01 驱动时序
我们通常说的MCU-LCD接口，就是8080接口。
& C0 `% _" W6 b  ^" r
下面是LMT028DN给出的8080模式总线时序

; b" d+ \3 R7 ~6 j
1 d% u3 @' ~: t0 t6 j/ }% O# R& m" `
0 B- Q& D/ _4 e5 d9 i7 @下面是总线时序中的参数

; P5 H8 F6 V8 I
4 E) q! J$ z8 z时序参数

Tast->地址设置时间

/ s- U0 ]; S# A' l) ]Taht->地址保持时间(写)

: g# x7 U4 B  n  a7 v9 BTchw->芯片选择高脉冲宽度
- E3 r: L% ~5 v
Tcs->芯片选择设置时间(写)
8 t3 i" y8 k( X5 X; n
Tcsf->芯片选择等待时间(写)

1 x9 j  P5 I7 ]8 l) {7 X  R# dTwc->写入周期

: G/ m3 V/ z  [, B- R) ITwrh->控制脉冲高电平时间

0 Y% {$ ?. ?9 k2 C. ~, }Twrl->控制脉冲低电平时间
5 }% S. e: L: W+ t) j
! B5 }4 p7 \: M' X* n3 F; mTdst->数据设置时间

; P6 R, N4 Z( b! E$ iTdht->数据保持时间

根据FSMC的配置和时序图，我们需要的3个时序参数是

  j* n7 W' ?1 K8 H9 H! ^" |6 f3个重要参数
' j9 O! `4 V* C1 s' W; G
5 `8 a& ?! h, f6 Q- N1、地址建立时间：5ns

6 K, K( B! T; L5 ]# |2、地址保持时间：13ns

3、数据建立时间：13ns

以上数据均是满足时序图的最小时间，实际应用中，不能设置成最小值，也不能大于最大值（如果有的话），以实际应用为主，如果设置时间太快，反而不稳定。

因为我们把LCD使用8080接口驱动SRAM的方式，所以可以选择FSMC的模式1和模式A，但是/RD的切换，也就是FSMC的NOE的切换，所以只能选择模式A，观察时序图，读写时序一致，所以可以选择读写一致的配置。

2 d" f( N/ Q6 w; M02 FSMC外设配置
/ w% t' g( R' a, kFSMC外设配置代码

1. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x02;   //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 2*1/120M=16ns
   
2. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x02;   //地址保持时间（ADDHLD）,16ns  
   
3. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x06;     //数据建立时间，50ns
   5 n/ d- G) N- \1 D3 z" m( d
4. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;//总线恢复时间
   6 a3 {1 I( [$ j  U4 A0 N" P
5. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;// 时钟分频因子
   
6. readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;//数据产生时间
   + Y' o9 L# F' E  x2 N/ }, P  {/ A/ n
7. readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;   //模式A
   
8. 
   
9. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;//  这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[6],[7]。
   ; `- L+ \& _# t$ i  J- W2 ~( Y
10. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;// 不复用数据地址
    # j9 w* G4 p! y
11. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM;
    
12. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_8b;//存储器数据宽度为8bit   
    
13. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    ( W/ j  y! \% J* s" @& A0 Z
14. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;  
    $ n, s1 Y( Z3 t
15. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    
16. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
    
17. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
    
18. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;//  存储器写使能
    
19. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
    
20. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;// 读写使用相同的时序
    
21. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
    
22. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;//读写时序
    
23. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;//写时序

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3 _1 g2 w' D% L, i读写接口代码：

0 `4 o* b- T) |' i; X结构体定义,这里利用了结构体地址递增特性

1. typedef struct
   
2. {
   
3.   uint8_t LCD_CMD;//用于LCD命令操作
   ; Y! L1 l, J- c, W0 R1 k) U2 Y
4.   uint8_t LCD_DATA;//用于LCD数据操作
   5 E* s9 F# v3 \) m% \: ?
5. } LCD_TypeDef;
   # Q7 W- i" M. L& e3 d" l
6. #define LCD_BASE        ((uint32_t)(0x60000000 | 0x0000FFFF))
   
7. #define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BAS

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( M4 U1 j/ [6 Y+ T9 n5 z读写接口
* ~; E2 m0 f: i# [: ~5 f  i
/ D1 f# S  {1 B; ?/ H; p/ W6 S

1. void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
   # O) T/ C. V6 U( r( L8 m* C
2. {
   0 J) g7 O, l. j' z+ U
3.   LCD->LCD_CMD=usCmd;  
   
4. }
   3 ?2 y% g" M) s% G
5. void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
   : g( g. d& r) b. |6 W6 ]
6. {
   " r5 }5 M* ^5 C8 Y( Z& x! z
7.   LCD->LCD_DATA = usData;
   
8. }

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/ p( R! z5 r% y" y% e也可以简单明了的如下写法
' ?( O9 C1 V/ V) G
: _3 ^4 V; M9 e5 [5 X( ?: g  `& w: `6 X

1. #define      FSMC_Addr_LMT028_CMD         ( ( uint32_t ) 0x60000000 )      
     R% J" A  V; j* l) |% n7 Q$ @: j2 d
2. #define      FSMC_Addr_LMT028_DATA        ( ( uint32_t ) 0x60010000 )
   # ]' y2 O* ]) P9 ^# w
3. 
   . ]5 A* ^/ V; N
4. void LMT028_Write_Cmd ( uint8_t usCmd )
   % ]3 P/ ~. v8 i& s- Q
5. {
   3 D% V% k' [6 M: K( T
6. *( (uint32_t  * )FSMC_Addr_LMT028_CMD)=usCmd;  
   
7. }
   
8. void LMT028_Write_Data ( uint8_t usData )
   
9. {
   % q( ~: @( a  U' d! g
10.   *( (uint32_t  * )FSMC_Addr_LMT028_DATA) = usData;
    
11. }

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03 背光驱动
. T5 R; D0 m' M) I7 ~  oLED背光驱动，根据高电平的占空比决定的，共有32个亮度等级，使用PWM驱动最为合适，通过调节占空比，调节亮度。
5 c' [! t1 p& Q


3 o- Q0 R4 D; |; `4 A0 e04 复位驱动
( F9 |2 C6 t7 g# Z+ K% K  l复位脚大于10ms的低电平，然后最大170ms的高电平
) t: d+ O7 Q8 w5 j" P
: R1 F8 K: m3 n' a0 e7 e5 @
/ i5 P+ R2 E# P) A6 s" J- E
0 j2 @7 k$ ^; T% ?05 寄存器配置

寄存器配置还是要先参考厂家给的示例demo，根据LMT028手册进行修改，LMT028手册只有重要的寄存器说明，详细的寄存器说明需要参考ST7789手册。

0 i0 m/ s2 Z9 T3 A9 H) c5 o