01前言 为了让客户在原理图设计阶段少走弯路,我这里结合客户评估和设计阶段常遇到的问题,整理了一下 BlueNRG-1/-2 相关设计及注意事项以备客户解惑用。 02BlueNRG-1/-2 的原理图参数说明及设计注意事项 2.1. BlueNRG-1/-2 原理图及参数如下: 通过断点和单步调试,我们发现出现问题的指令如下所示:4 i4 M ~3 U0 |0 M5 h4 t4 o4 E 2 w% M/ a2 y ~) L) H8 w
图1.IDB007V1_schematic $ ?: F" q p/ x# N! S
0 R w( h, S4 p! n4 i 图2.IDB008V2_schematic 6 C$ _! ]: F+ Y+ X& g表1. 基于 BlueNRG-1/2 板子的元器件说明 2.2. 原理图设计注意事项: 1. C4 的取值只能是 150nf 或者 220nf,否则会影响系统的稳定。 2. 设计成 SMPS ON 的是时候,D1 中的 pin1 和 pin2 之间焊接一颗电感,该电感的具体要求如下:标称值为 10 uH 或 4.7 uH ,但 DCR 务必小于 1ohm 且额定电流必须大于 100 mA。/ D3 S( u& y) q: H4 f 3. RXD/TXD 必须接到 DIO11 和 DIO08 pin,否则后续将无法使用 RF Flash utility 工具和 BlueNRG GUI 工具。 4. 这里的 L1=2nH,L5=3.9nH 建议保留,这有助于抑制最后通道的杂散并减少晶体和RF 信号间的相互影响。 5. 建议预留 ANATEST0 pin 和 ANATEST1 pin 的测试点,以便后续测试高速晶体的启振时间。* z6 x5 T0 e t. i3 X$ E) D/ ~ 6. DIO7 建议通过 100kohm 电阻接地并预留测试点:为强制执行 updater 代码(参见预先编程的引导加载程序),建议将 IO7 引脚拉高并硬件复位设备。 03BlueNRG-LP/LPS 的原理图参数说明及设计注意事项 3.1. BlueNRG-LP 原理图及参数如下: 图3.IDB011V1_schematic 图4.IDB011V2_schematic 3.2. BlueNRG-LPS 原理图及参数说明如下: ; {; J: }3 Q9 |0 i" I5 Y 图5.IDB012V1_schematic . ?6 `; y5 u6 \7 g1 b6 a: z) \表2. 基于 BlueNRG-LP/LPS 板子的元器件说明 3.3. 原理图设计注意事项: 1. CAP 的取值只能是 150nf 或者 220nf,否则会影响系统的稳定。. h* `) D5 [1 W
2. 设计成 SMPS ON 的是时候,D1 中的 pin1 和 pin2 之间焊接一颗电感,该电感的具体要求如下:标称值为 10 uH 或 2.2 uH 或 1.5uH,但 DCR 务必小于 1ohm 且额定电流必须大于 100 mA。3 c ^; N* X( ^, v* y; r2 s" U: L 表3.SMPS BOM information 3. 对于 BlueNRG-LP 芯片 RXD/TXD 必须接到 PA8 和 PA9 pin,而对于 BlueNRGLPS 芯片 RXD/TXD 必须接到 PB0 和 PA1 pin。否则,后续将无法使用 RF Flash utility 工具和 BlueNRG GUI 工具。2 e( W( ? \6 N. u" ]6 h% Z+ @3 a" L$ _& q & R( R$ f ^8 H8 ~5 ^( T/ z4. 实际应用中 Q1(32KHZ 晶体)可以省略,Q2(32MHZ 晶体)需符合 Fnom=32Mhz,fTOL建议选择±20ppm, PD 不要超过 100uW,CL 选用 6~8pf 的。 5. 建议预留 VCAP 和 PB6 pin 的测试点,以便后续测试高速晶体的启振时间。6 R/ [% Q! P; ~ 6. PA10 建议预留测试点。 04小结 5 S! y" x3 W8 f6 S$ J 为方便客户、代理 FAE 更好地理解 DEMO 板的原理图,以便客户项目顺利进行, 以及方便后续的测试和调试,这里特意分享以上章节针对不同 DEMO 板的原理图和设计事项做了说明。 % H5 [: D, i/ p& g0 y8 m转载自: STM32单片机 如有侵权请联系删除 4 g; x8 z! p# O& f$ s |
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