主要内容：
1） IS62WV51216简介；
2） FSMC简介及相关寄存器介绍；
3） 相关实验代码解读。
7 O) Z" V+ G1 l; J  x7 G硬件连接：
: C5 M, D# D. t  p: Z# y% PIS62WV51216原理图如下所示，具体连接关系为：
A[0:18]接FMSC_A[0:18]；D[0:15]接FSMC_D[0:15]；UB接FSMC_NBL1；LB接FSMC_NBL0；OE接FSMC_OE；WE接FSMC_WE；CS接FSMC_NE3。
9 \- N7 C7 z0 o; N


实验功能：程序开启后，按下KEY0键，测试外部SRAM容量大小并发送至串口端；按下KEY1键，显示预存在外部SRAM的数据。DS0指示程序运行状态。

+ F& D4 @9 B4 }' G4 Z7 m* a1. IS62WV51216简介
1.1 IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存（SRAM）芯片。
4 p0 k% R; s& h/ Q1 C. ~; ^
3 m4 l5 X- X+ {. z5 r' x) e- ]1.2 特点
% J: U  }4 k2 Q' a( I% h1） 高速。具有45ns/55ns访问速度（开发版采用55ns型号）；
# |+ X/ n8 X4 m2） 低功耗。操作时：36mW；待机时：12uW；
3） 兼容TTL电平，兼容5V电压；
4） 全静态操作，不需要刷新和时钟电路；
- E3 q. X# o% m, {6 v, G5） 三态输出；
) D/ q, ]9 W# f+ w0 @% M7 P6） 字节控制功能。支持高/低字节控制。

2 q% `  Z& M2 {. \6 o1.3 框图
9 w/ u2 Y5 c& ~; m图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；
  w$ _4 |( P- c; o! Q9 r' oI/O0~15为数据线，总共16根数据线；
CS2和CS1都是片选信号，CS2是高电平有效，CS1是低电平有效（开发板采用CS1）；
OE是输出使能信号（读信号）；
/ S3 ~, u. H  H' ^# g3 ~7 uWE为写使能信号；
UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号（设0有效，设1无效）。

) Z3 Y% x, E# c  {

& ]; T6 E$ C% {2 p8 N1.4 IS62WV51216读时序
7 u/ Y4 J4 `" p9 u  h. @IS62WV51216芯片的8080并口读时序如下图所示：
重点时序：读周期时间(tRC)；地址建立时间(tAA)；OE建立时间(tDOE)。
/ D$ Y- {+ z4 I! R3 d开发板使用55ns的IS62WV51216，tRC=55ns，tAA=55ns（Max），tDOE=25ns（Max）。



% \- e7 L0 C: q$ e1.5 IS62WV51216写时序
/ P: T; ]9 `* ^+ e4 b; z. [0 _IS62WV51216芯片的8080并口写时序如下图所示：
重点时序：写周期时间(tWC)，地址建立时间(tSA)，WE脉宽(tPWE)。
开发板使用55ns的IS62WV51216，tWC=55ns，tSA=0ns，tPWE=45ns（min）。

1 H) @; Q' Z/ ]6 H; F2 t

2. FSMC简介
FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器（不支持SDRAM）。FSMC的框图如下图所示：
8 ~: M4 v6 N& S+ s! n* f


+ ]+ \( C( n8 I! }0 h2.1 FSMC驱动IS62WV51216原理
1 o$ N+ }0 X4 a1 N# T& e; K. fFSMC驱动外部SRAM时，外部SRAM的控制一般有：
6 U4 u; }! I0 U/ W7 j1） 地址线（如A0~A25）；
2） 数据线（如D0~D15）；
3） 写信号（WE，即WR）；
& @4 X9 H- K3 n3 r# l2 c4） 读信号（OE，即RD）；
5） 片选信号（CS）；
6） 如果SRAM支持字节控制，还有UB/LB信号。
) z3 U3 ~9 d. p7 b- ~3 qIS62WV51216的信号包括：
1） 地址线A0~A18；
2） 数据线I/O0~I/O15；
3） 写信号WE；
# u; ~+ v8 V- H3 A; `4 {4） 读信号OE；
5） 片选信号CS；
6） 字节控制UB、LB等。
* Z1 \6 P9 N3 J将这些信号依次连接STM32 FSMC接口的A0-A18、D0-D15、WE、OE、CS、UB、LB等信号即可。

