STM32CubeMX + HAL
一些说明
/ q' |: i; k8 `5 i3 ^底层配置
2 {* E+ Z+ t7 a" u3 W' j( L' @使用STM32CubeMX代码生成工具，不用关注底层配置的细节，真舒服。
使用教程：
https://sxf1024.lanzoui.com/b09rf2dwj   密码:bgvi
' k) e! R+ ]" z& Z2 k虽然Cube+HAL很舒服，但新手不建议用。最好还是先去学一下标准库怎么用，有个大致概念后，再来学这一套。
6 E& T6 F, I. c( TCube基本使用
新建工程
选择芯片
Pinout&Configuration，选择RCC(HSE：Crystal/Ceramic Resonator)、SYS(Debug：Serial Wiire)
! @5 t* j4 C( I( F2 c/ T1 p7 y: L3 X  ^Clock Configuration，配置时钟树
) L* ^4 |+ e  `1 O$ a
Project Manager，配置工程输出项

" W( Y1 F- b  H- XPinout&Configuration，选择功能(若是选GPIO相关，可以直接在Pinout view选择；若是其他功能，可以在左边Categories打开，会自动配置引脚)、设置Parameter Settings/NVIC等

, J' B/ h( j) ]" pGENERATE CODE，生成工程，用KEIL打开编辑
6 t1 l/ P" d0 \, A' THAL库函数
函数形式：均以HAL_开头
: u& B4 F& G9 h. W& u寻找过程：在驱动文件stm32f4xx_hal_XXX.c或其.h文件中找函数定义，一般在靠后位置
其他说明：
) A4 r4 i, z  tHAL库并没有把所有的操作都封装成凼数。
对于底层的寄存器操作(如读取捕获/比较寄存器)，还有修改外设的某个配置参数(如改变输入捕获的极性)，HAL库会使用宏定义来实现。而且会用__HAL_作为这类宏定义的前缀。
获取某个参数，宏定义中一般会有_GET；而设置某个参数的，宏定义中就会有_SET。
在开发过程中，如果遇到寄存器级别或者更小范围的操作时，可以到该外设的头文件中查找，一般都能找到相应的宏定义。
) M4 ~) `9 T+ e0 ]8 eHAL库函数第一个参数一般都是句柄(一个包含了当前对象绝大部分状态的结构体)，虽然增加了开销，但是用起来便捷了非常多。
中断回调函数
5 r# c, F- v4 _函数形式：HAL_XXX_XXXCallback()。
寻找过程：中断文件stm32f4xx_it.c - > 中断函数XXX_IRQHandler(void) -> HAL库中断函数HAL_XXX_IRQHandler(GPIO_PIN_13) -> 回调函数HAL_XXX_XXXCallback()
外设对应时钟
9 i  H9 `# ]/ }; @  K随便进入一个外设初始化函数，如MX_GPIO_Init()
随便进入一个时钟使能函数，如__HAL_RCC_GPIOC_CLK_ENABLE()
7 U. L3 |( S8 M4 j$ t: U1 v随便进入一个RCC宏定义，如RCC_AHB1ENR_GPIOCEN
" i3 ?% n; ~# w3 K- J; Z或者直接进入stm32f429xx.h文件
里面有所有外设与时钟对应关系，如RCC_AHB1ENR_DMA1EN
. F7 F. A0 J! X9 M5 ^& c
7 F1 d7 x1 O! Q: j1 _9 e  }4 G# v+ G


配置示例
小编有话说
例子源码：
. @, T: ~8 y0 i! M- B( p! L, mhttps://sxf1024.lanzoui.com/b09rf535a  密码:bf5q
3 n- M( u" e2 }# E/ P: }6 F9 X如果配置过程中，参数不知道怎么设置，可以去标准库例程(如野火、正点原子)中看对应的参数是什么Cube软件只是帮你配置了底层，一些初始化代码还是需要自己手动加的，如SDRAM充电初始化、读写函数等
RTC
! }% W; ]: o+ G, |

1. RTC_DateTypeDef sDate;
   % k" P3 s* d, E7 U
2. RTC_TimeTypeDef sTime;
   
3. uint8_t second_tmp = 0;
   
4. 
   
5. 
   
