STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   7 L  W% t9 d1 B+ w# G
2. 
   ; y9 F9 O/ U! D3 Q7 Z0 J
3. #define  TITLE_SIZE    80
   & w# ]0 ]1 m1 K0 F, a* |
4. #define  TITLE_KEY     1
   
5. #define  POINT_KEY     2
   $ ]6 m! X/ x$ h3 B% L+ B5 \  v1 [) X
6. 
   8 k8 E7 H# B! }) x6 K7 @
7. typedef  struct  {
   
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   ) K- @9 Y. s( {9 K0 P
10.         float  z ;
    
11. }  Point ;
    2 m8 p$ {: I1 u- J" r
12. 
    " X5 ~; o! O2 U9 Q( S0 \
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    
14. Point  point ;

复制代码

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   
2. 
   
3. 
   
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   
5. 
   4 }- h+ e, F/ v& t5 t; f( v' q
6. 
   
7. EE_Init ( ) ;
   
8. 
   % D) u6 w! U+ t' L1 t: j
9. 
   + S( A( u, }$ P0 W+ d
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    " M# Q3 ^5 w  _
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    ; P6 P& O* A5 a- r
12. 
    $ v) R, Z. K$ @( r% Z" |6 G, p
13. 
    $ x3 I- B9 t* c0 w& s' v9 i/ @
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

复制代码

　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

复制代码

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