功能
■ 内核：ARM 32位的Cortex™-M3 CPU
7 k1 T. J9 P$ {8 o; ?) f" ]2 {− 最高72MHz工作频率，在存储器的0等待周期访问时可达1.25DMips/MHz(Dhrystone 2.1)
- A2 G+ z( E# _: _+ D" W% q" N3 k& b− 单周期乘法和硬件除法
% q: d0 A* {2 g) o5 M5 ~3 G■ 存储器
& b' G9 K# |0 J5 `3 H+ y$ Y/ Q− 从256K至512K字节的闪存程序存储器
− 高达64K字节的SRAM
− 带4个片选的静态存储器控制器。支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器
− 并行LCD接口，兼容8080/6800模式
■ 时钟、复位和电源管理
* ]# y& `# D8 d/ R) ~. z* @− 2.0～3.6伏供电和I/O引脚
− 上电/断电复位(POR/PDR)、可编程电压监测器(PVD)
! b; M8 s7 B/ n  ]% i0 l  h− 4～16MHz晶体振荡器
− 内嵌经出厂调校的8MHz的RC振荡器
0 y4 D% R" M3 J− 内嵌带校准的40kHz的RC振荡器
" n1 ]8 d" H! |0 j; k− 带校准功能的32kHz RTC振荡器
■ 低功耗
− 睡眠、停机和待机模式
) ~4 k) j; u* |7 }' o$ J" c− VBAT为RTC和后备寄存器供电
■ 3个12位模数转换器，1μs转换时间(多达21个输入通道)
' Z& E7 s# [/ a* x+ @) w− 转换范围：0至3.6V
; }' o6 e" T, }) q  v! d9 n− 三倍采样和保持功能
− 温度传感器
■ 2 通道 12 位 D/A 转换器
7 `2 p6 D# _$ g■ DMA：12 通道 DMA 控制器
: I3 n# B8 q' b' \  ]0 [: K− 支持的外设：定时器、ADC、DAC、SDIO、 I2S、SPI、I2C和USART ■ 调试模式
- t8 B3 s( G: ~; @8 R  U- b' W− 串行单线调试(SWD)和JTAG接口
; {. w& W- ?3 [' T+ b+ D% _, C− Cortex-M3内嵌跟踪模块(ETM)
■ 多达112个快速I/O端口
' J3 i+ }1 a( d− 51/80/112个多功能双向的I/O口，所有I/O口可以映像到16个外部中断；几乎所有端口均可容忍5V信号

& \' W; m, I: O$ F5 }) G

6 V- o4 B0 u7 L6 Z: t+ G
, h0 m% O4 Y3 h, [5 P■ 多达11个定时器
− 多达4个16位定时器，每个定时器有多达4个
用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入
− 2个16位带死区控制和紧急刹车，用于电机控制的PWM高级控制定时器
− 2个看门狗定时器(独立的和窗口型的)
5 J3 V* p6 a, n7 b3 d* @− 系统时间定时器：24位自减型计数器
0 Y) R% Z. U- a) l− 2个16位基本定时器用于驱动DAC
. x* N6 W& e) W9 J( n! l) |4 L■ 多达13个通信接口
− 多达2个I2C接口(支持SMBus/PMBus)
− 多达5个USART接口(支持ISO7816，LIN，IrDA接口和调制解调控制)
− 多达3个SPI接口(18M位/秒)，2个可复用为I2S接口
9 y4 K# F# C) S− CAN接口(2.0B 主动)
6 z& V+ j& i0 J8 T4 [5 j− USB 2.0全速接口
- f2 _) P7 A! {' F/ W8 r; |  P- C: A− SDIO接口
■ CRC计算单元，96位的芯片唯一代码
0 ]' \3 m0 H$ O( y9 c. n