6. HAL_RTC_GetTime(&hrtc, &sTime, RTC_FORMAT_BIN); // 读取时间
   
7. HAL_RTC_GetDate(&hrtc, &sDate, RTC_FORMAT_BIN); // 读取日期
   
8. if(second_tmp != sTime.Seconds) { // 读取秒
   9 `" I2 T  g% }; c& s6 G* S
9.      second_tmp = sTime.Seconds;
   ) e& B$ f; Y5 z: d2 _
10.      printf("20%d%d-%d%d-%d%d\r\n",
    
11.             sDate.Year/10%10, sDate.Year%10,
    
12.             sDate.Month/10%10, sDate.Month%10,
    
13.             sDate.Date/10%10, sDate.Date%10);
    
14.      printf("%d%d:%d%d:%d%d\r\n",
    
15.             sTime.Hours/10%10, sTime.Hours%10,
    
16.             sTime.Minutes/10%10, sTime.Minutes%10,
    6 E) I, M4 }9 c# Y/ `* f2 S
17.             sTime.Seconds/10%10, sTime.Seconds%10);
    
18. }

复制代码

5 F/ m; }, z! iSDIO + FATFS
* C4 ~4 f/ G' Q- K9 N/ `选择SDIO功能，Pinout&Clock Configuration，Connectivity -> SDIO -> Mode: SD 4bit Wide bus -> 勾选NVIC

) Z/ d0 e- D) Y配置SDIO时钟，Clock Configuration，SDIO模块输入要求为48MHz，系统提示可以自动设置时钟问题，选择Yes。SDIO时钟分频系数CLKDIV，计算公式为SDIO_CK=48MHz/(CLKDIV+2)也可手动修改时钟配置。
' {& O7 h9 M- r( S4 E1 Q" G
) I9 H9 K1 ?  s5 x8 @. a3 F8 j( J启用文件系统中间件，Pinout&Clock Configuration，Middleware -> FATFS，模式选择SD卡，配置文件系统：
如果要支持中文文件名，则配置CODE_PAGE为Simplified Chinese
如果要支持长文件名，则要使能USE_LEN

9 Q0 ~( w4 u+ b4 P- v6 a0 d+ T继续上面界面，Advanced Settings勾选Use dma template

设置DMA传输，Pinout&Clock Configuration，Connectivity -> SDIO-> DMA Settings
1 s2 p8 \2 q! B. z! b8 g, z
配置NVIC，Pinout&Clock Configuration，System Core -> NVIC。
注意，SDIO中断优先级必须高于DMA2 stream3和DMA2 stream6的中断优先级

堆栈设置，Progect Manager -> Project -> Linker Settings，加大堆栈大小（注意：由于刚才设置长文件名动态缓存存储在堆中，故需要增大堆大小，如果不修改则程序运行时堆会生成溢出，程序进入硬件错误中断(HardFault)，死循环）。

生成工程，GENERATE CODE ，用KEIL打开

1. UINT bw;
   / C" m* V5 d7 l$ Q# }4 d1 q( g
2. retSD = f_mount(&SDFatFS, SDPath, 0);
   
3. if(retSD != FR_OK) {
   1 a" Y* x7 ~5 {; Z
4.      printf("Mount Error :%d\r\n", retSD);
   
5. }
   - `% \1 C* i8 R! R. n: U
6. retSD = f_open(&SDFile, "0:/test.txt", FA_CREATE_ALWAYS | FA_WRITE);
   + B6 J- z1 m# B6 q5 _; A
7. if(retSD != FR_OK){
   4 e/ R# P& Q. A* I/ Q# G
8.      printf("Open Error :%d\r\n", retSD);
   
9. }
   4 [/ _0 X: d5 Z$ u/ n
10. retSD = f_write(&SDFile, "abcde", 5, &bw);
    
11. if(retSD != FR_OK){
    
12.      printf("Write Error :%d\r\n", retSD);
    # [  o- A  e5 ]' S
13. }
    
14. f_close(&SDFile);
    
15. retSD = f_open(&SDFile, "0:/test.txt", FA_READ);
    
16. char buff[10] = {0};
    
17. retSD = f_read(&SDFile, buff, 5, &bw);
      a, N7 E8 J7 E' b0 J/ E, W
18. if(retSD == FR_OK){
    
19.      printf("%s\r\n", buff);
    $ w. ]; U& ]4 n: @7 T' w
20. }
    
21. f_close(&SDFile);

复制代码

& C4 n9 e* x2 U0 `3 R: WDRAM
开启FMC功能，Pinout&Configuration ，Connectivity -> FMC -> SDRAM2
SDRAM1的起始地址为0XC0000000，SDRAM2的起始地址为0XD0000000。
一般SDRAM都含有4个bank。
Configuration中的参数可从SDRAM的数据手册上找到。
. e8 X" n$ p3 o! C