; a  m$ T0 x  h, j$ a2.2 NOR / PSRAM外设接口
STM32的FSMC支持8/16位数据宽度，我们这里用到的SRAM是16位宽度的，所以在设置的时候，选择16位宽就OK了。FSMC的外部设备地址映像，STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块(注意每个块的起始地址！)。



2.3 NOR / PSRAM存储块1 操作简介
0 J0 `' s# t1 ySTM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM，被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。
这里HADDR，是内部AHB地址总线，其中，HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址（不能直接设置，只能选择片选间接设置）。如下表所示：

6 g/ [- x; w1 I- h" X9 ~( |! s

( q. @1 h1 l) D2 c3 B0 S注意！
当Bank1接的是16位宽度存储器的时候：HADDR[25:1]——FSMC_A[24:0]（右移一位对齐），
当Bank1接的是8位宽度存储器的时候：HADDR[25:0]——FSMC_A[25:0]，
不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]。
4 u' R+ c0 {3 [2 A
2.4 NOR PSRAM存储块1 访问模式
7 O% X" b. T* v/ Q4 S, wSTM32的FSMC存储块1 支持的异步突发访问模式包括：模式1、模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM时一般使用模式1或者模式 A，这里使用模式A来驱动SRAM，其他模式说明详见：STM32中文参考手册-FSMC章节。


4 D+ B7 N3 u, S$ w: J9 o" s
5 g. A2 f$ r3 o+ o0 M, @模式A支持读写时序分开设置！（可针对一些读写时序不一样的设备分开设置），
对STM32F4仅写时序DATAST需要+1（F1按上图要求即可）。

2.5 FSMC寄存器介绍
对于NOR FLASH/PSRAM控制器(存储块1)，通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx（仅读写时序不一致时才设置）寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。
2.5.1 SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）
! g$ B6 I4 M: M; y* T* n

8 t' X1 a4 i4 a7 \! G+ P' X
EXTMOD：扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，设置为0（读写相同时序）；
& ]( L  \! e5 X0 Z1 n; w' YWREN：写使能位。我们需要向SRAM写数据，故该位必须设置为1；
3 u0 q0 z8 x2 N1 |5 ?MWID[1:0]：存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式，01表示16位数据模式，10和11保留。我们的SRAM是16位数据线，所以设置WMID[1:0]=01；
MTYP[1:0]：存储器类型。00表示SRAM、ROM，01表示PSRAM，10表示NOR FLASH，11保留。我们驱动的芯片为SRAM，所以需要设置MTYP[1:0]=00；
2 S0 ]/ k" N8 N  ~/ KMBKEN：存储块使能位。需设置为1，使能相应的存储块。
9 c* b: p. e# X
: O; }2 H! }) b1 u4 v& ?2.5.2 SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）
/ i- V, X2 s4 G9 [


ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A,01:模式B,10:模式C,11:模式D。
DATAST[7:0]：数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期（F4只有写的时候要+1），DATAST最大为255。对IS62WV51216来说，其实就是OE/WE低电平持续时间，最大为55ns。对STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3（13.8×（3+1）≈55.2ns）。对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M)，设置为8（有点超频）。
ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET (+1)个HCLK周期（F1不需要+1），ADDSET最大为15。对IS62WV51216来说，访问周期最快为55ns，之前的设置，已经可以保证访问周期不小于55ns，因此这个地址建立时间，直接设置为0即可。
本实验因为EXTMOD位设置为0，所以读写时序共用这个时序寄存器！

