功能
■ 内核：ARM 32位的Cortex™-M3 CPU
' t9 K! R: ~; c9 R% B) E: S* @− 最高72MHz工作频率，在存储器的0等待周期访问时可达1.25DMips/MHz(Dhrystone 2.1)
− 单周期乘法和硬件除法
■ 存储器
1 K/ j7 H3 o/ X; L− 从256K至512K字节的闪存程序存储器
− 高达64K字节的SRAM
− 带4个片选的静态存储器控制器。支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器
− 并行LCD接口，兼容8080/6800模式
& |7 F% b4 K, u6 w■ 时钟、复位和电源管理
. Q4 L$ W- D0 A: _. m( D9 z− 2.0～3.6伏供电和I/O引脚
− 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)
0 X9 j$ j5 y  I. D8 X9 }' h− 4～16MHz晶体振荡器
− 内嵌经出厂调校的8MHz的RC振荡器
/ U1 O/ {) q9 W  l− 内嵌带校准的40kHz的RC振荡器
7 ~, D0 F% P$ \; P. }) p7 e1 d− 带校准功能的32kHz RTC振荡器
0 u6 @8 }0 w6 ]■ 低功耗
* |* H5 R7 i0 L$ w− 睡眠、停机和待机模式
/ F. a( Y6 M" X3 A9 r* b+ l− VBAT为RTC和后备寄存器供电
■ 3个12位模数转换器，1μs转换时间(多达21个输入通道)
− 转换范围：0至3.6V
/ `+ P, u+ _& F− 三倍采样和保持功能
5 {; P7 H3 r* ]; G. T) c2 [( ^' T/ q8 y' C− 温度传感器
■ 2 通道 12 位 D/A 转换器
9 p$ U" L7 ~* t3 `+ Z9 R- C9 x, h■ DMA：12 通道 DMA 控制器
1 x* [( n7 u2 j( w( h. j+ L− 支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、 I2S、SPI、I2C和USART ■ 调试模式
6 M3 Q4 x+ ^& G# Y5 ?6 p; Z  |7 j− 串行单线调试(SWD)和JTAG接口
− Cortex-M3内嵌跟踪模块(ETM)
7 z  X) Z9 `5 Y9 C■ 多达112个快速I/O端口
/ F8 H) x6 t- g/ S5 G, s− 51/80/112个多功能双向的I/O口，所有I/O口可以映像到16个外部中断；几乎所有端口均可容忍5V信号
3 X+ q% j/ ~" j! l
8 f+ S0 a1 M# O! F( S0 y: l6 x% K
1 Y2 W" r! z5 n# r" u

( F; y# x. O# \6 R7 @. k■ 多达11个定时器
8 [4 V) s( W" V4 e9 |− 多达4个16位定时器，每个定时器有多达4个
用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入
& J3 @( t( h* f− 2个16位带死区控制和紧急刹车，用于电机控制的PWM高级控制定时器
( m& A4 B; F1 L; O3 v− 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的)
− 系统时间定时器：24位自减型计数器
− 2个16位基本定时器用于驱动DAC
' o. r7 w' o1 I' o" x0 C' H8 `■ 多达13个通信接口
* u" }8 X' z7 h) _* _: W3 S" y/ ]− 多达2个I2C接口(支持SMBus/PMBus)
− 多达5个USART接口(支持ISO7816，LIN，IrDA接口和调制解调控制)
− 多达3个SPI接口(18M位/秒)，2个可复用为I2S接口
− CAN接口(2.0B 主动)
− USB 2.0全速接口
6 c' g; v3 j) F  V3 h− SDIO接口
■ CRC计算单元，96位的芯片唯一代码


3 Q2 _# D. X3 G+ S% I& j% l
1 R; e6 t  G2 z4 e1 介绍
本文给出了STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE大容量增强型产品的订购信息和器件的机械特性。有关完整的STM32F103xx系列的详细信息，请参考第2.2节。
大容量STM32F103xx数据手册，必须结合STM32F10xxx参考手册一起阅读。
/ |& c8 i9 \- x9 H# r有关内部闪存存储器的编程、擦除和保护等信息，请参考《STM32F10xxx闪存编程参考手册》。

