LSE的波形幅值范围是多少?另外手册中VLSEH范围要0.7VDD-VDD,以及VLSEL范围VSS-0.3VDD和实际幅值范围和晶振波形范围关系。 |
easylogger打印失败
为什么ETH配置中没有Advanced Parameters?
STM32F427串口接收和发送中断同时使能,出现接收中断丢数的现象。
为什么生成代码时一直卡在generating user source code 救救孩子吧。
与HAL_ADC_Start_DMA相关的一个十分怪异的问题
由stm32cubemx按照配置重新生成工程,bsp_SysTick.c一直没有呢
ptp PPS输出
STM32F407ZGT6芯片被锁
咨询STM32F407的两个USB口能否分别实现读卡器和读U盘的功能以及硬件IIC读写AT24C02
询问STM32F407寄存器库文件
我们设计晶振电路时,我们关注晶振频率及频率精度,驱动电平DL,
以及晶振的静态电容和负载电容。
对于STM32而言,最后计算出来的跨导和增益裕量要符合要求。
AN2867 可以仔细阅读下。
你看到的参数应该是在Bypass模式下,从OSC32_IN脚添加的LSE信号的高低电平的要求。
你的问题是LSE波形的幅值,我的理解是你想知道外部晶体的振动幅值。其实这个幅值一般我们关注的较少,主要关注的是频率。
当然这个幅值也是可以使用示波器测试的,之前测试过这个幅值,一般在100mv左右,当然这个幅值也与MCU的LSE的驱动能力有关。
[md]我想知道这个幅值的范围,或者说哪个手册中有相关的说明,我用的处理器有STM32F407和STM32F427,这个官方会有说明吗?或者有个范围也行。
[md]这个参数应该是没有的,像晶体厂商最多提供一个Level of drive参数。
或者你可以找到晶振的Level of drive参数通过AN2867中提供的计算drive level的方法反推Vpp。
你是遇到什么问题了吗?如果一定要知道这个参数,最好的办法还是咨询下你使用的晶体的供应商。
需要转变观念。这是给谐振电路,评价的方式不是靠幅值了。
它不是用简单的欧姆定律来解释的。
参照小伙伴们的建议,用其他参数来评价。
另一方面来说,晶振电路对电容非常敏感,你示波器接上去都会有一定影响的。