引言
; [$ B% k8 C% E1 Q/ E  {$ t本文档帮助客户快速找到基于 STM32 微控制器的触摸感应应用的相关信息。
本文档适用于 STM32F0、STM32F3、STM32L0、STM32L1 和 STM32L4 系列产品，列出了涉及触摸感应的所有现有的应用笔记和用户手册，并提供了触摸感应的关键信息的记录位置。
本文档还解释了如何使用 STM32CubeMx 图形界面在 STM32L0538-DISCO 和 STM32F072B-DISCO 探索板上构建触摸感应应用。
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1 概述
+ v! q* S2 H, z, {& D6 Q本文档适用于基于 Arm®的器件。
( m% C8 E  J9 T0 d( i提示   Arm 是 Arm Limited（或其子公司）在美国和/或其他地区的注册商标。
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7 L1 w4 s# L0 j; A; U7 z2 术语和原理
2.1 术语
下面是与触摸感应有关的主要术语：
• 采集模式
– CT：电荷转移采集原理。此模式用在 STM32 微控制器上。
0 [( U9 J- d6 W% {# S+ q• 触摸感应 STM32 外设
! f; `6 E' e2 e' ~$ C( g8 d– TSC：触摸感应控制器外设
. ?+ E2 p6 R; \6 K% R. O– 组：同时采集的通道组
" U3 Q$ N* [- t; Z9 D– 通道：基本采集项
– 组合：1-3 个通道加上 1 个采样电容（Cs）
• 传感器
. C3 L3 |0 V  t6 Z; d6 ~& B" t& b: \– 触摸键或 TKey：单通道传感器
– 线性传感器：多通道传感器，电极排列成直线
– 旋转传感器：多通道传感器，电极排列成圆形
" i1 {) `. n$ A9 o& H+ c  p, J– 主动屏蔽：沿传感器走线和/或传感器本身布设的走线或其周围的铜层。主动屏蔽的驱动方式与传感器类似。可在不降低灵敏度的情况下改善抗噪性。
0 A9 Y7 M9 @# o• STM32 软件
- K* i9 v5 o, ]– TSL：触摸感应库
3 z# _; t( x9 b/ a& D3 o( r& C– Delta：测量值与参考值之间的差值
– 测量值：在通道上测得的电流信号
) K4 G! @; s/ P! f– 参考值：基于测量值样本的平均值的参考信号
# r- V0 g) @  t0 W– DTO：检测超时。超时由 TSLPRM_DTO 定义。参见 tsl_conf.h 文件中的 TSLPRM_DTO。
– DXS：检测排除机制。排除机制由 TSLPRM_USE_DXS 定义。参见 tsl_conf.h 文件中的
TSLPRM_USE_DXS。
– ECS：环境变化机制。参见文件 tsl_conf.h 中的 TSLPRM_ECS_DELAY。
; _3 Z$ y! d, W8 D' L• 涉及的硬件
– Cx：传感器电容（典型值为几 pF）
  X5 S! V, R9 o3 O) d1 |– Cp：寄生电容（典型值为几 pF）
8 S& }3 D  m7 _  K  b– Ct：等效触摸电容
$ g  _) q6 P% |+ j, F– Cs/Cskey/Csshield：采样电容（典型值为 2.2 至 100nF）
3 L& J: j% J/ u– Rs/Rskey/Rsshield：串联电阻，ESD 保护（典型值为 100Ohms 至 10K）
2.2 原理
STM32 触摸感应特性以电荷转移为基础。
表面电荷转移采集原理包括将传感器电容（Cx）充电和将累积电荷转移至采样电容（Cs）。
) L6 W, X0 J0 l0 Z& e; p此过程不断重复，直至 Cs 两侧电压达到 VIH。
4 k) B4 ]+ Z- y0 v达到阈值所需的电荷转移次数直接表示电极电容的大小。当传感器被触摸时，传感器对地电容增大。这意味着 C 电压达到 VIH 所需的电荷转移次数减少，测量值变小。当此测量值低于阈值时，TSL 报告检测。下图为没有考虑寄生电容的原理图。
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图 1. 电荷转移原理

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