2.5.3 SRAM/NOR闪存写时序寄存器（FSMC_BWTRx）
, }3 m8 j4 }1 q% }% o若EXTMOD位设置为1，读写时序分开，则用该寄存器设置写时序。
: n$ X. g' y  a4 t4 b. K2 n


2 S) W0 K9 r) P# w8 i  g8 B% SACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
DATAST[7:0]：数据保持时间，等于:
! u7 I8 M, F% s3 BDATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大为15。
本实验因为EXTMOD位设置为0，所以用不到该寄存器！

2.5.4 SRAM/NOR闪存片选寄存器组合说明
在ST官方库提供的的寄存器定义里面，并没有定义FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等这些单独的寄存器，而是将他们进行了一些组合。规律如下：
% D9 C5 o. Q4 B; O8 u1）FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，对应关系如下：
BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1；
BTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2；
3 F7 W* j# J( A) |  }9 u( G2 GBTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3；
BTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4。
+ K' Y7 ?) ^- U+ s. x2）FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，对应关系如下：
! |) C! u1 _: |4 b. }BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
+ v, v+ G4 g5 [$ FBWTR[4]对应FSMC_BWTR3，BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，没有用到。
% Y$ w$ W; x# ~* b+ |
3. 相关代码解读
3.1 sram.h头文件代码解读

- l5 H: N  A9 b- L

1. /**
   : u# F/ m$ V2 Z
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   1 N# G" H- `6 Z* ]& t& {& h0 g
3. * @文件名称： sram.h
   
4. * @作者名称： Aaron
   
5. * @库版本号： V3.5.0
   : g- y! o  V& _2 m1 \# M! x, _
6. * @工程版本： V1.0.0
   
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   
8. * @摘要简述： SRAM头文件
     z6 J( k6 s1 S; F
9. ******************************************************************************/
   
10. /*----------------------------------------------------------------------------
    
11. * @更新日志：
    ' Y2 \7 U) }. A3 y0 ^7 m
12. * @无
    . A0 J& @* K( O9 g
13. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    ; O* P' z! K. ^
14. #ifndef __SRAM_H
    
15. #define __SRAM_H
    4 Q* q( s# e/ \: G. i
16. /* 包含的头文件 ---------------------------------------------------------------*/
    
17. #include "sys.h"
    - ^6 p9 j; j5 Z, B
18. /* 函数申明 -------------------------------------------------------------------*/            
    
19. void FSMC_SRAM_Init(void);
    
20. void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 NumHalfwordToWrite);
    : Z3 ~3 X* X5 A* ^$ q3 A
21. void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 NumHalfwordToRead);
    : r9 f9 ^: L' b# R! i4 v0 o/ C
22. #endif /* __SRAM_H */
    
23. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/

复制代码

3.2 sram.c文件代码解读

1. /**
   
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   
3. * @文件名称： sram.c
   3 L; m6 ?+ r) |0 z; q9 A9 d
4. * @作者名称： Aaron
   
5. * @库版本号： V3.5.0
   
6. * @工程版本： V1.0.0
     [6 f" T3 c6 n0 G
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   . q, R9 {1 S3 S& ]
8. * @摘要简述： SRAM源文件,使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10,
   
9. *            对IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
   % g- J/ X0 m! o$ p; y# B) `: J: c
10. ******************************************************************************/
    : _8 K1 [1 P4 A2 O1 q! x8 |
11. /*----------------------------------------------------------------------------
    
12. * @更新日志：
    $ U3 M# h3 @$ N1 }# c; \
13. * @无
    8 @1 z7 j# G8 x/ |2 X0 Z
14. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    
15.   /* 包含的头文件 --------------------------------------------------------------*/
    
16. #include "sram.h"   
    3 w0 o% _4 ?) J! K( [1 X# w3 a6 O3 y
17. #include "usart.h"
    
