01 驱动时序( ~( `( \& J$ T' Y% r3 u
我们通常说的MCU-LCD接口，就是8080接口。
" Z/ v6 w' q: R' o8 u9 i" W! Z$ G% @1 i) M. Z1 [
下面是LMT028DN给出的8080模式总线时序
2 W" @, ]/ ]. ?( X* N& `* f. ^' ^* \3 ?0 z. |& Z' g
! y ^9 ]" ?# ^$ a; T' C7 a. `- l7 p/ v
下面是总线时序中的参数
9 A0 k0 _7 M! ]7 |. |' @4 \, R& z5 R9 d* I" ^- j; [
0 x& o2 y$ v( V `% t' T
时序参数1 D( L \. v! x$ Y
2 f/ d5 o0 z* [- o+ C
Tast->地址设置时间
2 \& J$ X* u2 b; B8 O$ l0 t" ~* D% ~8 C0 u+ G/ i$ @! Y5 x
Taht->地址保持时间(写)3 ~7 F# P8 u9 Q% v% t( @0 P: |
, [ E! D: ^4 n9 j: ~Tchw->芯片选择高脉冲宽度$ R! h( B C# a$ l7 [3 a
4 d" i. }( ?5 X, Z- u+ W
Tcs->芯片选择设置时间(写)3 @7 V# a$ }3 C8 y" ^0 B
. \& e1 F+ L1 k5 S& r
Tcsf->芯片选择等待时间(写)) c, a5 e9 t% {" V- C
. _# u& q# U+ N2 m7 [Twc->写入周期/ D+ D6 X4 J! l1 l8 k) v" d6 J
1 O; J3 z2 f2 ?. ^
Twrh->控制脉冲高电平时间8 \( ?1 q* w$ @9 W. C h" g* [
% l- S% i" l1 {( y3 V$ o. |/ p
Twrl->控制脉冲低电平时间- ^: L% f, W* b6 N0 ~# n
6 P4 ]" d# p$ v) g. P: P0 M$ X+ T, lTdst->数据设置时间1 {3 {) ]3 O8 Q1 s8 U
. s5 C1 ^- G, ?* [Tdht->数据保持时间
/ _9 p6 p! B: i( L5 G/ z0 w: W% @# |2 h! p
根据FSMC的配置和时序图，我们需要的3个时序参数是7 b9 F+ q. \( W* H: b; R3 E s4 d
$ ]0 c9 T3 Q& {# k* g" X
3个重要参数
" n# r+ c3 @0 t% b1 I/ [7 N, A- e) b) D+ D, A Y
1、地址建立时间：5ns( k* n) x' W) \- f4 V' z2 S6 Q
' C" f- Y, k h% I! K. ~+ |' H$ X2、地址保持时间：13ns; y$ u0 {2 F8 [/ t! w0 V7 j1 @
8 [; t# A D% Y; @- A3、数据建立时间：13ns
B& W- j- i" M, h& _; A+ j1 y# |8 y% i4 n/ X
以上数据均是满足时序图的最小时间，实际应用中，不能设置成最小值，也不能大于最大值（如果有的话），以实际应用为主，如果设置时间太快，反而不稳定。
7 Z. U9 G; I/ K( h* E: |8 J+ Q* W* N x: C6 F) i
因为我们把LCD使用8080接口驱动SRAM的方式，所以可以选择FSMC的模式1和模式A，但是/RD的切换，也就是FSMC的NOE的切换，所以只能选择模式A，观察时序图，读写时序一致，所以可以选择读写一致的配置。
2 U7 A! s2 ?" Y3 o/ J6 s, \- @( w
0 k7 S5 W: }+ v4 m02 FSMC外设配置- i. q0 ^$ F6 G: V- a$ r
FSMC外设配置代码6 T: T0 o. I/ T2 Y5 Y+ v/ Z9 A
+ B% i% n' P) Z+ a
- readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x02; //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 2*1/120M=16ns# \* H) @; x5 j. a( e
- readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x02; //地址保持时间（ADDHLD）,16ns & ]1 }% \0 F/ ~& z$ L' V
- readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x06; //数据建立时间，50ns) j" E* ~9 D% g( ]& A3 `
- readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;//总线恢复时间
6 S+ o4 b& X2 W2 D3 o - readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;// 时钟分频因子 5 [9 G% Q& K C! n
- readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;//数据产生时间
/ X4 L' H0 j& O4 A - readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; //模式A
/ c+ p6 q! f! M - 0 S% s Q+ Q. y1 R [: d
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;// 这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[6],[7]。
( r3 i2 J3 T4 F# {1 s - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;// 不复用数据地址
2 K; p5 }: T$ N$ l - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;
/ G( @, k9 g7 U) Z1 f; _ - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b;//存储器数据宽度为8bit ! d; x4 \8 o* h* n
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