) h6 b1 I5 w6 G2 T2 l1 ?2 }, J* G. s
( f$ N1 i3 g' F3 b1 介绍
# B# [3 b; ]- S) H5 f/ x本文给出了STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE大容量增强型产品的订购信息和器件的机械特性。有关完整的STM32F103xx系列的详细信息，请参考第2.2节。
大容量STM32F103xx数据手册，必须结合STM32F10xxx参考手册一起阅读。
4 P/ x1 S! v) [: a有关内部闪存存储器的编程、擦除和保护等信息，请参考《STM32F10xxx闪存编程参考手册》。
- ^5 d  I1 k/ I

6 H6 D) v2 ~! m* N# ]2 规格说明
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型系列使用高性能的ARM® Cortex™-M3 32位的RISC内核，工作频率为72MHz，内置高速存储器(高达512K字节的闪存和64K字节的SRAM)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。所有型号的器件都包含3个12位的ADC、4个通用16位定时器和2个PWM定时器，还包含标准和先进的通信接口：多达2个I2C接口、3个SPI接口、2 个I2S接口、1个SDIO接口、5个USART接口、一个USB接口和一个CAN接口。
. z- G$ j2 V* B8 p) y5 H( QSTM32F103xx大容量增强型系列工作于-40°C至+105°C的温度范围，供电电压2.0V至3.6V，一系列的省电模式保证低功耗应用的要求。
' e/ y: O* g# }2 ?8 Q2 ?; m8 RSTM32F103xx大容量增强型系列产品提供包括从64脚至144脚的6种不同封装形式；根据不同的封装形式，器件中的外设配置不尽相同。下面给出了该系列产品中所有外设的基本介绍。
0 p! s/ B5 A& N! `  u这些丰富的外设配置，使得STM32F103xx大容量增强型系列微控制器适合于多种应用场合：
# V! l' O( l5 O● 电机驱动和应用控制
● 医疗和手持设备
● PC游戏外设和GPS平台
● 工业应用：可编程控制器(PLC)、变频器、打印机和扫描仪
+ V, a( o  u( m# Q/ B● 警报系统、视频对讲、和暖气通风空调系统等
- f( X8 O- S4 q* `图1给出了该产品系列的框图。
9 |# w' b2 q7 R1 B, |& W# [
2.1 器件一览
. F) S8 @1 T- W, j6 D, N6 Z



& [+ y8 H  `' \

  v$ O' B' `9 r  A/ L$ q. P1．对于LQFP100和BGA100封装，只有FSMC的Bank1和Bank2可以使用。Bank1只能使用NE1片选支持多路复用NOR/PSRAM存储器，Bank2只能使用NCE2片选支持一个16位或8位的NAND闪存存储器。因为没有端口G，不能使用FSMC的中断功能。
9 F: v0 h+ @/ d2．SPI2和SPI3接口能够灵活地在SPI模式和I2S音频模式间切换。
参照2009年3月 STM32F103xCDE数据手册 英文第5版 （本译文仅供参考，如有翻译错误，请以英文原稿为准） 5/87 STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE数据手册


2.2 系列之间的全兼容性
STM32F103xx是一个完整的系列，其成员之间是完全地脚对脚兼容，软件和功能上也兼容。在参考手册中，STM32F103x4和STM32F103x6被归为小容量产品，STM32F103x8和STM32F103xB被归
为中等容量产品，STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE被归为大容量产品。
小容量和大容量产品是中等容量产品(STM32F103x8/B)的延伸，分别在对应的数据手册中介绍：STM32F103x4/6数据手册和STM32F103xC/D/E数据手册。小容量产品具有较小的闪存存储器、RAM
0 Z. S' R- _$ Z0 G6 T. q$ {空间和较少的定时器和外设。而大容量的产品则具有较大的闪存存储器、RAM空间和更多的片上外设，如SDIO、FSMC、I2S和DAC等，同时保持与其它同系列的产品兼容。
$ C& g% Y3 m( Y  I" F$ ASTM32F103x4、STM32F103x6、 STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE可直接替换中等容量的STM32F103x8/B产品，为用户在产品开发中尝试使用不同的存储容量提供了更大的自由度。
2 n( y+ C8 F9 z- R$ V2 i

