在使用之前我们要先学**H7的内存分布，之前可能接触过ST的程序员没有发现有内存分布的特性，这可能是在M7系列新加的特性。

TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM 用于指令，DTCM 用于数据，特点是跟内
核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度。

ITCM 和 DTCM
这两个是直连 CPU 的。

TCM 区
TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM 用于运行指令，也就是程序代码，DTCM
用于数据存取，特点是跟内核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度，所以有降频处
理。
速度：400MHz。
DTCM 地址：0x2000 0000，大小 128KB。
ITCM 地址：0x0000 0000，大小 64KB。

AXI SRAM 区
位于 D1 域，数据带宽是 64bit，挂在 AXI 总线上。除了 D3 域中的 BDMB 主控不能访问，其它都可
以访问此 RAM 区。
速度：200MHz。
地址：0x2400 0000，大小 512KB。
用途：用途不限，可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。

SRAM1，SRAM2 和 SRAM3 区
SRAM1：地址 0x3000 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以当
D1 域断电后用于运行程序代码。
SRAM2：地址 0x3002 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以用于
用户数据存取。
SRAM3：地址 0x3004 0000，大小 32KB，用途不限，主要用于以太网和 USB 的缓冲。

SRAM4 区
位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访这块 SRAM 区。
速度：200MHz。
地址：0x3800 0000，大小 64KB。
用途：用途不限，可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲，也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby 待机方式
后，继续保存用户数据。

Backup SRAM 区
备份 RAM 区，位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访问这块 SRAM
区。
速度：200MHz。
地址：0x3880 0000，大小 4KB。
用途：用途不限，主要用于系统进入低功耗模式后，继续保存数据（Vbat 引脚外接电池）。

各块 RAM 的 DMA 问题
之前写了一个空闲中断+DMA的例子，在F4的板子稳定运行，可是在H7上跑不通，所以才注意到了内存分布对DMA的影响

DTCM 和 ITCM 不支持 DMA1，DMA2 和 BDMA，仅支持 MDMA。
AXI SRAM，SRAM1，SRAM2，SRAM3 不支持 BDMA，支持 MDMA，DMA1 和 DMA2。
SRAM4 支持所有 DMA，即 MDMA，DMA1，DMA2 和 BDMA。

鉴于 DTCM 是 400MHz 的，而其它的 RAM 都是 200MHz，推荐工程的主 RAM 空间采用 TCM，而
其它需要大 RAM 或者 DMA 的场合，使用剩余 RAM 空间。
本教程配套的例子基本都是采用的这个方案，让 TCM 的性能得到最大发挥。