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执行硬件设置以及实现低功耗的STM32 GPIO配置

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STMCU小助手 发布时间:2022-7-26 21:51
引言% U& m* L; L' @' f3 k' D& C0 S
STM32微控制器通用输入/输出引脚(GPIO)提供许多与应用框架内外部电路相连接的方% u% u+ Q  [. R- s" l. X! _8 A
法。本应用笔记提供有关GPIO配置的基本信息,以及硬件和软件开发人员使用GPIO引脚优6 D0 Y/ t$ S% e5 f3 W
化其STM32 32-bit ARM Cortex MCUs电源性能的指南。
- `  C/ ?9 J) d  U/ S  W% S* n/ R本应用笔记必须与www.st.com提供的相关STM32参考手册和数据表结合使用。
* `% C% P5 X, ^# I( W6 ]' I! J' l

- }; J1 j: V9 }6 v0 M" G; C( G2 GPIO 主要特性" ~4 G, \2 w& E
STM32 GPIO具备下列特性:
3 z( m6 C  w& H( ]# V# T' Y
  p: |) x- U+ Y/ [" c输出状态:推挽或开漏 + 上拉/下拉,取决于GPIOx_modeGPIOx_OTYPER
4 p/ U  ~/ \& i: J4 GGPIOx_PUPDR寄存器设置/ J' o+ m, U( V' a$ J3 X
/ R; ]- x5 l8 f8 T
从输出数据寄存器GPIOx_ODR或外设(复用功能输出)输出数据- Q" a0 [5 Y& C9 |
/ u+ M& T$ s6 @
可为每个I/O(GPIOx_OSPEEDR)选择不同的速度3 f% H; D: x2 C7 e+ @
, d! P" ]( a6 f3 A: Z8 p0 Q- l
输入状态:浮动、上拉/下拉、模拟量,取决于GPIOx_MODERGPIOx_PUPDR9 D0 j2 d- X6 O( W  }* n  Y
GPIOx_ASCR寄存器设置
8 \% S/ i" ^9 z+ D# b# O6 S: e$ g
将数据输入到输入数据寄存器(GPIOx_IDR)或外设(复用功能输入)' v/ c% y2 L8 D0 P0 R( U

0 a2 g5 b: Y8 ?. l' h/ m( H置位和复位寄存器(GPIOx_ BSRR),对 GPIOx_ODR 具有按位写权限) R6 K% ^6 o1 m: X- _4 }% A( D

3 E0 D/ \; ^, [7 x: E锁定机制(GPIOx_LCKR),可冻结 I/O 端口配置
+ r1 ~5 [0 j$ }' e5 ~" s; U2 T( s5 ~8 o% Z6 N7 n
模拟功能选择寄存器(GPIOx_MODERGPIOx_ASCR9 z. b) {& U" m7 _7 D/ Q' g
& E0 k) E- J/ }5 w1 t8 ^
复用功能选择寄存器(GPIOx_MODERGPIOx_AFRLGPIOx_AFRH
; ~' w, S; F* M+ c$ v2 l, c, ]2 P2 A8 g/ P' N
快速翻转,每次翻转最快只需要两个时钟周期; P0 |3 S: \, r. D% V' h

" q, U8 j) e0 V" {; t& K引脚复用非常灵活,允许将 I/O 引脚用作 GPIO 或多种外设功能中的一种GPIO功能说明 8 Q: g6 ~0 @3 b3 z
AN48998 g4 F/ A9 V3 m8 S8 h. j
8/31 DocID029601 Rev 1 [English Rev 1]4 T! N- Q3 i: ^, i
3 GPIO功能说明
  y8 A- m7 E# f7 T' ?STM32 GPIO可用于各种配置。每个GPIO引脚都可以通过软件在以下任何模式下单独配置:* {8 ?2 x8 B; p9 k1 G$ A
9 D# E/ ?. R, i2 ~. S
输入浮空
0 ]; e3 A" H5 o* l0 z# j. A0 U& G9 f/ X2 M* T/ W
输入上拉
% v3 T! M2 }7 x5 B! I
1 v* Q7 k/ m  u( G$ q. L, |7 i输入下拉
# u2 |, P$ R" U( R( ]/ \9 f4 |& ^, @' W3 E
模拟
! W8 e8 [3 _" n  T. O; m& w  {
7 o% O6 ?% E5 i5 ]具有上拉或下拉功能的开漏输出! y  p' ]) V$ R( Z' L