8 q0 x  N* P, b6 \


- b. K! S8 _, C3 B" U8 b
4 [1 |& C0 f4 a+ x! M
5 Q" ~; A6 f& P6 V) j$ v2.3 概述
3 `! m. ?$ ~" V2.3.1 ARM®的Cortex™-M3核心并内嵌闪存和SRAM
7 z/ B* ~3 S- N( {ARM的Cortex™-M3处理器是最新一代的嵌入式ARM处理器，它为实现MCU的需要提供了低成本的平台、缩减的引脚数目、降低的系统功耗，同时提供卓越的计算性能和先进的中断系统响应。
ARM的Cortex™-M3是32位的RISC处理器，提供额外的代码效率，在通常8和16位系统的存储空间上发挥了ARM内核的高性能。
) `2 N9 f& p1 [( C- _STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型系列拥有内置的ARM核心，因此它与所有的ARM工具和软件兼容。
# p6 b; t2 j* O0 h! ]7 T5 y' r图1是该系列产品的功能框图。
1 b6 n6 A4 i; \& ?7 z. r4 e6 w
2.3.2 内置闪存存储器
$ ]; w) m6 s, T. i) U! S5 m高达512K字节的内置闪存存储器，用于存放程序和数据。

2.3.3 CRC(循环冗余校验)计算单元
CRC(循环冗余校验)计算单元使用一个固定的多项式发生器，从一个32位的数据字产生一个CRC码。
" X8 J/ \2 k2 Z在众多的应用中，基于CRC的技术被用于验证数据传输或存储的一致性。在EN/IEC 60335-1标准的范围内，它提供了一种检测闪存存储器错误的手段，CRC计算单元可以用于实时地计算软件的签名，并与在链接和生成该软件时产生的签名对比。
0 n4 [, J7 P. ^1 c4 H
2.3.4 内置SRAM
; P- _) Q0 w0 r' `) C) Z多达64K字节的内置SRAM，CPU能以0等待周期访问(读/写)。

- K- ^/ U- v  }2 f3 _( h2.3.5 FSMC(可配置的静态存储器控制器)
+ k3 m6 }! P9 U% tSTM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型系列集成了FSMC模块。它具有4个片选输出，支持PC卡/CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND。
功能介绍：
● 三个FSMC中断源，经过逻辑或连到NVIC单元；
$ [' Q3 Z+ O* S  V8 [: V● 写入FIFO；
● 代码可以在除NAND闪存和PC卡外的片外存储器运行；
● 目标频率fCLK为HCLK/2，即当系统时钟为72MHz时，外部访问是基于36MHz时钟；系统时钟为48MHz时，外部访问是基于24MHz时钟。

2.3.6 LCD并行接口
4 @5 j0 r# S- h- v0 \, YFSMC可以配置成与多数图形LCD控制器的无缝连接，它支持Intel 8080和Motorola 6800的模式，并能够灵活地与特定的LCD接口。使用这个LCD并行接口可以很方便地构建简易的图形应用环境，或使用专用加速控制器的高性能方案。
+ U) b7 v3 B0 ?% n! R, V2 d9 e6 T
7 Y6 P, @( P* R  B. e2.3.7 嵌套的向量式中断控制器(NVIC)
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE增强型产品内置嵌套的向量式中断控制器，能够
8 [/ D% Y* n5 R8 ?7 Z7 `. Y5 G处理多达60个可屏蔽中断通道(不包括16个Cortex™-M3的中断线)和16个优先级。
● 紧耦合的NVIC能够达到低延迟的中断响应处理
● 中断向量入口地址直接进入内核
● 紧耦合的NVIC接口
* r/ k6 ]8 w3 D) e5 O● 允许中断的早期处理
/ Y) C; b( j& ^2 }● 处理晚到的较高优先级中断
● 支持中断尾部链接功能
, z: L( j1 S1 g● 自动保存处理器状态
● 中断返回时自动恢复，无需额外指令开销
该模块以最小的中断延迟提供灵活的中断管理功能。
  `( i* s+ V. V' n
2.3.8 外部中断/事件控制器(EXTI)
外部中断/事件控制器包含19个边沿检测器，用于产生中断/事件请求。每个中断线都可以独立地配置它的触发事件(上升沿或下降沿或双边沿)，并能够单独地被屏蔽；有一个挂起寄存器维持所有中断请求的状态。EXTI可以检测到脉冲宽度小于内部APB2的时钟周期。多达112个通用I/O口连接到16个外部中断线。
. Z* `7 \; P0 x" v9 u( z0 C+ W* A
2.3.9 时钟和启动
系统时钟的选择是在启动时进行，复位时内部8MHz的RC振荡器被选为默认的CPU时钟，随后可以选择外部的、具失效监控的4~16MHz时钟；当检测到外部时钟失效时，它将被隔离，系统将自动地切换到内部的RC振荡器，如果使能了中断，软件可以接收到相应的中断。同样，在需要时可以采取对PLL时钟完全的中断管理(如当一个间接使用的外部振荡器失效时)。