' F& u3 l9 b5 L1 u各个选项的配置(只做解释，不对应上图)：
5 }' ^0 _: e1 `3 p8 H) v5 R! FClock and chip enable：FMC_SDCKE0 和FMC_SDCLK0对应的存储区域1 的地址范围是0xC000 0000-0xCFFF FFFF；而FMC_SDCKE1 和FMC_SDCLK1 对应的存储区域2 的地址范围是0xD000 0000- 0xDFFF FFFF
  c) r& N! ]- d; `+ H9 X' n! uBank由硬件连接决定需要选择SDRAM bank 2
3 B/ M! |! S: e) NColumn bit number表示列数，8位
Row bit number表示行数，12位
CAS latency表示CAS潜伏期，即上面说的CL，该配置需要与之后的SDRAM模式寄存器的配置相同，这里先配置为2 memory clock cycles(对于SDRAM时钟超过133MHz的，则需要配置为3 memory clock cycles)
" p1 W( E1 v, M7 V+ w, R) nWrite protection 表示写保护，一般配置为Disabled
SDRAM common clock为SDRAM 时钟配置，可选HCLK的2分频\3分频\不使能SDCLK时钟。前面主频配置为216MHz，SDRAM common clock设置为2分频，那SDCLK时钟为108MHz，每个时钟周期为9.25ns
SDRAM common burst read 表示突发读，这里选择使能
+ s* Y3 C8 E4 lSDRAM common read pipe delay 表示CAS潜伏期后延迟多少个时钟在进行读数据，这里选择0 HCLK clock cycle
Load mode register to active delay 加载模式寄存器命令和激活或刷新命令之间的延迟，按存储器时钟周期计
3 t' {# Q7 c) h7 C% ^! D
' b* q1 {/ G* }2 G: |5 R, f/ m: i/ d
Exit self-refresh delay从发出自刷新命令到发出激活命令之间的延迟，按存储器时钟周期数计查数据手册知道其最小值为70ns，由于我们每个时钟周期为9.25ns，所以设为8 (70÷9.25，向上取整)
' s# b! N+ Z1 C6 L  F
9 b) q( F+ A! P4 T5 Q7 w5 g
+ `# A" B+ a# n3 k% \* YSDRAM common row cycle delay刷新命令和激活命令之间的延迟，以及两个相邻刷新命令之间的延迟， 以存储器时钟周期数表示
' e* A4 [" A& A& t* `; s查数据手册知道其最小值为63ns，由于我们每个时钟周期为9.25ns，所以设为7 (63÷9.25，向上取整)

! ?6 c' X0 P& M5 i  `9 O, Y
) C6 `& r7 S% ^5 u/ RWrite recovery time写命令和预充电命令之间的延迟，按存储器时钟周期数计
) ]  q1 x* ?6 G

: Z  n% n: A3 A7 [3 ~3 M3 MSDRAM common row precharge delay预充电命令与其它命令之间的延迟，按存储器时钟周期数计
# n' D7 _# U" `9 G# r查数据手册知道其最小值为15ns，由于我们每个时钟周期为9.25ns，所以设为2 (15÷9.25，向上取整)

; @# h" T! q% ]# X% i- h9 Z; v; s' u
& \' Z& O( ^6 u; E- X( |Row to column delay激活命令与读/写命令之间的延迟，按存储器时钟周期数计
查数据手册知道其最小值为15ns，由于我们每个时钟周期为9.25ns，所以这里本应该设为2 (15÷9.25，向上取整)
但要注意，时序必须满足以下式子：
TWR ≥ TRAS - TRCD
2 E) I, e* H  L$ i" `! P/ xTWR ≥ TRC - TRCD - TRP
  \( y! T% y9 I* S: M  v) J# i其中：TWR = Write recovery time = 2
TRAS = Self refresh time = 5
TRC = SDRAM common row cycle delay = 7
TRP = SDRAM common row precharge delay = 2
TRCD = Row to column delay
/ D5 _4 j" f2 z2 O* c/ w所以这里Row to column delay应该取3
2 I4 Q; P0 c0 V

! @. }& z& _5 O$ h7 c! n. C生成代码，GENERATE CODE， 用KEIL打开
$ E, @% z4 Z' K

1. uint8_t temp[100]__attribute__((at(0xD0000000)));
   
2. for(int i=0;i<100;i++){
   8 R8 C: L: a, }7 Q
3.      temp[i] = i;
   
4. }
   ; l' _3 s" b4 l" s, q
5. for(int i=0;i<100;i++){
   
6.      printf("%d ", temp[i]);
   7 R) W* d! \# h  b  a( O
7. }

复制代码

" c9 z! X+ f( a  M# a- \
到这里只是借助Cube完成了引脚配置，还需要SDRAM初始化操作和读写函数，可从官方例程里获取，路径：
0 e  U" ?7 s+ [! M/ O" a! k) m, }C:\Users\10617\STM32Cube\Repository\STM32Cube_FW_F4_V1.25.0\Drivers\BSP\STM32F429I-Discovery\XXX

2 [2 {/ @+ ~$ j9 q) V7 j

1. /*****************************SDRAM使能函数******************************/
   
2. 
   