& U' q1 I3 Q7 }3 v' x具有上拉或下拉功能的推挽输出
6 i5 F7 c) r: W( ^1 [' v
- M( X8 z* A/ U0 e具有上拉或下拉功能的复用功能推挽7 g$ r9 H6 P+ l
# q* g& Y# z0 [' r' W. X0 a, M5 p
具有上拉或下拉功能的复用功能开漏- b1 m) j% ]# f# e1 R
3.1 GPIO缩写
- y& {' i: j# d/ ]8 vSTM32器件范围内有多种GPIO结构可供使用。每个结构都与选项列表相关联。
; i- L9 `. Z$ I3 ~% O, R1总结了适用于STM32产品的GPIO定义和缩写
2 G( \( c8 u0 w5 v0 G$ p' U , [1 M% C  N0 b4 T, m4 i
例如,以下描述涉及STM32数据表中的GPIO:* Z: ^7 g9 A7 ^
PB1 I/O FT表示:
( b* X2 D* v: r- l- @" ?% u- Q+ y– PB1 I/O引脚:端口B1输入/输出. N$ W7 K' p2 y5 o: w' L% X
– FT5 V 容限
9 `. s" D- U- @: I  b& J在开始电路板设计之前,请务必参考STM32产品的数据表或STM32CubeMX工具,以检查与目
( Y6 y9 x1 N1 d, n. R9 K9 W标应用程序一致的GPIO可用性。
  n- [- ~8 c$ a; [请参阅www.st.com/stm32上有关软件开发工具的部分。* o& Y; q6 s1 x# s
1. GPIO结构列表
; `( E7 p" u* e4 I: {/ i) Y4 W名称 ) v- l2 ]0 g6 Y9 i3 v/ V$ J7 b& {
缩写 定义+ L( m# L: t( o" V& q* A  [3 \+ m: ~
引脚类型  |) C; f; H' r, c- k' o5 c
S
! n9 [. [% x0 s6 f电源引脚4 S) M9 p% y7 s2 }
I
( _) G8 P$ p: b# K仅输入引脚' p$ z* b4 j' j: [
I/O * X: ]2 x' B7 J% ^9 s  T
输入/输出引脚; m8 W/ h/ p  ^# ?; ?4 r
I/O 结构. r7 O$ R% {- s3 u& g% ]
FT(1) + j1 b3 {. }. G) [6 ]) E
五伏容限I/O引脚; z% {8 x9 `1 c- O7 c4 p
TT(1) 7 e2 a7 Y- O  Q2 `4 \7 ~
三伏容限I/O引脚
6 S, ~' U/ l, L$ S  oTC
$ D8 k# }" G, p1 x4 t; r三伏输入输出引脚(标准3.3 V I/O)
0 h* X' C8 u5 R1 p+ _0 _- c" {B
  A( Y) Q" l" r1 e专用BOOT引脚# T  I# ], E6 w' F
RST / A* R* M/ F- `) D3 S/ S. p9 z1 j
配有内置弱上拉电阻的双向复位引脚" U/ L: O( v4 }' i% ^+ g
引脚功能5 u9 `4 U' q$ I. B; B6 _
复用功能 通过GPIOx_AFR寄存器选择的功能& Z1 f1 J* x5 \) y# _. A- ~( f3 p% H
其他功能 通过外设寄存器直接选择和启用的功能  S8 f3 k- A2 X. k
1. FT和TT I/O的选项取决于具体器件。用户必须参考数据表中的定义。DocID029601 Rev 1 [English Rev 1] 9/31" l) j' ]- c. u
AN4899 . i4 _7 z9 B+ A+ f0 c9 ?
GPIO功能说明
% m& q" ^% S% Z30$ j' x% Z- F/ Y% n( ~; Q
3.2 GPIO等效原理图
5 {3 `1 g3 F. kSTM32产品集成了三个主要的GPIO基本结构:$ q9 y3 z5 V! I; G; i8 f

