01前言 为了让客户在原理图设计阶段少走弯路,我这里结合客户评估和设计阶段常遇到的问题,整理了一下 BlueNRG-1/-2 相关设计及注意事项以备客户解惑用。 " E) Q4 C* O/ E% i2 ?; U 02BlueNRG-1/-2 的原理图参数说明及设计注意事项 2.1. BlueNRG-1/-2 原理图及参数如下: 通过断点和单步调试,我们发现出现问题的指令如下所示: $ |8 j* D/ P" k1 P5 E9 t
图1.IDB007V1_schematic 图2.IDB008V2_schematic 表1. 基于 BlueNRG-1/2 板子的元器件说明 $ }8 w1 h2 y: d7 D$ O# A8 `3 v o 2.2. 原理图设计注意事项: 1. C4 的取值只能是 150nf 或者 220nf,否则会影响系统的稳定。 2. 设计成 SMPS ON 的是时候,D1 中的 pin1 和 pin2 之间焊接一颗电感,该电感的具体要求如下:标称值为 10 uH 或 4.7 uH ,但 DCR 务必小于 1ohm 且额定电流必须大于 100 mA。 3. RXD/TXD 必须接到 DIO11 和 DIO08 pin,否则后续将无法使用 RF Flash utility 工具和 BlueNRG GUI 工具。: T- b( m" Y; S# l( T* G0 a9 n2 o 4. 这里的 L1=2nH,L5=3.9nH 建议保留,这有助于抑制最后通道的杂散并减少晶体和RF 信号间的相互影响。$ J; o! }/ s$ D% ?/ h, v) q 5. 建议预留 ANATEST0 pin 和 ANATEST1 pin 的测试点,以便后续测试高速晶体的启振时间。 6. DIO7 建议通过 100kohm 电阻接地并预留测试点:为强制执行 updater 代码(参见预先编程的引导加载程序),建议将 IO7 引脚拉高并硬件复位设备。 4 t( x: J* E* ?" l* W 03BlueNRG-LP/LPS 的原理图参数说明及设计注意事项 4 H0 C! w/ g9 y8 J5 Y7 W 3.1. BlueNRG-LP 原理图及参数如下: , r8 S' g) ^3 f9 C7 e1 N H 图3.IDB011V1_schematic 8 J7 Y: ^' ?9 `) @' u图4.IDB011V2_schematic 3.2. BlueNRG-LPS 原理图及参数说明如下: 4 Z! t) ?+ o z9 z$ d2 d3 K图5.IDB012V1_schematic 表2. 基于 BlueNRG-LP/LPS 板子的元器件说明 8 w( Z# v' I) P6 v+ d 3.3. 原理图设计注意事项: 1. CAP 的取值只能是 150nf 或者 220nf,否则会影响系统的稳定。. v$ [+ f9 y/ N/ s+ e
2. 设计成 SMPS ON 的是时候,D1 中的 pin1 和 pin2 之间焊接一颗电感,该电感的具体要求如下:标称值为 10 uH 或 2.2 uH 或 1.5uH,但 DCR 务必小于 1ohm 且额定电流必须大于 100 mA。 7 T N, d( V; y" q 表3.SMPS BOM information 3. 对于 BlueNRG-LP 芯片 RXD/TXD 必须接到 PA8 和 PA9 pin,而对于 BlueNRGLPS 芯片 RXD/TXD 必须接到 PB0 和 PA1 pin。否则,后续将无法使用 RF Flash utility 工具和 BlueNRG GUI 工具。, g# g, Y+ {* ^& k ' J1 O; R2 m- p2 d% W4. 实际应用中 Q1(32KHZ 晶体)可以省略,Q2(32MHZ 晶体)需符合 Fnom=32Mhz,fTOL建议选择±20ppm, PD 不要超过 100uW,CL 选用 6~8pf 的。8 m4 z, C0 Q& Q# k& g 5. 建议预留 VCAP 和 PB6 pin 的测试点,以便后续测试高速晶体的启振时间。. [2 ]% J/ }1 W& j `* j 6. PA10 建议预留测试点。 04小结 [color=rgba(0, 0, 0, 0.9)] 为方便客户、代理 FAE 更好地理解 DEMO 板的原理图,以便客户项目顺利进行, 以及方便后续的测试和调试,这里特意分享以上章节针对不同 DEMO 板的原理图和设计事项做了说明。 6 V( u d1 v L. M转载自: STM32单片机 如有侵权请联系删除 ) S' j9 ^* S; C$ H# d3 j* `! X |
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