STMCU-管管
发布时间：2019-3-28 13:15
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STM32F40x/STM32F41x 微控制器中的 EEPROM 仿真 简介 在工业应用中经常使用 EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）来存储可更新的数据。EEPROM 是用在复杂系统（例如计算机）和其它电子器件中的一种永久（非易失）存储器存储系统，它可以在电源故障时存储和保留少量数据。 为降低成本，外部 EEPROM 可以用 STM32F40x/STM32F41x 的以下功能之一替代： ● 片内 4 KB 备份 SRAM ● 片内 Flash，具有特定软件算法 STM32F40x/STM32F41x 具有 4 KB 备份 SRAM，当主 VDD 电源断电时，可通过 VBAT 电源为该 SRAM 供电。 借助 CPU 频率下的高速访问（通常在用电池供电的应用中）优势，只要 VBAT 存在，此备份SRAM 就可以用作内部 EEPROM（不带任何附加软件）。 但是，当备份 SRAM 用于其它目的并且/或者应用不使用 VBAT 电源时，片内 Flash（具有特定软件算法）可以用于仿真 EEPROM 存储器。 本应用笔记介绍了使用 STM32F40x/STM32F41x 器件的片上 Flash 通过仿真 EEPROM 机制来取代独立 EEPROM 的软件解决方案。 要实现这种仿真，至少要使用 Flash 中的两个扇区。EEPROM 仿真代码会在扇区填满后，以对用户透明的方式交换数据。 此应用笔记随附的 EEPROM 仿真驱动程序满足以下要求： ● 提供简单 API 的轻量级实现，这种 API 由初始化、读写数据和降低存储器占用量三种功能构成。 ● 简单且可轻松更新的代码模型 ● 对用户透明的清除和内部数据管理 ● 后台扇区擦除 ● 至少使用两个 Flash 扇区，如果需要进行耗损均衡，则需要更多 要仿真的 EEPROM 大小可在扇区大小的限制范围内随意调整，并允许 EEPROM 使用扇区的最大空间。 1 外部 EEPROM 与仿真 EEPROM 之间的主要差异 EEPROM 是许多需要非易失性数据存储的嵌入式应用的关键组件，它在运行期间以字节或字为粒度。 这些系统中使用的微控制器通常是基于嵌入式 Flash 存储器的。为了避免使用这些组件、节约 PCB 空间并降低系统成本，可使用 STM32F41x Flash 代替外部 EEPOM，模拟代码和数据的存储。 但是与 Flash 不同的是，外部 EEPROM 在重写数据之前并不需要执行擦除操作来释放空间。要将数据存储到嵌入式 Flash 中，需要执行特殊的软件管理。 这种仿真软件机制由许多因素决定，包括 EEPROM 可靠性、所使用的 Flash 的架构以及产品要求等。 对于使用相同 Flash 技术的任何微控制器（不局限于 STM32F40x/STM32F41x 系列产品），嵌入式 Flash 和外部串行 EEPROM 之间的主要差异完全一致。表 1 中汇总了这些主要差异。 
1.1 写访问时间上的差异 由于 Flash 的写访问时间较短，所以对于一些关键参数，在仿真 EEPROM 中的存储速度要比在外部串行 EEPROM 中更快，从而可以改善数据存储。 1.2 擦除时间上的差异 擦除时间方面的差异是独立 EEPROM 与使用嵌入式 Flash 的仿真 EEPROM 之间的另一个重大差异。与 Flash 不同，EEPROM 在写之前不需要执行擦除操作来释放空间。这就意味着必须执行某种形式的软件管理，才能将数据存储到 Flash 中。此外，由于 Flash 中的块擦除过程需要较长时间，所以在设计 Flash 管理软件时，应注意考虑可能会中断擦除过程的电源关闭和其它一些意外事件（例如复位）。要设计强大的 Flash 内存管理软件，必须透彻了解 Flash 擦除过程。 注： 即使 CPU 复位，也不会中断正在对 STM32F40x/STM32F41x 嵌入式 Flash 执行的扇区擦除或批量擦除操作。 1.3 写方法上的相似之处 外部 EEPROM 与具有 STM32F40x/STM32F41x 嵌入式 Flash 的仿真 EEPROM 之间的一个相似之处是写方法。 ● 独立外部 EEPROM：一旦 CPU 启动后，字的写操作便不能被 CPU 复位中断。只有供电故障才会中断写过程，因此正确设置去耦电容的大小可以保护独立 EEPROM 中的整个写过程。 ● 使用嵌入式 Flash 仿真的 EEPROM：由 CPU 启动后，写过程可由电源故障中断。即使CPU 复位，也不会中断正在对 STM32F40x/STM32F41x 嵌入式 Flash 执行的字写入操作。EEPROM 算法会停止，但是当前的 Flash 字写入操作不会因 CPU 复位中断。 |
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