18. /* 定义常量 ------------------------------------------------------------------*/     
    8 Y) Y& \- V% |: B6 i0 L1 k
19. #define Bank1_SRAM3_ADDR    ((u32)(0x68000000))  
    ' V/ K7 m5 O5 l& L3 s2 V
20. /************************************************
    ; W1 I; Q4 Q# I
21. 函数名称：FSMC_SRAM_Init()
    
22. 函数功能：初始化外部SRAM
    
23. 入口参数：无
    
24. 返回参数：无
    $ q! ^7 o5 S) f0 o4 ~6 k7 Y
25. 开发作者：Aaron
    
26. *************************************************/
    ) z; j3 Y  v- a- _! V# m( \( q* a
27. void FSMC_SRAM_Init(void)
    
28. {
    
29. /* 定义结构体 */
    
30. FSMC_NORSRAMInitTypeDef        FSMC_NORSRAMInitStructure;
    * z9 V, p: ^3 m5 _& _8 ~4 _
31. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;
    3 R1 E" N$ z. Y2 G( V, ^& P$ J) C
32. GPIO_InitTypeDef               GPIO_InitStructure;
    
33. /* 使能相关IO口 */
    * s0 `" n+ `/ o* Z8 R
34. RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
    
35. RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
    
36. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33;              /* PD0-1,PD4-5,PD8-15 */
    " U! Y( I/ l1 L1 B
37. GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;    /* 复用推挽输出 */
    , L" `5 _7 t$ Z; A
38. GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
    
39. GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
    
40. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83;              /* PE0-1,PE7-15 */
    
41. GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
    
42. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F;              /* PF0-5，PF12-15 */
    
43. GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);
    ; u+ e6 f1 A' t% d! ~; ?3 c# i
44. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F;              /* PG0-5,PG10 */
    
45. GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
    / Q' d: f9 M& `0 }8 _" e  h+ z
46. /* 读写时序结构体初始化 */        
    
47. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;        /* 地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns */
    ; l0 o8 e. U  U( Y+ m, n6 a
48. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;         /* 地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到 */
    8 f0 m; A  }2 Y% A
49. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;           /* 数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M≈55ns(对EM的SRAM芯片) */  
    
50. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
    
51. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
    : B, o. b/ ~' U, {8 E- p9 r* L, P: V
52. readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
    # d* O$ u9 D0 g8 }
53. readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; /* 模式A */  
    
54. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;                                /* 使用NE3，对应BTCR[4],[5] */
    7 b' L4 {: _) m
55. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;              /* 地址复用未用 */
    4 ?" T4 F* [% d2 B$ m+ V$ z* [$ H8 ^
56. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;                          /* 存储器类型SRAM */   
    
57. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;                /* 存储器数据宽度为16bit */  
    8 [% z+ D$ b) Z+ a# p9 S/ k  `
58. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;             /* 禁止突发访问模式 */
    
59. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    * @+ j$ W$ ^; f5 \+ O; R
60. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
    
61. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   
    
62. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  
    
63. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;               /* 存储器写使能 */
    " O# Q! P8 |) y" G5 x% E$ e; x
64. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  
    
65. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;                  /* 不使用扩展模式，读写使用相同的时序 */
    
66. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  
    
67. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;                  /* 读写同样时序 */
    
68. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;                      /* 读写同样时序 */
    5 Y! g- `$ w; s7 y# u" t( s
69. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);                                             /* 初始化FSMC配置 */
    
70. FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);                                             /* 使能BANK3 */            
    
71. }
    ! N- H, x# g1 J( D. D
72. /**********************************************************************
    ' Y1 z5 y: P1 W% h
73. 函数名称：FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
    
74. 函数功能：在指定地址开始,连续写入n个字节
    ' \) |1 b  a( P6 P/ L7 [+ W5 }
75. 入口参数：pBuffer:字节指针，首地址;WriteAddr:要写入的地址;n:要写入的字节数
    
76. 返回参数：无
    
77. 开发作者：Aaron
    
78. ***********************************************************************/
    9 s8 K, a6 Z1 d0 w
79. void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
    
