使用stm32g030f6p6 对flash快速编程时总是第一次可以正常的写，第二次写就失败，失败地方总在 HAL_FLASH_Program这条函数，这个地方卡了好几个星期了，现在请广大的坛友帮忙解决或者分享下经验。
下面时个人写的程序，字节对齐时没错了，
   HAL_StatusTypeDef sta=0;
    uint32_t end_addr;

    HAL_FLASH_Unlock();                                                   
    if(init==FLASH_SAVE)
        flashAddr += FLASH_INDEX_SIZE;

    end_addr =flashAddr+write_num*FLASH_INDEX_SIZE;  

    if(end_addr > g_my_flash.flash_end_addr || init==FLASH_ERASER)/*如果如果地址大于存储的结束地址 则把当前页面的数据擦除*/
    {       
        flashAddr = g_my_flash.flash_start_addr;
        end_addr =flashAddr+write_num*FLASH_INDEX_SIZE;         
        ClrFlashPage();    //清除
    }

  while (flashAddr < end_addr)
  {
    if (HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, flashAddr, *p_Write) == HAL_OK)
    {
        p_Write+=1;
        flashAddr = flashAddr + 8;
    }
   else
    {
      /* Error occurred while writing data in Flash memory.
         User can add here some code to deal with this error */
      while (1)
      {        
            LED_ON;
            HAL_Delay(1000);
            LED_OFF;
            HAL_Delay(1000);
      }
    }
  }   
    flashAddr = flashAddr - FLASH_INDEX_SIZE;  
    HAL_FLASH_Lock();   

你如果快速编程的话，相关函数要放到RAM里进行。前不久，我刚好基于G0测试过，你度娘一下这个   STM32L0芯片FLASH编程示例及提醒  做参考。快速编程函数放到RAM里进行。​二者快速编程不完全一样，G0的快速编程是页编程，即256字节的页编程。

对于G0而言，如果标准FLASH编程，你要遵循双字（64bits）对齐，如果快速编程，你要遵循页对齐即256字节对齐，而且还要在RAM里运行快速编程函数。

xmshao 发表于 2021-4-9 08:56
对于G0而言，如果标准FLASH编程，你要遵循双字（64bits）对齐，如果快速编程，你要遵循页对齐即256字节对齐 ...

我用的不是快速编程，一次只存储两个字 对齐是64，现在还是不行，每次写数据都死在这里：
/* check flash errors. Only ECC correction can be checked here as ECCD
      generates NMI */
  error = (FLASH->SR & FLASH_FLAG_SR_ERROR);

  /* Clear SR register */
  FLASH->SR = FLASH_FLAG_SR_CLEAR;

  /* Update error with ECC error value */
  eccerr = (FLASH->ECCR & FLASH_FLAG_ECCC);

  if(eccerr != 0x00u)
  {
    FLASH->ECCR |= eccerr;
    error |= eccerr;
  }

  if (error != 0x00U)
  {
    /*Save the error code*/
    pFlash.ErrorCode = error;

    return HAL_ERROR;
  }

请问楼主说的“总是第一次可以正常的写，第二次写就失败”是什么意思？
是同一个扇区同一个位置写第一次成功，写第二次失败？还是同一个扇区写第一个双字正确，写第二个双字就出错？
如果是写同一个扇区的同一个位置，有确认在写操作之前已经正确擦除么？

飞奔的皮卡丘 发表于 2021-4-13 11:42
请问楼主说的“总是第一次可以正常的写，第二次写就失败”是什么意思？
是同一个扇区同一个位置写第一次成 ...

每次写不是同一个地址的，写入新的地址都是新的空白地址，新的地址是就地址经过偏移得到的，目前是上电运行我的测试程序是可以正常整页擦除操作的，但是进入到main函数的时候再调用，就会出现问题，

の风 发表于 2021-4-10 09:39
我用的不是快速编程，一次只存储两个字 对齐是64，现在还是不行，每次写数据都死在这里：
/* check flash ...

执行编程之前最好先清除一下相关标志位

1.     /* 清楚错误标志位*/
   
2.     __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_ECCC | FLASH_FLAG_ECCD);
   
3.     __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_SR_CLEAR);

复制代码

另外g030的flash要写数据，一定要保证要写的地址的内容当前是0xFFFFFFFFFFFFFFFF