1、总线    系统结构：

    系统包括一个由多个互相连接的32位AHB总线组成的矩阵。

• 8个主总线
  
  

    – Cortex-M4 with FPU core I-bus, D-bus and S-bus

    – DMA1 memory bus

    – DMA2 memory bus

    – DMA2 peripheral bus

    – Ethernet DMA bus

    – USB OTG HS DMA bus

+ K- x( F: F) l! I$ ?2 m& Y0 p  c

• 7个从总线:
  
  

    – Internal Flash memory ICode bus

    – Internal Flash memory DCode bus

    – Main internal SRAM1 (112 KB)

    – Auxiliary internal SRAM2 (16 KB)

    – AHB1 peripherals including AHB to APB bridges and APB peripherals

    – AHB2 peripherals

    – FSMC

    总线矩阵也能够提供主到从的访问，从而使能并发访问，甚至在多个高速外设同时工作的时候也能够高效工作. 64Kbyte的CCM(core coupled memory)数据RAM不是总线矩阵的一部分，只能通过CPU来访问。

    总线类型：

• I-bus

  该总线连接带有FPU的Cortex-M4内核的指令总线到BusMatrix. 该总线被内核用于取指令操作. 该总线的控制目标是一块包括代码的内存 (internal Flash memory/SRAM or external memories through the FSMC/FMC).

• D-bus

  该总线连接带有FPU的Cortex-M4内核的数据总线到64Kbyte的CCM数据RAM再到BusMatrix. 该总线被内核用于下载代码与调试. 该总线的控制目标是一块包括代码或者数据的内存 (internal Flash memory or external memories through the FSMC/FMC).

• S-bus

  该总线连接带有FPU的Cortex-M4内核的系统总线到BusMatrix. 该总线被用来访问加载到SRAM或者外设的数据. 指令也可能通过该总线取得 (没有ICode来的高效). 该总线的控制目标有：内部的SRAM1, SRAM2 and SRAM3, AHB1的外设(包括APB外设), AHB2的外设和通过FSMC/FMC的外部内存

• BusMatrix

  BusMatrix 管理主总线之间的访问仲裁. 仲裁使用循环算法

  
  

    总线结构图：

4 o0 @" a$ i2 _  T5 ~: a* z: l2、内存分布

    编程空间(代码空间), 数据空间, 寄存器和I/O端口被组织在同一个线性的

4Gb空间中。所有的数据都按照小端存储，可寻址内存空间被分为8个块, 每块包括512MB。

    所有没有被分配到片上内存或者片上外设的空间都被成为”reserved”

嵌入式SRAM。

    STM32F407ZG配置了4 Kbytes的备份 SRAM，192 Kbytes的系统SRAM。

    嵌入式SRAM可以以字节，半字，字的方式访问，可以以CPU的速度进行无需等待的访问，嵌入式SRAM被分为以下3个块：
! ^  E$ ]3 G- L

7 R$ |5 t/ C" w$ S: V
• SRAM1 和 SRAM2 映射到 0x2000 0000 地址并且可以被所有的 AHB 总线访问.
• SRAM3 (只有 STM32F42xxx 与 STM32F43xxx 系列可用) 映射到 0x2002 0000 地址处并且可以被所有的 AHB 总线访问
• CCM (core coupled memory) 映射到 0x1000 0000 地址处只能够通过D-bus被CPU访问
  
  

位带操作

    在STM32中提供了两个位带操作域以及对应的位带别名域。

4 ~, s7 W1 m' I8 H' }% c% R

位带操作域	位带别名域
SRAM的低1M字节 : 0x2000 0000~0x200F FFFF	0x2200 0000~0x23FF FFFC
外设的低1M字节 : 0x4000 0000~0x400F FFFF	0x4200 0000~0x43FF FFFC

位带操作公式：

1. bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset x 32) + (bit_number × 4)

复制代码

例子：

1. 0x22006008 = 0x22000000 + (0x300*32) + (2*4)
   
2. /* 对0x22006008的读写就实现了对0x2000 0300处第2个bit的读写 */
   ( q. K, |, n! I% T
3. /* 同理，若要对0x40000000地址块进行位操作，需要把上面式子右边的0x22000000换成0x42000000 */

