STM32F10x芯片本身没有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash来模拟EEPROM。Flash与EEPROM的区别主要是：一、EEPROM可以按位擦写，而Flash只能按块（页）擦除；二、Flash的擦除寿命约1 万次，较EEPROM低一个量级。范例在保存修改的数据时，以写入新数据来替代对原数据的修改，并使用两个页面轮流写入，单页写满后进行数据迁移，再一次性擦除旧页面。这个策略可以有效降低Flash擦除次数。

不过，范例代码只能保存固定大小的数据（16bits），虽然容易改成不同的固定大小，但实际用起来还是很不方便。我改写了一下，新的特性包括：

• 支持不同大小数据（字符数组、结构体等）的混合存储；
• 增加对数据的校验和（Checksum）检查。
  

　　附件提供了源码。使用方法很简单，比如要保存一个字符数组 title 和一个 point 结构体：

1. #include  "eeprom.h"
   
2. 
   $ f' n# D/ |. ~% {6 t! R  U
3. #define  TITLE_SIZE    80
   & u0 h/ `* N! L( ]1 P1 Q( d
4. #define  TITLE_KEY     1
   5 `+ J. [) p% p9 K- C
5. #define  POINT_KEY     2
   
6. 
   
7. typedef  struct  {
   
8.         float  x ;
   
9.         float  y ;
   
10.         float  z ;
    8 r# ^$ _. u# r- U! I
11. }  Point ;
    
12. 
    " ]% l, t% S2 A6 }+ |
13. char  title [ TITLE_SIZE ]  =  "eeprom test string." ;
    - t4 \- _. k5 b0 T" _: Y9 U# e: M; |' r
14. Point  point ;

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4 }( Q) w9 c5 j8 Y

执行必要的初始化操作后，就可以进行写入和读取：

1. uint16_t  result  =  0 ;
   % R$ I2 H1 n) F+ T
2. 
   
3. 
   
4. FLASH_Unlock ( ) ;
   7 z" r8 y: |8 \1 s2 [1 M, V+ \
5. 
   
6. 
   % u" k9 `: j% R1 `
7. EE_Init ( ) ;
   0 {2 }4 D9 ~3 U
8. 
   
9. 
   . f( E) O2 b9 o
10. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( TITLE_KEY ,  title ,  TITLE_SIZE ) ;
    5 r1 l3 P& |7 U! L. R
11. result  =  memcpy_to_eeprom_with_checksum ( POINT_KEY ,  & point ,  sizeof ( point )) ;
    ) o" u  g0 w' \
12. 
    
13. 
    ' v! g' F# g9 ?1 `, \9 w- x
14. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( title ,  TITLE_KEY ,  TITLE_SIZE ) ;
    ' V6 W. M3 ?7 t
15. result  =  memcpy_from_eeprom_with_checksum ( & point ,  POINT_KEY ,  sizeof ( point )) ;

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　　实现混合存储的办法，是给每个变量附加8字节的控制信息。因此，在存储小数据时会有较大的空间损耗，而在存储较大的数据结构时空间利用率更高（相对于范例）。代码是针对STM32F103VE的实现。不同芯片需要对应修改头文件中 EEPROM_START_ADDRESS 的定义：

: J/ ?# ^$ s# a

1. #define  EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x0807F000)

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+ L4 C6 J6 u+ P  R6 f0 o
4 d1 H6 A) }4 ^  X' n