3. /**
   - ~2 F" v3 ?4 R- K9 c1 @
4.    * @brief 对SDRAM芯片进行初始化配置
   
5.    * @param None.
   
6.    * @retval None.
   8 I4 l" ?% ^9 T0 h: }2 z: Y! }  L
7.    */
   ! J" E# _( y! H3 k$ _( ?# J) `
8. static void USER_SDRAM_ENABLE(void)
   
9. {
   3 V" ]0 {* ?* O
10. FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;
    . P# }, `5 C  X
11. 
    
12.    __IO uint32_t tmpmrd =0;
    
13.    
    ( m- D/ O$ p/ v) w' t7 L1 B
14.    /* Step 1: Configure a clock configuration enable command */
    " ]' ~0 ?; W- r* u
15.    Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;
    ! T3 T& P+ [% b5 m; E# U8 o
16.    Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
    1 M4 k6 y$ Q! m
17.    Command.AutoRefreshNumber = 1;
    - t) \6 G, s9 ]  p( r
18.    Command.ModeRegisterDefinition = 0;
    
19. 
    
20.    /* Send the command */
    , W7 w* J  ?/ I; f
21.    HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
    + ~/ W6 m5 s7 u2 M; \: O, J
22. 
    0 u% V6 l5 P0 A: m( N3 f9 v, T
23.    /* Step 2: Insert 100 us minimum delay */
    ; N, Y, m- F7 D6 L+ L
24.    /* Inserted delay is equal to 1 ms due to systick time base unit (ms) */
    / C9 |4 ^9 a4 t. @& _2 X! c$ Z  c
25.    HAL_Delay(1);
    
26. 
    8 R- e7 L& i" n& |  B8 x5 ~6 P
27.    /* Step 3: Configure a PALL (precharge all) command */
    
28.    Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_PALL;
    ! [2 v$ b1 n7 t7 v% b
29.    Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
    
30.    Command.AutoRefreshNumber = 1;
    
31.    Command.ModeRegisterDefinition = 0;
    
32. 
    4 n2 d* @& O) [, ?6 H
33.    /* Send the command */
    
34.    HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
    1 B) l3 l8 G* n. n$ I
35.    
    . D% K) v- S9 L2 K0 X6 [
36.    /* Step 4: Configure an Auto Refresh command */
    . R+ J7 Y6 ~( p/ t( r" n
37.    Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;
    
38.    Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
    
39.    Command.AutoRefreshNumber = 4;
    0 H9 D* S5 o- b2 ?- i" i: W
40.    Command.ModeRegisterDefinition = 0;
    ( m$ _" |1 [( v6 C7 p; T! T) z& \
41. 
    
42.    /* Send the command */
    
43.    HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
    
44.    
    
45.    /* Step 5: Program the external memory mode register */
    
46.    tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_2 |
    3 |1 Q+ y4 P7 \: G  T2 L
47.                       SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL |
    6 |3 W9 q# D  m' J( C* {
48.                       SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3 |
    . x; }! I) v2 ?' U3 z$ ]* L# k' k
49.                       SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |
    
50.                       SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;
    & S4 X, U, K- c5 n
51.    
    7 _/ F. z' Y& p, d) J+ y5 W
52.    Command.CommandMode = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;
    
53.    Command.CommandTarget = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;
    
54.    Command.AutoRefreshNumber = 1;
    % p' P' \5 V& ~: V
55.    Command.ModeRegisterDefinition = tmpmrd;
    4 I7 z- r+ A6 m( B
56. 
    
57.    /* Send the command */
    3 K: v+ ~, X1 @
58.    HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
    - R  Q0 _/ n2 y' s  j) S3 U
59.    
    
60.    /* Step 6: Set the refresh rate counter */
    
61.    /* Set the device refresh rate */
    
62.    HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1, REFRESH_COUNT);
    8 @; X. R# ~2 f4 l0 j) d: ]' E
63. }
    " X2 Z0 N- J' O6 L$ P" ~, g- L
64. /*****************************使能函数结束******************************/

复制代码

或者以我的野火STM32F429IGT6的版本，源码链接：
, s  @8 I4 a- h& b0 w9 b: B" z, Lhttps://sxf1024.lanzoui.com/b09rf535a  密码:bf5q
添加到工程Core路径下，然后在KEIL中初始化操作：
7 D  W; A0 C7 m

1. #include "bsp_sdram.h"
   , W- f( J& I# @  B
2. MX_FMC_Init();
   
3. SDRAM_InitSequence();

复制代码

) D8 B  j$ j# h" g/ \8 h! |
$ E1 C. C, h* d% t6 M0 s3 v2 o