, b$ S& E% s1 r               STM32F0xx_EEPROM_Emulation BUG的修正
! n) `0 |  r, m) p3 U/ R
     应用中需要使用STM32F051C6T6的FLASH仿真EEPROM，以便在断电时保存部分数据。在ST官网下载固件库STM32F0xx_EEPROM_Emulation。http://www.stmcu.com.cn/Designr ... F&lang=EN&ver=1.0.0   

       首先在演示代码中编译下载原代码进行评估、验证。
) f6 \: X' T; M9 l6 A      演示代码主函数中先对VarDataTab[0]-VarDataTab[2]写入，然后再读出：
  D- O/ J( K& |% K6 D9 |

1. for (VarValue = 1; VarValue <= 0x64; VarValue++)
   / V6 e5 r& W6 f/ p& y
2.   {
   
3.     EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[0], VarValue);
   . S8 n4 y8 y* d5 v5 ?
4.   }
   $ T0 ~/ T2 m9 }/ b
5. 再读出。
   
6. 
   
7.   EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[0], &VarDataTab[0]);
   % J2 c" R) W% b
8. 
   4 Q9 Z' ~* T0 E( k6 F1 D1 J
9. 
   0 q6 t# c* Z! P
10.   for (VarValue = 1; VarValue <= 0xC8; VarValue++)
    
11.   {
    # v2 \0 Y! j6 B8 D
12.     EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[1], VarValue);
    1 K4 N& {: K  W1 A3 t5 Y$ ^
13.   }
    ) f! l& ?5 ^2 w* I
14.   EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[0], &VarDataTab[0]);
    ; q/ }: x" Z: a# T$ _% P
15.   EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[1], &VarDataTab[1]);
    
16.   for (VarValue = 1; VarValue <= 0x1C2; VarValue++)
    0 b+ {0 {" ], B, j3 Z
17.   {
    
18.     EE_WriteVariable(VirtAddVarTab[2], VarValue);
    
19.   }
    3 I: i! `* p5 o, v0 ^7 b' F
20.   /* read the last stored variables data*/
    
21.   EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[0], &VarDataTab[0]);
    
22.   EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[1], &VarDataTab[1]);
    * d+ F- X7 S# c+ ~7 a3 `7 A
23.   EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[2], &VarDataTab[2]);

复制代码

     编译下载后运行，检查VarDataTab[0]-VarDataTab[2]的内容，与写入数据一致。本以为一切正常，就移植到实际项目中。
3 ?4 e/ N, Y1 q$ q     STM32F051C6T6的Flash长度为32K,仿真EEPROM需要使用2页，占用第8扇区和第9扇区，首址是0x08002000,每页长为0x400,(0X08002000到0x080027ff)。不料移植运行后，发现断电后重启，读出的数据均为空数据。
+ \/ g/ ]8 k7 V& v) W8 b9 M      用STM32 ST-LINK Utility工具读0x08002000，发现数据已经正确写入了。
' i# ]# W% q" e* w# p. G$ a


    判断问题出在读数据操作。

  查阅STM32F0xx_EEPROM_Emulation演示代码eeprom.h的描述：

1. /* Exported constants --------------------------------------------------------*/
   , }, y9 L8 b" L; C0 f- K# e
2. /* Define the size of the sectors to be used */
   8 p# q" \) q9 v) B% p
3. #define PAGE_SIZE             ((uint32_t)0x0400)  /* Page size = 1KByte */
   ! p9 O. u( ^& i/ W; G* A& W
4. 
   
5. /* EEPROM start address in Flash */
   4 f) J# R/ T' z, q4 l3 G
6. #define EEPROM_START_ADDRESS ((uint32_t)0x08002000)/* EEPROM emulation start address:
   
7.                                                         from sector2, after 8KByte of used
   . S4 ?; u0 Y( A# j/ K
8.                                                         Flash memory */
   2 M% h" k, B( x3 E3 J3 T7 P
9. 
   3 [9 v/ z: y1 e+ x( h, |
10. /* Pages 0 and 1 base and end addresses */
    6 V# V* R7 C, {# W
11. #define PAGE0_BASE_ADDRESS    ((uint32_t)(EEPROM_START_ADDRESS + 0x0000))
    
12. #define PAGE0_END_ADDRESS     ((uint32_t)(EEPROM_START_ADDRESS + (PAGE_SIZE - 1)))
    2 C9 |8 e( X, e) L# s. `: _
13. 
    ( H& M' T, y6 U
14. #define PAGE1_BASE_ADDRESS    ((uint32_t)(EEPROM_START_ADDRESS + 0x0400))
    
15. #define PAGE1_END_ADDRESS     ((uint32_t)(EEPROM_START_ADDRESS + (2 * PAGE_SIZE - 1)))
    # K- o6 N4 @$ S1 X7 p
16. 
    
