我使用的是STM32F030K6T6，这个单片机没有EEPROM，我有4个uint32_t的数据需要掉电保存值，是只能用flash去实现吗？我看论坛里说，是把数据保存在flash的最后一页这样比较安全，想请教还有什么需要注意的吗？

可以参考下面这个帖子，注意内部 FLASH 是有寿命次数的。


手动按键复位可以保存变量 , 但是断电马上上电却不能了. 有什么办法可以解决吗?

butterflyspring 发表于 2026-3-18 17:06
可以参考下面这个帖子，注意内部 FLASH 是有寿命次数的。</p>
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老师首先我想和您确认一下，是可以用STM32F030K6T6的内部FLASH做掉电数据保存的哈，如果可以我在看一下怎么实现

毫无疑问，STM32F030的FLASH 是可以擦写的，所以记录数据是没问题的。需要注意的是：


1. FLASH 的改写需要擦除后才可以（详细请参考手册相关），所以存贮数据的格式和方式和RAM不一样。
2. FLASH 的擦写是有寿命的，这个芯片大概一千次，所以存贮方式用空间换时间，但也有次数上限。

厂家有一片应用笔记 AN4061 Application note EEPROM emulation in STM32F0xx microcontrollers，可以参考一下

butterflyspring 发表于 2026-3-19 10:03
毫无疑问，STM32F030的FLASH 是可以擦写的，所以记录数据是没问题的。需要注意的是：</p>
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太感谢了，1k的擦写次数太少了，我还是想其他办法吧

对应于PAGE 擦除来说，一个PAGE是1024个字节。
保存16个字节的变量就是64次。

所以动用一个PAGE去存贮这些变量的话，最小寿次数是64K 次。