, [4 v9 q' x- T/ G8 k
2 规格说明
1 o4 v* V; _& H, _STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型系列使用高性能的ARM® Cortex™-M3 32位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器(高达512K字节的闪存和64K字节的SRAM)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。所有型号的器件都包含3个12位的ADC、4个通用16位定时器和2个PWM定时器，还包含标准和先进的通信接口：多达2个I2C接口、3个SPI接口、2 个I2S接口、1个SDIO接口、5个USART接口、一个USB接口和一个CAN接口。
STM32F103xx大容量增强型系列工作于-40°C至+105°C的温度范围，供电电压2.0V至3.6V，一系列的省电模式保证低功耗应用的要求。
STM32F103xx大容量增强型系列产品提供包括从64脚至144脚的6种不同封装形式；根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。下面给出了该系列产品中所有外设的基本介绍。
这些丰富的外设配置，使得STM32F103xx大容量增强型系列微控制器适合于多种应用场合：
● 电机驱动和应用控制
7 B7 @" Q2 h' d" `3 u9 d5 r: g● 医疗和手持设备
● PC游戏外设和GPS平台
● 工业应用：可编程控制器(PLC)、变频器、打印机和扫描仪
● 警报系统、视频对讲、和暖气通风空调系统等
图1给出了该产品系列的框图。

2.1 器件一览



3 P- I* a) j" }1 {& J

8 b" S( H8 w( ~, `: P4 m* W
1．对于LQFP100和BGA100封装，只有FSMC的Bank1和Bank2可以使用。Bank1只能使用NE1片选支持多路复用NOR/PSRAM存储器，Bank2只能使用NCE2片选支持一个16位或8位的NAND闪存存储器。因为没有端口G，不能使用FSMC的中断功能。
" p1 }& k$ E; P7 v0 E9 L9 z1 F2．SPI2和SPI3接口能够灵活地在SPI模式和I2S音频模式间切换。
& v, G% b0 Q! h5 a6 R: S参照2009年3月 STM32F103xCDE数据手册 英文第5版 （本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准） 5/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE数据手册
4 D; _' _7 q( w: ~8 @
: I0 Y3 P9 k' t( J2 D, k
2.2 系列之间的全兼容性
STM32F103xx是一个完整的系列，其成员之间是完全地脚对脚兼容，软件和功能上也兼容。在参考手册中，STM32F103x4和STM32F103x6被归为小容量产品，STM32F103x8和STM32F103xB被归
为中等容量产品，STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE被归为大容量产品。
小容量和大容量产品是中等容量产品(STM32F103x8/B)的延伸，分别在对应的数据手册中介绍：STM32F103x4/6数据手册和STM32F103xC/D/E数据手册。小容量产品具有较小的闪存存储器、RAM
7 J, I7 s8 ]/ i5 M( |空间和较少的定时器和外设。而大容量的产品则具有较大的闪存存储器、RAM空间和更多的片上外设，如SDIO、FSMC、I2S和DAC等，同时保持与其它同系列的产品兼容。
$ X4 R6 S: b7 N8 j/ B7 y1 fSTM32F103x4、STM32F103x6、 STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE可直接替换中等容量的STM32F103x8/B产品，为用户在产品开发中尝试使用不同的存储容量提供了更大的自由度。
$ X( d! w* o8 V3 c
4 }9 Z# n- l( W+ f) r1 u, y$ C