多个预分频器用于配置AHB的频率、高速APB(APB2)和低速APB(APB1)区域。AHB和高速APB的最高频率是72MHz，低速APB的最高频率为36MHz。参考图2的时钟驱动框图。
: m2 S7 i3 P8 O2 p! C3 o% H
2.3.10 自举模式
在启动时，通过自举引脚可以选择三种自举模式中的一种：
; A" N$ G. i# ^$ X* B$ t( s0 N# X  p% Q● 从程序闪存存储器自举
● 从系统存储器自举
; x: Q- }( f2 }9 L& a( N0 l● 从内部SRAM自举
自举加载程序(Bootloader)存放于系统存储器中，可以通过USART1对闪存重新编程。
1 ~' _* L* q' U6 q
- r: z$ [; P% V9 j9 T5 n+ J2.3.11 供电方案
● VDD = 2.0～3.6V：VDD引脚为I/O引脚和内部调压器供电。
● VSSA，VDDA = 2.0～3.6V：为ADC、复位模块、RC振荡器和PLL的模拟部分提供供电。使用ADC时，VDDA不得小于2.4V。VDDA和VSSA必须分别连接到VDD和VSS。
0 U& l1 o( H% i3 O& |1 D& G● VBAT = 1.8～3.6V：当关闭VDD时，(通过内部电源切换器)为RTC、外部32kHz振荡器和后备寄存器供电。
关于如何连接电源引脚的详细信息，参见图12供电方案。
: y7 [- e! O$ o
: V, @2 ~: N5 r2 u; I: p1 x2.3.12 供电监控器
. g: n% Z, {8 v" B1 A5 }, m9 r本产品内部集成了上电复位(POR)/掉电复位(PDR)电路，该电路始终处于工作状态，保证系统在供电超过2V时工作；当VDD低于设定的阀值(VPOR/PDR)时，置器件于复位状态，而不必使用外部复位电路。
+ X+ N3 m# U: J0 f! [/ d& m5 h器件中还有一个可编程电压监测器(PVD)，它监视VDD/VDDA供电并与阀值VPVD比较，当VDD低于或高于阀值VPVD时产生中断，中断处理程序可以发出警告信息或将微控制器转入安全模式。PVD功能需要通过程序开启。关于VPOR/PDR和VPVD的值参考表12。
$ k) }, a4 A3 S- i4 k: s
2.3.13 电压调压器
调压器有三个操作模式：主模式(MR)、低功耗模式(LPR)和关断模式
● 主模式(MR)用于正常的运行操作
; j3 f; H( u' Q$ Y● 低功耗模式(LPR)用于CPU的停机模式
) V5 H) ^4 x% w8 L- m" c2 |● 关断模式用于CPU的待机模式：调压器的输出为高阻状态，内核电路的供电切断，调压器处于零消耗状态(但寄存器和SRAM的内容将丢失)
# G: {! r+ {9 y2 O该调压器在复位后始终处于工作状态，在待机模式下关闭处于高阻输出。
* x1 K+ [" y9 ~# j- {% F3 {3 n( L+ ]


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