复制代码

    以后我们想直接操作某个寄存器的某一位的时候，只需要找到这一位对应的别名地址，然后对别名地址进行读写即可实现对这一位的读写。如果想实现这中操作的话，只需要定义宏即可,例如下面的：

1. #define REGISTER_BIT_BAND(ofs, bit_num) (0x22000000 + (ofs << 5) + (bit_num << 2))
   + A  ^8 M1 X$ ]3 a& V; E
2. #define WRITE_R_BIT_BAND(ofs, bit_num, stat) (*((volatile unsigned int *)REGISTER_BIT_BAND(ofs, bit_num)) = stat)
   
3. //上面两个宏可以实现对寄存器位带域的操作

复制代码

6 I! W4 [9 g! G3 `6 f0 T

    内核编程手册给出的M系列4GB内存分布。

3、启动配置启动方式

Boot mode selection pins		Boot mode	Aliasing
BOOT1	BOOT0
x	0	Main Flash memory	Main Flash memory is selected as the boot space
0	1	System memory	System memory is selected as the boot space
1	1	Embedded SRAM	Embedded SRAM is selected as the boot space

    我的板子启动是在main flash memory，由前面的ARM编译工具一节可以知道代码从0x08000000开始运行，这个也是由分散加载文件指定的，也是板子上面main flash实际地址物理地址重映射。

    下面的内存空间可以被重映射:

1. Main Flash memory- System memory- Embedded SRAM1 (112 KB)- FSMC bank 1 (NOR/PSRAM 1 and 2)

复制代码

    映射表为：

    映射到0x00000000地址处的内存块可以由SYSCFG控制器的(SYSCFG_MEMRMP)寄存器低二位决定，如下表所示：

/ h( ]+ h, {  \

bit1	bit0	memory selected
0	0	Main Flash memory mapped at 0x0000 0000
0	1	System Flash memory mapped at 0x0000 0000
1	0	FSMC Bank1 (NOR/PSRAM 1 and 2) mapped at 0x0000 0000
1	1	Embedded SRAM (SRAM1) mapped at 0x0000 0000从表中

   可以看出来从main flash启动的时候flash memory会被重新映射到0地址开始处，大小为1MB,但是我的板子依然是从0x08000000地址处运行代码的，现在由表中数据可以看出来从0地址开始运行也是可以的，可能是为了适应不同的启动方式，所以才从0x08000000地址处开始运行系统代码的。如果要从其他的地方运行flash memory中的代码，只需要在那种方式对应的被重映射到0地址空间代码段开头加上一个跳转语句，直接跳转到0x08000000地址处就可以运行代码了。

/ v1 [6 A4 C- a0 b8 T6 O

4、嵌入式flash memory接口特性：

• Flash memory 读操作
• Flash memory 编程/擦除操作
• 读/写保护
• 指令预取
• I-Code上面有 64 个 128 位宽的快速存取线
• I-Code上面有 8 个 128 位宽的快速存取线
  
  4 Y1 a% Z/ @8 S% v7 A8 f

flash memory特性：

• 1M byte容量
• 128位的读数据位宽
• 支持 Byte, half-word, word and double word 写入
• 支持扇区与块擦除
• 支持内存组织
  
  
  4 \2 b' @! `; H
  • – main memory 分为 4 个 16 Kbytes 大小扇区, 1 个 64 Kbytes 大小扇区,和 7 个 128 Kbytes 大小扇区
  • – 不同启动设备对应相应的system memory
  • – 512 OTP (一次性编程) bytes
  • – 可选配置读写保护
  • flash memory可以被组织成下面的样子:
    
    
    8 m# o2 j& N7 E$ x9 j! q
• 低电量模式
  
  

    内存分布图：
2 L1 M6 e2 L5 _- N, j: D8 n

4 F% E/ n% Q+ c' S! V4 t    额外补充时钟一节内容：

    VOS 在 PWR_CR 寄存器的 bit15 位被设置。

当 VOS = ‘0’, fHCLK 最大为 144 MHz.
当 VOS = ‘1’, fHCLK 最大为 168 MHz.

等待周期
/ w0 z8 ^/ A9 ]  等待周期指的是CPU访问Flash的等待时间，CPU访问Flash的周期就是等待周期加上1，这个与Flash的硬件性能有关。

; ?1 y0 o/ y0 G; {" i, D
, Y5 p+ p$ W9 R; {+ p