80. {
    / ]; c' ~0 W: }4 m
81. for(;n!=0;n--)  
    * R. U, g( m/ f9 M- r
82. {              
    $ H9 r. w* {( R4 W9 c- r, @3 e
83.   *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;   /* Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000)) */
    8 J: @. G  m4 H& O5 X5 m
84.   WriteAddr++;
    * M) Q0 U6 _# z: w: C
85.   pBuffer++;
    
86. }   
    
87. }
    
88. /**********************************************************************
    
89. 函数名称：FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
    
90. 函数功能：在指定地址开始,连续读出n个字节
    5 v. f8 s5 ]# N5 D2 P5 t
91. 入口参数：pBuffer:字节指针，首地址;ReadAddr:要写入的地址;n:要读出的字节数
    
92. 返回参数：无
    
93. 开发作者：Aaron
    
94. ***********************************************************************/
    # `4 }4 D# h" R6 t
95. void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
    
96. {
    8 n1 ]( Z, [" G0 _1 u* M0 T! l
97. for(;n!=0;n--)  
    
98. {               
    % S/ s% C6 N  f% m$ B- B* Y
99.   *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);   
    
100.   ReadAddr++;
     . {' |  J* `9 A  a
101. }  
     
102. }
     + A& h- s. s6 r/ R5 H" J! v
103. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/

复制代码

3.3 main.c文件代码解读

6 f$ V1 J" }. |& Y/ s  U1 N

1. /**
   
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   7 D4 H: j4 v9 o* \% J5 j" k0 D" w
3. * @文件名称： main.c
   ( b9 o: |5 c: _
4. * @作者名称： Aaron
   
5. * @库版本号： V3.5.0
   
6. * @工程版本： V1.0.0
   5 A4 o9 d8 _9 w! a5 O
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   9 E) Z' U( Y$ |# b  ~! j/ h
8. * @摘要简述： 主函数
   2 l; O1 @0 X1 L7 W8 a2 l* ?
9. ******************************************************************************/
   
10. /*----------------------------------------------------------------------------
    
11. * @更新日志：
      P. Q5 A1 X1 X1 G! a
12. * @无
    
13. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    
14. /* 包含的头文件 --------------------------------------------------------------*/
    9 E( L& O; E$ T- _4 C4 a$ J
15. #include "sram.h"
    # G5 z1 x6 [3 P2 k+ R
16. #include "led.h"
    5 Z. I( ], ?/ F0 @
17. #include "key.h"
    
18. #include "sys.h"
    ' H* W6 B% X+ _$ S2 t3 D
19. #include "delay.h"
    
20. #include "usart.h"
    
21. /* 定义一个数组testsram[]，u32表示每个数占4个字节，数组包含250000个值，*/
    - C9 o& u. a2 {; H0 P8 g7 \
22. /* 采用绝对地址定义，数组的起始地址在0x68000000 */
    ( U$ n) t0 D8 j& d( N
23. u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));
    3 g, v' C8 q  R3 I0 l* ?+ m' j
24. /**********************************************************************
    
25. 函数名称：fsmc_sram_test()
    9 X8 r# I8 Q6 _8 F. s( U& K
26. 函数功能：外部内存测试(最大支持1M字节内存测试)
    
27. 入口参数：无
    - @- @" w/ B/ U- N. n3 G
28. 返回参数：无
    
29. 开发作者：Aaron
    - I) \/ @1 N' U4 J
30. ***********************************************************************/
    + k$ y; n: v1 o7 }
31. void fsmc_sram_test(void)
    / d9 ^  x4 {/ T! A" n( J$ }3 d
32. {  
    + V  i: A% @( [' ~
33. u32 i=0;     
    - R2 y  k3 E* y+ G) E5 e
34. u8 temp=0;                        /* 0≤temp≤255 */
    
