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STM32U575/585 MCU 硬件开发入门

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STMCU小助手 发布时间:2022-10-15 17:50
引言
6 Y7 t! `5 j) }* H本应用笔记为系统开发者概述了开发板特性的硬件实现。开发板特性为供电电源、时钟管理、复位控制、自举模式设置和调试管理。6 U( s- S2 p& g7 E, c
本文档详细介绍了如何使用 STM32U575xx 和 STM32U585xx 微控制器(也称为 STM32U575/585)。其中介绍了使用这些 MCU开发应用程序所需的最少硬件资源。7 n: \2 }8 }; w9 i+ @" w* p! \% q) ?
本文还包括了详细的参考设计原理图,说明了其主元件、接口和模式。
' N8 d" T; j5 c6 s+ ]8 I) o4 N0 w+ A- m6 N4 E& `  t$ o
1 概述
1 j3 G! d. ]$ p, y9 m1 p" A* B* `2 V提示
! X! d8 X& o- D; ~+ P+ K. Z  b本文档适用于基于 Arm®的 STM32U575/585 微控制器。
7 A1 z' p/ c1 K+ Z7 c# RArm is a registered trademark of Arm Limited (or its subsidiaries) in the US and/or elsewhere.4 x( \( e( C2 E5 l7 r
6 j' P3 d$ P/ X. |- b. z
2 电源管理
' n; ]- X; x" M2.1 电源

1 {5 _- x" `+ `" MSTM32U575/585 器件要求 1.71 至 3.6 V 的工作电压电源(VDD)。
3 A% p. s& x2 L& y下面列出的独立电源可用于特定外设:
7 p/ r7 u) |) H% X  Y! x6 t8 C• VDD = 1.71 V 至 3.6 V
" o6 z+ W8 x1 n! d3 OVDD 是为 I/O、内部稳压器和系统模拟信号(如复位、电源管理和内部时钟)供电的外部电源。VDD 通过VDD 引脚从外部提供。
$ J* F2 y7 ~+ G- M; Y$ f• VDDA = 1.58 V (COMPs) / 1.6 V (DACs/OPAMPs) / 1.62 V (ADCs) / 1.8 V (VREFBUF) 至 3.6 V; Z' T" x5 Y& W/ C. z
VDDA 是为 A/D 转换器、D/A 转换器、电压参考缓冲器、运算放大器和比较器供电的外部模拟电源。VDDA 电压电平独立于 VDD 电压。不使用这些外设时,VDDA 引脚必须优先连接至 VDD 电压电源。, ^: S3 i# h" D
提示 如果 VDDA 引脚保持为高阻抗或连接至 VSS,则可施加到 I/O(具有"_a" I/O 结构)上的最大输入电压将降低(参见器件数据手册以了解更多详细信息)。0 M( T$ r% E5 P2 j
• VDDSMPS = 1.71 V 至 3.6 V7 U& M  i0 i2 _. Y: g4 b1 G
VDDSMPS 是为 SMPS 降压转换器供电的外部电源。它通过 VDDSMPS 引脚从外部提供,且必须连接到与VDD 引脚相同的电源。5 V4 e- u4 R; n) y" j" S
• VLXSMPS
: f1 [2 f* D3 Z( _) ^VLXSMPS 引脚是开关 SMPS 降压转换器输出。9 F5 _0 U9 q; j6 P- x
• VDD11
% F0 F) J, f/ \, R8 BVDD11 是通过内部 SMPS 降压转换器 VLXSMPS 引脚提供的数字内核电源。仅出现在具有内部 SMPS 的封装上的两个 VDD11 引脚连接至总量为 4.7 µF(典型值)的外部电容。此外,每个 VDD11 引脚需要一个 100 nF陶瓷电容。" `: a' p3 q- p# ?2 l
• VCAP: ?0 |. p" E% L$ l2 O! N+ p
VCAP 是来自内部 LDO 稳压器的数字内核电源。VCAP 引脚(一个或两个)仅出现在只具有 LDO(无SMPS)的封装上,需要连接至总量为 4.7 μF(典型值)的外部电容。此外,每个 VCAP 引脚需要一个 100nF 陶瓷电容。
! A) g8 z: c8 r( B. X3 s2 P/ r提示 – 如果有两个 VCAP 引脚(UFBGA169 封装),则每个引脚必须连接至 2.2 µF 电容(总量约为 4.4 µF)(最大 4.7 µF)。每个 VCAP 还需要一个 100 nF 陶瓷电容。
) P' G( k5 o8 X8 e# P/ C9 r– SMPS 电源引脚(VLXSMPS、VDD11、VDDSMPS、VSSSMPS)仅在具有 SMPS 的封装上可用。在此类封装中,STM32U575/585 器件并联嵌入了两个稳压器(一个 LDO 和一个 SMPS),以便为数字外设提供VCORE 电源。VDD11 引脚上需要总 4.7 μF 的外部电容和 2.2 µH 线圈。此外,每个 VDD11 引脚需要一个100 nF 陶瓷电容。
3 \' R& f8 \: _– Flash 由 VCORE 和 VDD 供电。0 ^6 D! d+ h; C
• VDDUSB = 3.0 V 至 3.6 V& W% F" T; i0 D! E
VDDUSB 为外部独立电源,为 USB 收发器供电。VDDUSB 电压电平独立于 VDD 电压。不使用 USB 时,VDDUSB 引脚必须优先连接至 VDD 电压电源。9 \" R: [3 K: |4 V. p
提示 如果 VDDUSB 引脚保持为高阻抗或连接至 VSS,则可施加到 I/O(具有"_u" I/O 结构)上的最大输入电压将降低(参见器件数据手册以了解更多详细信息)。8 d& X& Y3 D5 y3 ^- e  v& T2 V
• VDDIO2 = 1.08 V 至 3.6 V3 H" k; U! a. q- B% x
VDDIO2 是为 14 个 I/O (port G[15:2])供电的外部电源。VDDIO2 电压级别与 VDD 电压无关,不使用 PG[15:2]时,最好连接到 VDD。+ D1 d$ B/ ?) K# ^# Q
提示 在小封装上,VDDA、VDDIO2 或 VDDUSB 独立电源可能不作为专用引脚出现,且内部连接至 VDD 引脚。如果产品上不支持某功能,则该功能也不会出现。) s/ S3 f; Y% o
• VBAT = 1.65 V 至 3.6 V(保证功能降至 VBOR_VBAT 最小值,参见产品数据手册), [/ ]# k8 m/ i8 g2 _$ d
当 VDD 掉电时(通过电源开关),VBAT 为 RTC、TAMP、外部时钟 32 kHz 振荡器、备份寄存器和可选备份SRAM 提供电源。; n. w, D( j* O6 b+ z
• VREF- 和 VREF+6 [7 }1 f# t( C* c  U* i
VREF+ 为 ADC 和 DAC 的输入参考电压。使能时,它还是内部电压参考缓冲器(VREFBUF)的输出。当ADC 和 DAC 不使能时,VREF+引脚可接地。
, o4 a9 G4 b$ |. a+ z6 G0 i3 I1 B内部电压参考缓冲器支持四个输出电压,可利用 VREFBUF_CSR 寄存器中的 VRS[2:0]字段进行配置:
1 @: P/ L; I2 B6 B0 @– VREF+大约为 1.5 V。这要求 VDDA ≥ 1.8 V。: V5 Y; P3 l. b! Z0 l1 f
– VREF+大约为 1.8 V。这要求 VDDA ≥ 2.1 V。
+ S5 a$ t9 c/ V4 N/ [– VREF+大约为 2.048 V。这要求 VDDA ≥ 2.4 V。0 s! Q. m  M8 Z( x; Q0 M1 w: H
– VREF+大约为 2.5 V。这要求 VDDA ≥ 2.8 V。
- z8 g! H7 Q3 r- P% sVREF- 和 VREF+ 引脚并非在所有封装上可用。当不可用时,它们分别与 VSSA 和 VDDA 引脚绑定。$ j0 G/ K; ]4 v. T0 ^$ F
当 VREF+引脚与 VDDA 在一个封装中互相绑定时,内部 VREFBUF 不可用且必须禁用。+ e" z+ N8 P. {) X. V& ^9 K' w
VREF- 必须始终等于 VSSA。
6 t3 z) t9 @% U. r下图显示了 STM32U575/585 器件电源概述,具体取决于 SMPS 存在性。
* l% e4 r8 ~, @2 A