17. /* Used Flash pages for EEPROM emulation */
    
18. #define PAGE0                 ((uint16_t)0x0000)
    3 W) ^0 t2 f7 L; x* l6 [
19. #define PAGE1                 ((uint16_t)0x0001)
    
20. 
    ! E% I" d- X: Z# `2 n( a
21. /* No valid page define */
    , W, M% J/ W0 ~1 x5 Z
22. #define NO_VALID_PAGE         ((uint16_t)0x00AB)
    & H0 q/ @+ ?1 L5 F
23. 
    : G5 R! b7 ^% M& q' F- f5 k5 E
24. /* Page status definitions */
    5 F0 P3 J, Q6 Q' H+ v
25. #define ERASED                ((uint16_t)0xFFFF)     /* Page is empty */
    
26. #define RECEIVE_DATA          ((uint16_t)0xEEEE)     /* Page is marked to receive data */
    5 Q# [0 E% K" Z- U
27. #define VALID_PAGE            ((uint16_t)0x0000)     /* Page containing valid data */

复制代码

     看代码第6行，这里设定的地址是： EEPROM_START_ADDRESS  ((uint32_t)0x08002000)。
$ p: V4 s1 K; o; l& B
而STM32F0xx_EEPROM_Emulation演示代码中eeprom.c中关于读的函数：
+ w6 S% g) i0 i

1. uint16_t EE_ReadVariable(uint16_t VirtAddress, uint16_t* Data)
   $ `1 a# R, h( q/ d/ O7 x1 N
2. {
   * j  A9 A/ O. Y# ^$ Q/ q
3.   uint16_t ValidPage = PAGE0;
   
4.   uint16_t AddressValue = 0x7777, ReadStatus = 1;
   
5.   uint32_t Address = 0x08001000, PageStartAddress = 0x08001000;
   
6. .
   + {  o5 T4 W( u! A& K' [
7. .
   5 y$ u1 O0 x3 g' U7 b+ f
8. }

复制代码

      这里的地址是:Address = 0x08001000。PageStartAddress = 0x08001000;
( q- z( P5 e4 T      问题应该就出在这里。这个eeprom仿真代码是从STM32F1xx移植过来的。

在STM32F1xx的eeprom.h中地址是这样的：

1. /* EEPROM start address in Flash */
   
2. #define EEPROM_START_ADDRESS    ((uint32_t)0x08010000) /* EEPROM emulation start address:
   " s! c' n+ Q2 c/ j4 J; a+ \$ j
3.                                                   after 64KByte of used Flash memory */

复制代码

在STM32F10xx的eeprom.c中读函数是这样的：

1. uint16_t EE_ReadVariable(uint16_t VirtAddress, uint16_t* Data)
   
2. {
   1 H: H5 m  ^3 b' x
3.   uint16_t ValidPage = PAGE0;
   ( H: _$ w2 D! o; x. F
4.   uint16_t AddressValue = 0x5555, ReadStatus = 1;
   
5.   uint32_t Address =0x08010000, PageStartAddress =0x08010000;
   + Q& @, |' |' {+ M
6. .
   
7. .
   ! ^2 k6 n0 \9 Y" O9 J: K
8. }

复制代码

       ST工程师在移植F1到F0时忘记将eeprom.c和eeprom.h的读写地址统一，在STM32F0xx_EEPROM_Emulation写入首址是0x08002000，读出首址是0x08001000:读非所写。
: v! f$ ^% U6 i: e
       而执行帖子开头的演示代码为什么没有发现读出错呢？由于在演示代码中写完flash操作后并未清空数组变量，DEBUG进入跟踪可知：由于读地址错误，并未执行读操作而直接退出。所以执行
EE_ReadVariable(VirtAddVarTab[0], &VarDataTab[0]);
这句时，实际上根本就没有读扇区、没有更新数组变量内容，数组变量里保留的是上次写操作留下的残余，所以运行的结果看上去是正确的，实际上读出错了。

4 K6 E* A  h9 j7 }$ t- d1 r
      修改F0的eeprom.c函数中错误之处，
/ M1 l! \; d7 x$ n4 y' }5 A7 Q

1. uint32_t Address = 0x08002000, PageStartAddress = 0x08002000;

复制代码

     问题解决。这个固件库是2012年的古董，6年了，看来我是社区第一个成功使用STM32F0xx_EEPROM_Emulation的了！
      希望本贴对使用STM32F0xx_EEPROM_Emulation失败的网友有帮助，希望ST官方能更正错误的源码。

- W7 Y2 L0 T0 v

$ }/ B6 r1 U: f& G3 U) |





) B* n+ s/ \% M/ K; L
& n& q; [" U2 A0 ]

不错，分析的很仔细

stm1024 发表于 2018-10-28 14:35
9 I9 w- `/ {% R不错，分析的很仔细

谢谢支持！

不错！！！

MrJiu 发表于 2018-10-29 09:56
7 T; R! ~4 |. O! X8 G9 X不错！！！

谢谢版主！