LSE的波形幅值范围是多少?另外手册中VLSEH范围要0.7VDD-VDD,以及VLSEL范围VSS-0.3VDD和实际幅值范围和晶振波形范围关系。 |
STM32F407ZGT6假死现象,看门狗不起作用
目前新项目,MCU采用STM32F407VGT6,文件存在TF卡(SDIO),请问能否通过F4的USB把TF卡里面的txt和excel文件拷贝到U盘?哪个USB可以实现?
STM32F407VGT6使用PLL倍频后芯片会反复重启
CAN接收丢包
使用Cubeprogrammer无法连接、连接G431和一块H750的板子可以连上但是连另外一块H750的板子和F407的板子就直接报错,这个应该如何解决。
SPI 通信,既有单字节数据传输,又有多字节数据传输,该如正确使用 DMA?
SD卡log存储
STM32F413ZGT6的NRST需要接上拉电阻吗
STM32F4的串口在配置DMA之后,不能使用高波特率吗?
劳烦大佬们看一下,为什么我的USART1 这样配置接收不了数据啊
我们设计晶振电路时,我们关注晶振频率及频率精度,驱动电平DL,
以及晶振的静态电容和负载电容。
对于STM32而言,最后计算出来的跨导和增益裕量要符合要求。
AN2867 可以仔细阅读下。
你看到的参数应该是在Bypass模式下,从OSC32_IN脚添加的LSE信号的高低电平的要求。
你的问题是LSE波形的幅值,我的理解是你想知道外部晶体的振动幅值。其实这个幅值一般我们关注的较少,主要关注的是频率。
当然这个幅值也是可以使用示波器测试的,之前测试过这个幅值,一般在100mv左右,当然这个幅值也与MCU的LSE的驱动能力有关。
[md]我想知道这个幅值的范围,或者说哪个手册中有相关的说明,我用的处理器有STM32F407和STM32F427,这个官方会有说明吗?或者有个范围也行。
[md]这个参数应该是没有的,像晶体厂商最多提供一个Level of drive参数。
或者你可以找到晶振的Level of drive参数通过AN2867中提供的计算drive level的方法反推Vpp。
你是遇到什么问题了吗?如果一定要知道这个参数,最好的办法还是咨询下你使用的晶体的供应商。
需要转变观念。这是给谐振电路,评价的方式不是靠幅值了。
它不是用简单的欧姆定律来解释的。
参照小伙伴们的建议,用其他参数来评价。
另一方面来说,晶振电路对电容非常敏感,你示波器接上去都会有一定影响的。