在使用之前我们要先学**H7的内存分布，之前可能接触过ST的程序员没有发现有内存分布的特性，这可能是在M7系列新加的特性。

TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM 用于指令，DTCM 用于数据，特点是跟内
核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度。
) K# d' y! o1 D7 h
ITCM 和 DTCM
  V" E& Q* [- B! o' J1 v) h4 F( S这两个是直连 CPU 的。

TCM 区
TCM : Tightly-Coupled Memory 紧密耦合内存 。ITCM 用于运行指令，也就是程序代码，DTCM
5 p0 P" o! w& v  f: @- K0 Q3 h用于数据存取，特点是跟内核速度一样，而片上 RAM 的速度基本都达不到这个速度，所以有降频处
- I9 |/ [: G8 U( {' l6 X理。
速度：400MHz。
DTCM 地址：0x2000 0000，大小 128KB。
/ l- {  c' T) zITCM 地址：0x0000 0000，大小 64KB。
( `. k. G6 ^7 w; r% w
AXI SRAM 区
位于 D1 域，数据带宽是 64bit，挂在 AXI 总线上。除了 D3 域中的 BDMB 主控不能访问，其它都可
以访问此 RAM 区。
1 ]" Q6 N7 H9 ^% U% `速度：200MHz。
地址：0x2400 0000，大小 512KB。
" k" o- p6 g" ~( ]# p用途：用途不限，可以用于用户应用数据存储或者 LCD 显存。

* D2 A9 N6 Q, K- y) _SRAM1，SRAM2 和 SRAM3 区
SRAM1：地址 0x3000 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以当
D1 域断电后用于运行程序代码。
8 Z. h+ o4 g# o8 |: g- WSRAM2：地址 0x3002 0000，大小 128KB，用途不限，可用于 D2 域中的 DMA 缓冲，也可以用于
! S: Z, \1 R' S' I* }6 F用户数据存取。
SRAM3：地址 0x3004 0000，大小 32KB，用途不限，主要用于以太网和 USB 的缓冲。

0 l! g) q) j8 t5 N% h- mSRAM4 区
3 c2 n- a  U! ^& ~; g% V% K: Y位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访这块 SRAM 区。
4 v* S  m- M- o* O: M" a+ f4 f  [速度：200MHz。
& {0 h8 L4 v$ t' \地址：0x3800 0000，大小 64KB。
9 C* y! }6 c4 V/ _  G2 [用途：用途不限，可以用于 D3 域中的 DMA 缓冲，也可以当 D1 和 D2 域进入 DStandby 待机方式
后，继续保存用户数据。

4 ~1 c5 d5 E/ e: J9 @7 s# b9 D3 uBackup SRAM 区
备份 RAM 区，位于 D3 域，数据带宽是 32bit，挂在 AHB 总线上，大部分主控都能访问这块 SRAM
区。
) E  V& e2 K; W' U6 R速度：200MHz。
地址：0x3880 0000，大小 4KB。
用途：用途不限，主要用于系统进入低功耗模式后，继续保存数据（Vbat 引脚外接电池）。

各块 RAM 的 DMA 问题
: p' Z# p  m, ?% F# n6 N之前写了一个空闲中断+DMA的例子，在F4的板子稳定运行，可是在H7上跑不通，所以才注意到了内存分布对DMA的影响

$ ?' n5 Q7 {" @) v  H& [DTCM 和 ITCM 不支持 DMA1，DMA2 和 BDMA，仅支持 MDMA。
AXI SRAM，SRAM1，SRAM2，SRAM3 不支持 BDMA，支持 MDMA，DMA1 和 DMA2。
2 Z7 C  {$ H" W3 CSRAM4 支持所有 DMA，即 MDMA，DMA1，DMA2 和 BDMA。
, ?: h4 W: T2 a; P1 ~+ k- U
; k+ {! @; e6 o) a$ _* K- E! j鉴于 DTCM 是 400MHz 的，而其它的 RAM 都是 200MHz，推荐工程的主 RAM 空间采用 TCM，而
其它需要大 RAM 或者 DMA 的场合，使用剩余 RAM 空间。
2 e: B. v+ P, D' h8 a" l' J, g本教程配套的例子基本都是采用的这个方案，让 TCM 的性能得到最大发挥。