+ O, L: k" b- u4 w; U
4 r8 I- P( s+ |/ K$ }

2 ]3 h( A2 j  c
2.3 概述
2.3.1 ARM®的Cortex™-M3核心并内嵌闪存和SRAM
) O7 j/ q5 V/ C& E0 a; y/ G, wARM的Cortex™-M3处理器是最新一代的嵌入式ARM处理器，它为实现MCU的需要提供了低成本的平台、缩减的引脚数目、降低的系统功耗，同时提供卓越的计算性能和先进的中断系统响应。
+ }- A! j8 F/ H- sARM的Cortex™-M3是32位的RISC处理器，提供额外的代码效率，在通常8和16位系统的存储空间上发挥了ARM内核的高性能。
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型系列拥有内置的ARM核心，因此它与所有的ARM工具和软件兼容。
图1是该系列产品的功能框图。
& `- X$ m8 A# \5 ^4 h& g+ p) I$ d4 _- w
2.3.2 内置闪存存储器
高达512K字节的内置闪存存储器，用于存放程序和数据。

2.3.3 CRC(循环冗余校验)计算单元
CRC(循环冗余校验)计算单元使用一个固定的多项式发生器，从一个32位的数据字产生一个CRC码。
在众多的应用中，基于CRC的技术被用于验证数据传输或存储的一致性。在EN/IEC 60335-1标准的范围内，它提供了一种检测闪存存储器错误的手段，CRC计算单元可以用于实时地计算软件的签名，并与在链接和生成该软件时产生的签名对比。
5 f) Q( r9 h, U2 q
" W+ z0 L; n0 O- C3 ?4 P! m) @2.3.4 内置SRAM
( T3 r) l7 I$ N1 w/ }& v. D8 D4 D多达64K字节的内置SRAM，CPU能以0等待周期访问(读/写)。

# P$ M. k3 g0 u5 P9 w2.3.5 FSMC(可配置的静态存储器控制器)
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型系列集成了FSMC模块。它具有4个片选输出，支持PC卡/CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND。
6 q7 t/ v! [& ?功能介绍：
4 r4 i0 ?. n: b* {5 h4 k● 三个FSMC中断源，经过逻辑或连到NVIC单元；
● 写入FIFO；
$ |  z0 ]. O7 x+ w# @● 代码可以在除NAND闪存和PC卡外的片外存储器运行；
6 @) s! D: i8 x; e- A/ f● 目标频率fCLK为HCLK/2，即当系统时钟为72MHz时，外部访问是基于36MHz时钟；系统时钟为48MHz时，外部访问是基于24MHz时钟。

2.3.6 LCD并行接口
8 X; v7 O7 |0 S2 U, }FSMC可以配置成与多数图形LCD控制器的无缝连接，它支持Intel 8080和Motorola 6800的模式，并能够灵活地与特定的LCD接口。使用这个LCD并行接口可以很方便地构建简易的图形应用环境，或使用专用加速控制器的高性能方案。

  W  m3 q" e5 Q; ^9 t2 R2.3.7 嵌套的向量式中断控制器(NVIC)
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型产品内置嵌套的向量式中断控制器，能够
处理多达60个可屏蔽中断通道(不包括16个Cortex™-M3的中断线)和16个优先级。
3 L- t- R) r) h! T8 ?& S● 紧耦合的NVIC能够达到低延迟的中断响应处理
$ S, w: F) h; R1 j. W0 _! {+ v$ [, O● 中断向量入口地址直接进入内核
$ \+ J6 m5 G( A; R● 紧耦合的NVIC接口
' V6 `: h2 `) V; H● 允许中断的早期处理
1 s% u. M2 o' F/ @/ d● 处理晚到的较高优先级中断
6 Y) S+ U2 ?( s! y( X2 v, O● 支持中断尾部链接功能
" \4 e/ ~. `9 x' \. Y! u8 H● 自动保存处理器状态
" f9 i; ?- N' I$ [● 中断返回时自动恢复，无需额外指令开销
. Y* h' M  g4 p. d该模块以最小的中断延迟提供灵活的中断管理功能。
8 [* T6 _5 |  g5 P2 d5 q
2.3.8 外部中断/事件控制器(EXTI)
外部中断/事件控制器包含19个边沿检测器，用于产生中断/事件请求。每个中断线都可以独立地配置它的触发事件(上升沿或下降沿或双边沿)，并能够单独地被屏蔽；有一个挂起寄存器维持所有中断请求的状态。EXTI可以检测到脉冲宽度小于内部APB2的时钟周期。多达112个通用I/O口连接到16个外部中断线。

