最新在用STM32F030 因为没有外部存储设备，现在用的是芯片的FLASH来当存储，现在遇到的问题是刷一次程序后，第一次读取可以读取到，当第二次或者多次写入或者擦除的时候读取不到数据，这种情况是为什么啊？很疑惑，看正点原子和野火 都可以，但是实际用的时候不知道为什么只能读取一次正确的数据，剩下的读取到的都是FF FF

1. #include "stmflash.h"
   
2. #include "delay.h"
   
3. //#include "usart.h"
   
4. 
   
5. 
   
6. 
   
7. //读取指定地址的半字(16位数据)
   
8. //faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
   
9. //返回值:对应数据.
   
10. 
    
11. uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr)
    
12. {
    
13.         return *(uint16_t*)faddr;
    
14. }
    
15. #if STM32_FLASH_WREN        //如果使能了写   
    
16. //不检查的写入
    
17. //WriteAddr:起始地址
    
18. //pBuffer:数据指针
    
19. //NumToWrite:半字(16位)数   
    
20. void STMFLASH_Write_NoCheck(uint32_t WriteAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToWrite)   
    
21. {                                           
    
22.         uint16_t i;
    
23.         for(i=0;i<NumToWrite;i++)
    
24.         {
    
25.                   FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
    
26.             WriteAddr+=2;//地址增加2.
    
27.         }  
    
28. }
    
29. //从指定地址开始写入指定长度的数据
    
30. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
    
31. //pBuffer:数据指针
    
32. //NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
    
33. #if STM32_FLASH_SIZE<256
    
34. #define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
    
35. #else
    
36. #define STM_SECTOR_SIZE        2048
    
37. #endif                 
    
38. uint16_t STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
    
39. void STMFLASH_Write(uint32_t WriteAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToWrite)       
    
40. {
    
41.         uint32_t secpos;           //扇区地址
    
42.         uint16_t secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
    
43.         uint16_t secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
    
44.         uint16_t i;   
    
45.         uint32_t offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
    
46.         if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
    
47.         FLASH_Unlock();                                                //解锁
    
48.         offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
    
49.         secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    
50.         secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    
51.         secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
    
52.         if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
    
53.         while(1)
    
54.         {       
    
55.                 STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
    
56.                 for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
    
57.                 {
    
58.                         if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
    
59.                 }
    
60.                 if(i<secremain)//需要擦除
    
61.                 {
    
62.                         FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
    
63.                         for(i=0;i<secremain;i++)//复制
    
64.                         {
    
65.                                 STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];          
    
66.                         }
    
67.                         STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
    
68.                 }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
    
69.                 if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
    
70.                 else//写入未结束
    
71.                 {
    
72.                         secpos++;                                //扇区地址增1
    
73.                         secoff=0;                                //偏移位置为0          
    
74.                            pBuffer+=secremain;          //指针偏移
    
75.                         WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
    
76.                            NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
    
77.                         if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
    
78.                         else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
    
79.                 }         
    
80.         };       
    
81.         FLASH_Lock();//上锁
    
82. }
    
83. #endif
    
84. 
    
85. //从指定地址开始读出指定长度的数据
    
86. //ReadAddr:起始地址
    
87. //pBuffer:数据指针
    
88. //NumToWrite:半字(16位)数
    
89. void STMFLASH_Read(uint32_t ReadAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToRead)          
    
90. {
    
91.         uint16_t i;
    
92.         for(i=0;i<NumToRead;i++)
    
93.         {
    
94.                 pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
    
95.                 ReadAddr+=2;//偏移2个字节.       
    
96.         }
    
97. }
    
98. 
    
99. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    
100. //WriteAddr:起始地址
     
101. //WriteData:要写入的数据
     
102. void Test_Write(uint32_t WriteAddr,uint16_t WriteData)          
     
103. {
     
104.         STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
     
105. }
     
106. 
     
107. 
     
108. 
     
109. 
     
110. 
     
111. 
     
112. 
     
113. 
     
114. 
     
115. 
     
116. 
     
117. 
     
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120. 
     
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butterflyspring 发表于 2020-10-20 16:47
检查一下  FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);中有没有等待操作完成的判断。

FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)
{
  FLASH_Status status = FLASH_COMPLETE;

  /* Check the parameters */
  assert_param(IS_FLASH_PROGRAM_ADDRESS(Address));

  /* Wait for last operation to be completed */
  status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);
  
  if(status == FLASH_COMPLETE)
  {
    /* If the previous operation is completed, proceed to program the new data */
    FLASH->CR |= FLASH_CR_PG;
  
    *(__IO uint16_t*)Address = Data;

    /* Wait for last operation to be completed */
    status = FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_ER_PRG_TIMEOUT);
   
    /* Disable the PG Bit */
    FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PG;
  }
  
  /* Return the Program Status */
  return status;
}

掉电就丢失了，说明你写的可能不对。调试模式下，执行完写入功能后，memory直接查看FLASH的地址，如果内容对，说明在断电前或者上电前被某个函数给擦除了。断电以后，用ISP软件，flashlaoder或者STM32CubeProgrammer，在boot模式下读取对应的FLASH地址，如果还是存在的，那么就是上电时被擦除了。

就是原子哥写的底层

是我哪里没有学到位吗？

hhhhhhhaa 发表于 2020-10-7 16:02
是我哪里没有学到位吗？

读取FLASH的源代码没问题，看你读取的是否是同一个地址的数据

防止沉了，自己回复

还是没有知道的吗，还是说大家都放假啦，STM32的FLASH到底能不能断电保存数据呢？

1、FLASH可以用来存储一些数据，但不能太频繁，避免写坏
2、从代码上看操作应该没问题，考虑检查一下写入地址和读取地址是正确。

安 发表于 2020-10-8 16:07
1、FLASH可以用来存储一些数据，但不能太频繁，避免写坏
2、从代码上看操作应该没问题，考虑检查一下写入地 ...

写入和读取的地址是正确的，不断电没有问题，但是一断电就不行了，读取到的就是FF

hhhhhhhaa 发表于 2020-10-9 14:55
写入和读取的地址是正确的，不断电没有问题，但是一断电就不行了，读取到的就是FF ...

我也感觉是地址错误，能否提供一下你读写的Flash地址。

小歆-2051663 发表于 2020-10-9 15:16
我也感觉是地址错误，能否提供一下你读写的Flash地址。

好的，我读写的地址是0x08000000+14*1024

小歆-2051663 发表于 2020-10-9 15:16
我也感觉是地址错误，能否提供一下你读写的Flash地址。

因为030的内存是16K 我读写第14页应该是没有影响的，程序只有10K大小

wangzhao123 发表于 2020-10-7 16:05
读取FLASH的源代码没问题，看你读取的是否是同一个地址的数据

0x08000000+14*1024  读写的地址都是这个，应该是没错的啊，我的程序只有10K大小，030的内存是16K 我读写第14页应该没错啊

检查一下  FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);中有没有等待操作完成的判断。