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我们设计晶振电路时，我们关注晶振频率及频率精度，驱动电平DL,
以及晶振的静态电容和负载电容。
对于STM32而言，最后计算出来的跨导和增益裕量要符合要求。
AN2867 可以仔细阅读下。
你看到的参数应该是在Bypass模式下，从OSC32_IN脚添加的LSE信号的高低电平的要求。
你的问题是LSE波形的幅值，我的理解是你想知道外部晶体的振动幅值。其实这个幅值一般我们关注的较少，主要关注的是频率。
当然这个幅值也是可以使用示波器测试的，之前测试过这个幅值，一般在100mv左右，当然这个幅值也与MCU的LSE的驱动能力有关。
[md]我想知道这个幅值的范围，或者说哪个手册中有相关的说明，我用的处理器有STM32F407和STM32F427,这个官方会有说明吗？或者有个范围也行。
[md]这个参数应该是没有的，像晶体厂商最多提供一个Level of drive参数。
或者你可以找到晶振的Level of drive参数通过AN2867中提供的计算drive level的方法反推Vpp。
你是遇到什么问题了吗？如果一定要知道这个参数，最好的办法还是咨询下你使用的晶体的供应商。
需要转变观念。这是给谐振电路，评价的方式不是靠幅值了。
它不是用简单的欧姆定律来解释的。
参照小伙伴们的建议，用其他参数来评价。
另一方面来说，晶振电路对电容非常敏感，你示波器接上去都会有一定影响的。