+ K( x% R! ~, `4 g2.3.9 时钟和启动
系统时钟的选择是在启动时进行，复位时内部8MHz的RC振荡器被选为默认的CPU时钟，随后可以选择外部的、具失效监控的4~16MHz时钟；当检测到外部时钟失效时，它将被隔离，系统将自动地切换到内部的RC振荡器，如果使能了中断，软件可以接收到相应的中断。同样，在需要时可以采取对PLL时钟完全的中断管理(如当一个间接使用的外部振荡器失效时)。
- Y# {0 _! T) w2 ]
3 _9 k) h8 _( v' G0 o% y/ @3 W( e9 C多个预分频器用于配置AHB的频率、高速APB(APB2)和低速APB(APB1)区域。AHB和高速APB的最高频率是72MHz，低速APB的最高频率为36MHz。参考图2的时钟驱动框图。
5 M: E, G8 y8 i) d& l0 }
5 ]( A& `1 z, b! R2.3.10 自举模式
在启动时，通过自举引脚可以选择三种自举模式中的一种：
1 O: X9 ]# F4 C4 Z● 从程序闪存存储器自举
& r0 j# \2 g9 p) v: L8 O● 从系统存储器自举
. w; v( h2 L) U" J( [+ r● 从内部SRAM自举
8 [6 f5 H. Y; F自举加载程序(Bootloader)存放于系统存储器中，可以通过USART1对闪存重新编程。

2.3.11 供电方案
" P% V/ @- E( ?9 O4 I, V: X0 ]* O● VDD = 2.0～3.6V：VDD引脚为I/O引脚和内部调压器供电。
● VSSA，VDDA = 2.0～3.6V：为ADC、复位模块、RC振荡器和PLL的模拟部分提供供电。使用ADC时，VDDA不得小于2.4V。VDDA和VSSA必须分别连接到VDD和VSS。
● VBAT = 1.8～3.6V：当关闭VDD时，(通过内部电源切换器)为RTC、外部32kHz振荡器和后备寄存器供电。
关于如何连接电源引脚的详细信息，参见图12供电方案。
! P, j8 c, u$ [/ O3 \0 |" z
$ |$ N- P5 b. y$ W3 W* p2.3.12 供电监控器
, o) s$ ?, m! P: ^" O$ _2 |9 h本产品内部集成了上电复位(POR)/掉电复位(PDR)电路，该电路始终处于工作状态，保证系统在供电超过2V时工作；当VDD低于设定的阀值(VPOR/PDR)时，置器件于复位状态，而不必使用外部复位电路。
器件中还有一个可编程电压监测器(PVD)，它监视VDD/VDDA供电并与阀值VPVD比较，当VDD低于或高于阀值VPVD时产生中断，中断处理程序可以发出警告信息或将微控制器转入安全模式。PVD功能需要通过程序开启。关于VPOR/PDR和VPVD的值参考表12。
, l/ T) D# l- f. x/ \: Y1 B! e
2.3.13 电压调压器
调压器有三个操作模式：主模式(MR)、低功耗模式(LPR)和关断模式
; s) j) `" z5 s  U● 主模式(MR)用于正常的运行操作
● 低功耗模式(LPR)用于CPU的停机模式
' y1 [3 y$ A& K+ Q' o- q  P( o1 q" o- G● 关断模式用于CPU的待机模式：调压器的输出为高阻状态，内核电路的供电切断，调压器处于零消耗状态(但寄存器和SRAM的内容将丢失)
( h6 N+ g1 q/ e- @. }1 ]该调压器在复位后始终处于工作状态，在待机模式下关闭处于高阻输出。
5 c# F! W9 O* l6 l9 i1 [0 A

, ?8 z# r4 i, ~2 P: z
3 [/ u/ s8 \& q9 o: {完整版请查看：附件