
LSE的波形幅值范围是多少?另外手册中VLSEH范围要0.7VDD-VDD,以及VLSEL范围VSS-0.3VDD和实际幅值范围和晶振波形范围关系。 |
在CUBEMX生成的STM32F407VET6的I2S主机接收模式与I2S主机发送模式能正常运行,如何进行动态调整或者如何实现主机全双工?
STM32F407 多机RS485串口通讯+地址位唤醒+DMA空闲线接收,无法进入中断服务程序。
设置RDP等级为2的同时,有什么办法可以确保后续还能够烧录程序
STM32F407VET6 I2S 采用DMA传输问题
有STM32F4倒车雷达响应例程吗?
STM32F429I倒车雷达响应
STM32多通道FFT运算异常
在其他电脑上编译成功没有错误并且能够烧录,换了电脑之后编译出现一堆错误,并且不能烧录程序
SD卡初始化第一次初始化后再次初始化时会失败。
串口重定向接收不同
我们设计晶振电路时,我们关注晶振频率及频率精度,驱动电平DL,
以及晶振的静态电容和负载电容。
对于STM32而言,最后计算出来的跨导和增益裕量要符合要求。
AN2867 可以仔细阅读下。
你看到的参数应该是在Bypass模式下,从OSC32_IN脚添加的LSE信号的高低电平的要求。
你的问题是LSE波形的幅值,我的理解是你想知道外部晶体的振动幅值。其实这个幅值一般我们关注的较少,主要关注的是频率。
当然这个幅值也是可以使用示波器测试的,之前测试过这个幅值,一般在100mv左右,当然这个幅值也与MCU的LSE的驱动能力有关。
[md]我想知道这个幅值的范围,或者说哪个手册中有相关的说明,我用的处理器有STM32F407和STM32F427,这个官方会有说明吗?或者有个范围也行。
[md]这个参数应该是没有的,像晶体厂商最多提供一个Level of drive参数。
或者你可以找到晶振的Level of drive参数通过AN2867中提供的计算drive level的方法反推Vpp。
你是遇到什么问题了吗?如果一定要知道这个参数,最好的办法还是咨询下你使用的晶体的供应商。
需要转变观念。这是给谐振电路,评价的方式不是靠幅值了。
它不是用简单的欧姆定律来解释的。
参照小伙伴们的建议,用其他参数来评价。
另一方面来说,晶振电路对电容非常敏感,你示波器接上去都会有一定影响的。