现在把一个项目从STM32F413移植到STM32U575，以前用函数HAL_RTCEx_BKUPWrite() 往F413 里面Backup RAM写的内容，短暂断电一段时间后再上电，内容不会丢失，我判断是Vdd 上连接有较大系统滤波电容，放电慢，Vdd 不会在短时间内归零，在重启之后，内容还在，不过长时间断电之后，Backup RAM内容就会丢失，这样就可以大致判断系统是经历了长时间的断电，这个功能期望在移植之后仍保留，而且F2,F4,L4 系列都是这样的。不过使用STM32U575时，不管断电时间多么短，重启之后，Backup RAM 里面的内容都会被清零，我查阅资料，并操作了TAMP->CR2，TAMP->CR3 这些寄存器的对应操作位，都无法阻止每次上电把Backup RAM 里面的内容清零，有解决方案吗？

STM32U575的备份域的备份寄存器和备份RAM是靠VBAT供电的。这个引脚的供电为了保证安全性有一个电压BOR电路监控，所以当电压掉到1.65V之后，就会复位备份域，所以就会清零。 楼主可否通过PVD检测系统掉电，然后进入低功耗模式。当系统重新上电检测到上电复位标志，那么就是掉电足够长时间了（低于最小工作电压）。 当然外部给VBAT加个电容也许还能长一点点时间。

butterflyspring 发表于 2022-11-25 10:45
STM32U575的备份域的备份寄存器和备份RAM是靠VBAT供电的。这个引脚的供电为了保证安全性有一个电压BOR电路 ...

您好！谢谢你的回答， 我们的电路的VDD 和VBAT 是连接在一起的。     我理解的是如果产生了BOR 复位，STM32U575 肯定会把Backup RAM  的内容清除，且没有机制是可以阻止这种清除的，而F2,F4,L4 等ST系列芯片同样情况的BOR 复位，是不会清除Backup RAM 的内容的，对吧？     用PVD中断进入低功耗模式的办法，延长VDD 电压降低到BOR 阈值电压1.65V的时间，确实是一个办法，但延长的时间有限，不能达到足够足够长，而F2,F4,L4 系列芯片在大概在断电一分钟之内VDD 电压降到0.3V之前，Backup RAM 的内容都不会丢失。

我看了下U5,F4,L4几个系列的备份域的复位条件，都是一样的。按理F4可以，U5也可以，你确认下U5系列的备份SRAM使能没有，即它的时钟开启没有，它的时钟是单独开关的。

davezhu 发表于 2022-11-25 15:13
您好！谢谢你的回答， 我们的电路的VDD 和VBAT 是连接在一起的。     我理解的是如果产生了BOR 复位，STM ...

这个问题硬件能有效解决：在VDD和VBA之间接个二极管，VBA对地加个10uF电容，可以保存好几天，
有条件的可以采用法拉电容，这样几个月都丢不了数据，也不需要后背电池。

Glenxu 发表于 2022-11-28 21:42
这个问题硬件能有效解决：在VDD和VBA之间接个二极管，VBA对地加个10uF电容，可以保存好几天，
有条件的可 ...

这个应该解决不了问题吧？ 这是U575 的防TAMPER 机制在BOR 复位以后（VDD 电压降低引起的），自动清除了Backup RAM 的内容， 跟VBAT pin 脚有没有电没关系，VBAT 脚即使是满满的电压，它也会照样清除。