7 g8 |: |1 T, N/ V1 Y3 m 1V7J}R2~V[5IA{JX0G7~Q.png
, p" D  ~. K! @ 42DOE(8SP4VLF3@LBXU9E9S.png
& Q9 p3 O9 F5 p
0 r+ |" O$ u' D6 F在无 SMPS 的器件中,I/O 和系统模拟外设(如 PLL 和复位模块)由 DD 电源供电。为数字外设和存储器供电的VCORE 电源由 LDO 生成。
5 X- m* z: b9 M7 |7 H7 }7 {; t提示 如果选定的封装具有 SMPS 降压转换器选项,但 SMPS 不被应用程序使用(而是使用嵌入式 LDO),则建议设
# t' w6 J1 A. z' G( B置 SMPS 电源引脚,如下所示:
$ K8 S7 X& H2 M• 将 VDDSMPS 和 VLXSMPS 连接至 VSS
# a, q! f9 A4 K6 r* C/ a5 @• 将 VDD11 引脚通过两个(2.2 µF + 100 nF)电容连接至 VSS(如在正常模式下)
- q; N- Q  [! i& `' B
2 E  ], ?9 w5 y) V3 T
8 [9 x  Z7 [- e4 ~  H完整版请查看:附件+ n; S9 K. m- z9 X7 t! B/ T" s

4 ^& O* f9 K7 h. D5 m9 x

DM00640034_ZHV2.pdf

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