STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   
2. 
   / p5 m  l( t  A: U) q" k
3. #define  TITLE_SIZE    80
   5 j2 \0 b- A/ K2 D1 {
4. #define  TITLE_KEY     1
   
5. #define  POINT_KEY     2
   
6. 
   7 s' c- ?2 P  q  L4 |7 W, V* K3 |
7. typedef  struct  {
   / l0 L2 m" A% H  ?: u
8.         float  x ;
   ; i/ Z1 S4 _; p. @: Y. {# m+ l
9.         float  y ;
   
10.         float  z ;
    / N, j8 e9 i- R
11. }  Point ;
    
12. 
    
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    % G$ P# K1 m$ L$ ]5 p+ s( M
14. Point  point ;

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+ ]" ^0 n' V" m0 G( ^

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   $ \9 O2 ~5 ?7 K1 {; v
2. 
   
3. 
   5 R* z& c0 E1 H- V
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   
5. 
   9 L/ [, d0 L& K7 ]9 L9 |
6. 
   ! M7 u9 |% `# y. X
7. EE_Init ( ) ;
   * i/ L0 O+ J. s! C& D/ ]/ s
8. 
   ) t! z$ q  |5 [  T6 ]. T
9. 
   * F5 F1 |  z% o. T* I
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    . K; w; \% k: [- c, @% S" C, S
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    
12. 
    / ~- M/ Q# m7 ?* b, y7 ~* k
13. 
    " @# D- V4 \6 T! F2 [* B! D
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

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　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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