9 I1 I/ ?" O1 X2 v三伏兼容(缩写为TC)。 # V2 l- j" G) p6 Z4 J& g  P  C( I
1给出了等效的GPIO图结构。; y/ N7 c$ V9 P  M$ Z. L' `
# Q( U4 e; G$ Z) `# h: x. }
三伏容限(缩写为TT)。
9 L# J& p" u; W! S% Q5 W
% U2 P* Y- @4 g3 D  t* e- @% g五伏容限(缩写为FT) & D7 \$ Y: w) j& I
2给出了TT或FT等效的GPIO图结构。1 N, G% Z) h) s/ `1 P) k% I
注: 在12中,虚线框中的模拟开关是可选的。它的存在取决于要选用的STM32产品。有8 [- }2 x2 E. [0 Q9 k
关详细信息,请参见产品数据手册。
  ^2 f& R5 S4 z+ v# c% C12中,VDD供电可根据STM32产品选用VDD或者VDDIO2。有关详细信息,请参见产
/ k: G3 G; N( ~3 p- t. ?5 i/ X品数据手册。
/ z4 h" [7 L/ h/ x  q5 d5 e1. 三伏兼容的GPIO结构(TC2 R& r; j$ I- M& |1 @- x: S
注: 模拟域中的寄生二极管连接到VDDA并且不能用作保护二极管。
. V  T& h! y9 m& }& G( C在一些数据表和参考手册中称为VDD_FT的电压电平在ESD保护块内部。
. Y3 s5 I- j' R& yMSv46872V1
1 q9 Z8 o, e% D) FVDD' [" _4 `: m7 D3 B7 q
I/Oᕋ㝐# b4 x. l7 e! O2 @4 ?; C
VSS" o, @/ X( ~4 y' N7 A$ g: C. q
VDD4 ]5 s1 z2 Q1 J5 k5 q8 t
PMOS8 P7 y0 E  n5 i) {$ Y6 e: j/ F
NMOS. }5 v: P! D+ b" S# W) j+ _0 O
䗉ޛ㕉ߨಞ0 r; V$ m. Q" f& }! I+ G- ?8 E
䗉࠰㕉ߨಞ
' R) i) Q$ @3 C5 }2 S' C- {ሲ䙐/ީᯣ
0 t8 M* e* Z4 S* ~VSS
/ @. q4 J% n6 h4 }# G( r  Q࠰㜳䗉ࣕ⭞གྷ
$ Z* k& n( N& d1 j1 Gགྷ⭞ࣕ㜳䗉ޛ : p4 u6 n% v& l
VSS& [* b' h# [- g6 g- a* f2 e
⁗ᤕᔶީ
5 P: ]+ u0 U9 b' Y⁗ᤕIP
' D6 C  Q- F; \, w+ h⁗ᤕ0 _% M7 h  S7 F9 ]  e
VSS
/ e4 m6 k6 y2 F9 w( HVDD( V! A. i2 r: i1 \9 D; U$ |
ᮦᆍ& V6 E0 V- g+ e  |; p' G
VDDA
+ y& O4 {# r! i% b) k" M( z8 |2 eᇺ⭕ӂᶷ㇗$ _8 P) B" F5 V. q8 p& |
ф⭫䱱
2 p3 t: }! C3 s0 uRPU$ J- ?9 P! G0 b1 a( J
RPD5 r- N# m  _( e
䗉ޛᮦᦤ
- E( L  y3 C7 r6 Rᇺᆎಞ
- O; G# A0 V4 |' w䗉࠰ᮦᦤ4 X: ]4 G# G" t
ᇺᆎಞ
- T" W' x9 u' x! Q7 F4 K3 g࠰䗉4 S; {7 {; R, ]' E" h
࡬᧝
6 Z" P8 h* _6 {, |3 k; j) ]+ j* K  h⁗ᤕ" w9 {. k9 R' }9 C; r- X
䘿Ԭ7 l- Y1 g4 @* }# ^9 F, J
ሲ䙐/ީᯣ 9 b5 o5 v9 ^( A4 y
ESD
4 R( G& Z" v, H! aؓᣚGPIO功能说明
" I- G0 C6 f4 o4 y$ l3 v8 E; a4 jAN48992 n2 Z5 t& F( f3 {$ j7 ]
10/31 DocID029601 Rev 1 [English Rev 1]
2 o* W: a% f( i& h2. 三伏或五伏容限GPIO结构(TTFT
* c! H5 k/ U3 R3 I* G  _7 E注: 模拟域中的寄生二极管连接到VDDA并且不能用作保护二极管。
4 _1 d- i) s7 S; V在一些数据表和参考手册中称为VDD_FT的电压电平在ESD保护块内部。
/ g0 s  c& a0 N. b选择模拟选项后,由于引脚提供VDDAFT I/O不再具有五伏容限。8 k. d3 }/ v; G# ]4 D" I4 l4 S
注意:
' Q, ?) }  N1 I, O4 @3 yTT或FT GPIO引脚没有内部保护二极管连接到电源(VDD)。过电压没有物理限制。因此,对) z& }, h" t6 \1 g
于需要限制电压阈值的应用,建议将外部二极管连接到VDD。
# p! h* \3 u  j' N. V1 L: e0 [9 K: l& k4 z7 i/ R
; T/ G4 \3 Q; a( {* g
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