION(开始采集)” 以开始记录电流测量值。 在仪表板上监测实时电流图表和数值。
保存数据(可选): 使用保存或导出选项,保存您的测量数据以便后续分析。 7. 对其他电源重复上述步骤 对于其他电源轨,请遵循相同的流程:
8. 重要说明
总结 精准测量STM32N6 Nucleo和Discovery开发板的功耗,是优化能效和验证设计性能的关键一步。本指南详细介绍了电源架构、开发板修改,以及使用数字万用表或STLINK-V3PWR等工具进行测量的技巧,助您轻松上手。 有关电源域或原理图连接的更多详细信息,请参阅用户手册、数据手册或原理图。 这类资源对于理解开发板设计的细微差别和确保准确测量具有非常宝贵的参考价值。 如果您遇到问题或需要其他支持,欢迎访问我们的知识库,或通过此链接联系我们的技术支持团队。希望本指南能简化您的开发流程,助您高效达成设计目标。 相关链接
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