1 w# t+ g9 d% ? o% `7 k - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;
2 g# Z- x# A( J( v# {& V3 }% Y+ G( f9 O - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
; J7 m, ]; U- n. W" { - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;' T4 L# m: U; l& L: I* ]
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
' w* q( ?+ M4 V( i - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;// 存储器写使能
6 L) D* e* l( q0 o \ - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;9 A% G8 R) |& U1 N
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;// 读写使用相同的时序
' e, Y3 ~9 f% f - FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;/ ?% u+ ~) t6 j: [5 S' X7 p4 @. [
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;//读写时序' \/ Y/ b* B* M* N* P1 K
- FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;//写时序
读写接口代码：6 ^; ]# l( {5 ~8 A8 K
( L" n9 ~2 L+ u, V% D: A" F
结构体定义,这里利用了结构体地址递增特性
* I/ c( b+ m3 M4 Z# I. o7 k1 Y" ]1 e* N7 z* w
- typedef struct
5 W0 }4 [5 o6 b9 v2 ]5 T - {* n+ s( N( |, n/ X2 E' B! e& @
- uint8_t LCD_CMD;//用于LCD命令操作4 l7 w ?1 U% o
- uint8_t LCD_DATA;//用于LCD数据操作3 P+ A7 v: H& w) g1 \2 o6 u
- } LCD_TypeDef;
+ p( z G2 K. Z$ j% a - #define LCD_BASE ((uint32_t)(0x60000000 | 0x0000FFFF)): O' w) ~6 Y8 Q+ b! K( V, B8 D1 U
- #define LCD ((LCD_TypeDef *) LCD_BAS
/ _% f) J7 ?0 V- A. V5 a% L读写接口
0 q. P2 u( C( f# R% |; a* ]) x! x8 H8 C
- void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd ), e0 U J3 P- ]" }# N8 ^
- {
- z8 K7 E+ _- \, [ - LCD->LCD_CMD=usCmd; $ F' j; l0 @' D
- }/ y) ?2 F' v t' e, E
- void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
# G2 Z/ L6 _( {- X5 G0 a - {
0 [( n2 A. R! s& h+ A* Z4 Z - LCD->LCD_DATA = usData;2 J+ f4 d( S5 r; T
- }
8 s, h# }/ _! e1 V. c' |% z$ l也可以简单明了的如下写法
5 A8 ~. a1 S; m! W% j9 J
' A6 O1 K! V( C, S- #define FSMC_Addr_LMT028_CMD ( ( uint32_t ) 0x60000000 )
l7 E& q. e; \1 n6 ~ - #define FSMC_Addr_LMT028_DATA ( ( uint32_t ) 0x60010000 )' g5 h8 l- b" o; W+ r) K7 |
j% e2 ~% V m' j6 Z0 d- void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
! D' V* q+ H; C! } - {
" n3 r9 E- {% x$ } - *( (uint32_t * )FSMC_Addr_LMT028_CMD)=usCmd;
& n6 o F' W3 m C! x6 S, ?% Q - }
6 J: h* h7 y5 `. S- V - void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )% w' n) C* n" ?) f) P) L- B; d
- {+ f$ {) L/ C o& n
- *( (uint32_t * )FSMC_Addr_LMT028_DATA) = usData;' X& p) e$ K8 U: ]6 M5 A% n& _
- }
03 背光驱动
( y- A) Z* L/ N) ^5 QLED背光驱动，根据高电平的占空比决定的，共有32个亮度等级，使用PWM驱动最为合适，通过调节占空比，调节亮度。( x8 L# F1 J& v
' W( m; L% C, y; v6 j
F0 V" J, h1 Y, Y. Q) W; w4 v; a/ h6 ~
04 复位驱动
, u% \* U0 ~) c( u2 ]& w2 W$ {复位脚大于10ms的低电平，然后最大170ms的高电平+ C/ H; O( _# k3 z
+ h7 C! c$ d6 J) y8 n6 f
% P$ x+ A o: y2 U4 k: r$ C. e- x* R% |( v7 ?
05 寄存器配置寄存器配置还是要先参考厂家给的示例demo，根据LMT028手册进行修改，LMT028手册只有重要的寄存器说明，详细的寄存器说明需要参考ST7789手册。 $ J/ j0 n9 T; _- O o
3 F9 _. ^5 G0 @1 \$ {$ | |
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STMCU小助手
发布时间：2022-4-18 11:12
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