35. u8 sval=0;                        /* 在地址0读到的数据 */
    ! Y8 |  [1 n2 ?* t
36. printf("外部内存测试:0KB\r\n");
    . Y5 ]' W+ W' @: W% C3 X  y( v  o2 f
37. /* 每隔4K个字节,写入一个数据,总共写入256个数据,刚好是1M字节 */
    0 k4 d2 y+ r7 H3 S
38. for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
    
39. {
    
40.   FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
    
41.   temp++;                          /* for循环运行完后，temp值为0 */
    6 x9 F, B2 Q) b2 J4 Y9 c
42. }
    & B: d2 A+ U/ `4 i( F$ G
43. /* 依次读出之前写入的数据,进行校验 */   
    
44. for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
    
45. {
    
46.   FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);
    6 S" {* t. V- C: e
47.   if(i==0)                         /* 将第一次的temp值赋给sval，即sval=temp=0 */
    ) t& W* N+ D7 O  t2 O! z& a
48.   sval=temp;
    6 K0 N0 \  K  D' o) Y' E1 v
49.   else if(temp<=sval)
    
50.   break;                         /* 本程序设计思路，后面读出的数据一定比第一次读到的数据大 */  
    
51.   printf("内存容量为：%dKB\r\n",(temp-sval+1)*4);  
    
52. }      
    
53. }
    
54. /**********************************************************************
    
55. 函数名称：main()
    
56. 函数功能：主函数
    
57. 入口参数：无
    , `8 Y) K7 ?9 ]4 n* ]
58. 返回参数：无
    0 [( _+ c! a: @
59. 开发作者：Aaron
    
60. ***********************************************************************/
      D( n# d# m1 |3 i7 X
61. int main(void)
    5 ?" ~/ {, J3 b% K, Y
62. {  
    . [0 |# I1 |+ Q+ y
63. u8 key;   
    9 _2 R8 Q  e) f# w9 J1 ~
64. u8 i=0;      
    
65. u32 ts=0;
    : c  z' a* H$ {  M
66. delay_init();        
    
67. NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
    % s0 n! K  |2 ~  y7 Z# r2 g
68. uart_init(115200);   
    
69. LED_Init();      
    
70. KEY_Init();     
    
71. FSMC_SRAM_Init();
    
72. for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;       /* 预存测试数据 */
    5 I" m) |" t, ]% n3 z% k+ H
73. while(1)
    % a% i# y% H8 J* S9 o' m* D  u+ n
74. {
    
75.   key=KEY_Scan(0);                              /* 不支持连按 */
    
76.   if(key==KEY0_PRES)
    1 g$ s  I6 U9 v9 F
77.    fsmc_sram_test();                           /* 测试SRAM容量 */
    ) ]7 g6 `/ p: |% k0 U  I7 ]
78.   else if(key==KEY1_PRES)                       /* 打印预存测试数据 */
    6 r$ l& O5 a$ ]; Z& }3 a4 w1 `
79.   {
    8 y  x( E( s% H
80.    for(ts=0;ts<250000;ts++)
    
81.     printf("显示测试数据testsram[%d]=%d\r\n",ts,testsram[ts]);
    
82.   }
    % x9 ~1 W* @- U) ^( c1 a* W
83.   else
    
84.    delay_ms(10);   
    
85.   i++;
    : }. \( \& `6 v' S
86.   if(i==20)
    " j$ T5 i; Y8 A% C2 L2 {: f/ K
87.   {
      s+ o6 ]0 Q  u. k
88.    i=0;
    * E5 k5 [/ B. O6 c2 z
89.    LED0=!LED0;
    
90.    }
    
91. }      
    
92. }
    
93. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/
    
94. 
    

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4. 实验结果
按KEY0键：
" M) J' I1 w" [0 G1 F4 g% I  _+ F

5 a; S8 }' z5 K

$ a" [, \. K5 Q( O! Z
/ G0 v" }- l/ ~  y' c. Y0 [9 O按KEY1键：



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. U4 s, F1 R3 d5 A. ]" l* {8 _# _版权声明：天亮继续睡


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