主要内容：
& h3 [& y; ], j& M  {& g; d1） IS62WV51216简介；
2） FSMC简介及相关寄存器介绍；
3） 相关实验代码解读。
: q6 X" A% m  ~1 c/ y1 |% V硬件连接：
IS62WV51216原理图如下所示，具体连接关系为：
. Q4 u; W+ E% c1 x- c, z# O/ F3 d7 qA[0:18]接FMSC_A[0:18]；D[0:15]接FSMC_D[0:15]；UB接FSMC_NBL1；LB接FSMC_NBL0；OE接FSMC_OE；WE接FSMC_WE；CS接FSMC_NE3。

2 j- w/ M- q* K1 p0 N% W

  L& J- p+ J1 q0 n实验功能：程序开启后，按下KEY0键，测试外部SRAM容量大小并发送至串口端；按下KEY1键，显示预存在外部SRAM的数据。DS0指示程序运行状态。

1. IS62WV51216简介
1.1 IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存（SRAM）芯片。

7 K% T& P! X, N$ i( A4 B1.2 特点
# n* p$ z  d, B  D9 W1） 高速。具有45ns/55ns访问速度（开发版采用55ns型号）；
2） 低功耗。操作时：36mW；待机时：12uW；
# y. C9 [9 [! L6 Y  o9 G3） 兼容TTL电平，兼容5V电压；
3 {" r6 I) i1 r6 d6 L- H* O% l4） 全静态操作，不需要刷新和时钟电路；
5） 三态输出；
8 |' w+ w5 t$ A. k2 `& H  V1 c6） 字节控制功能。支持高/低字节控制。
" s; m7 Q) ]/ e+ D
1.3 框图
图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；
I/O0~15为数据线，总共16根数据线；
) r% A9 Q" M6 O& e' L: {5 [CS2和CS1都是片选信号，CS2是高电平有效，CS1是低电平有效（开发板采用CS1）；
OE是输出使能信号（读信号）；
WE为写使能信号；
( j. E+ R$ I1 O, s; S3 CUB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号（设0有效，设1无效）。
2 H. {' ?+ ?9 y

6 d4 |2 u/ I1 I- j1 E
+ _, x, ]9 t- [; l1.4 IS62WV51216读时序
IS62WV51216芯片的8080并口读时序如下图所示：
重点时序：读周期时间(tRC)；地址建立时间(tAA)；OE建立时间(tDOE)。
! v: U! L2 \9 B. N) C& ^开发板使用55ns的IS62WV51216，tRC=55ns，tAA=55ns（Max），tDOE=25ns（Max）。

6 m3 v8 G" ~# N; c

: b  a) V" s0 p" m) i" C1.5 IS62WV51216写时序
8 a  K9 l0 z* D  [% L3 UIS62WV51216芯片的8080并口写时序如下图所示：
% A( [7 T- [) M& j0 a& e; A% m" o重点时序：写周期时间(tWC)，地址建立时间(tSA)，WE脉宽(tPWE)。
开发板使用55ns的IS62WV51216，tWC=55ns，tSA=0ns，tPWE=45ns（min）。

0 \  ~- ^9 S5 O' I' U
+ t- ~' }4 v2 V7 y5 G
2. FSMC简介
FSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器（不支持SDRAM）。FSMC的框图如下图所示：



) o5 |# o# C3 K3 `' _1 h' R4 a2.1 FSMC驱动IS62WV51216原理
4 g4 _' y0 M! ~% z# MFSMC驱动外部SRAM时，外部SRAM的控制一般有：
, j% }8 T* A" e, W% L5 C$ r1） 地址线（如A0~A25）；
! S/ O! j  I! p$ l2 X8 u2） 数据线（如D0~D15）；
9 k' v2 K. d  j( A+ P& E3） 写信号（WE，即WR）；
4） 读信号（OE，即RD）；
5） 片选信号（CS）；
6） 如果SRAM支持字节控制，还有UB/LB信号。
IS62WV51216的信号包括：
1） 地址线A0~A18；
. j( \. l* s# H3 @2） 数据线I/O0~I/O15；
- W9 e/ U! A+ v* l3） 写信号WE；
: x  S" @" {' W  i6 v0 D4） 读信号OE；
5） 片选信号CS；
- F" V8 Q4 `% ^5 j3 |6） 字节控制UB、LB等。
将这些信号依次连接STM32 FSMC接口的A0-A18、D0-D15、WE、OE、CS、UB、LB等信号即可。

- E+ I  [; h" {& P2 U+ M! D2.2 NOR / PSRAM外设接口
. `" B6 ]  m0 D" fSTM32的FSMC支持8/16位数据宽度，我们这里用到的SRAM是16位宽度的，所以在设置的时候，选择16位宽就OK了。FSMC的外部设备地址映像，STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块(注意每个块的起始地址！)。


& J  Z4 {2 [5 t- [/ `
2.3 NOR / PSRAM存储块1 操作简介
. t7 ~4 j) F+ Q6 ?STM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM，被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。
这里HADDR，是内部AHB地址总线，其中，HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址（不能直接设置，只能选择片选间接设置）。如下表所示：
0 m: [. i6 E6 }0 v: k* G


注意！
当Bank1接的是16位宽度存储器的时候：HADDR[25:1]——FSMC_A[24:0]（右移一位对齐），
3 Z/ M( j, Q! a2 L当Bank1接的是8位宽度存储器的时候：HADDR[25:0]——FSMC_A[25:0]，
不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]。
" P4 r; \* c4 h6 f8 [. N: s5 R
% p" ?! o& |5 H2.4 NOR PSRAM存储块1 访问模式
STM32的FSMC存储块1 支持的异步突发访问模式包括：模式1、模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM时一般使用模式1或者模式 A，这里使用模式A来驱动SRAM，其他模式说明详见：STM32中文参考手册-FSMC章节。
: x; _, Q! M- V4 t# `


- O* s+ N" \- d4 L模式A支持读写时序分开设置！（可针对一些读写时序不一样的设备分开设置），
对STM32F4仅写时序DATAST需要+1（F1按上图要求即可）。
, Y3 T8 I1 |- e  w
2.5 FSMC寄存器介绍
( I9 m' E0 }) R! U9 g$ L4 d对于NOR FLASH/PSRAM控制器(存储块1)，通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx（仅读写时序不一致时才设置）寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。
2.5.1 SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）
3 }; G/ e* z- O/ _" f5 R8 y5 b- B
/ v0 E2 I$ b& \8 v7 |9 H6 k. v
" B; B6 f0 \! N. ?
: ]1 l; l4 D5 {' sEXTMOD：扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，设置为0（读写相同时序）；
1 s4 n/ o9 h+ @& ~; S& JWREN：写使能位。我们需要向SRAM写数据，故该位必须设置为1；
) P( x8 S2 Y9 {5 l2 f5 W% AMWID[1:0]：存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式，01表示16位数据模式，10和11保留。我们的SRAM是16位数据线，所以设置WMID[1:0]=01；
$ ?+ z, u0 O& V; V6 _3 U! IMTYP[1:0]：存储器类型。00表示SRAM、ROM，01表示PSRAM，10表示NOR FLASH，11保留。我们驱动的芯片为SRAM，所以需要设置MTYP[1:0]=00；
; S1 C. X1 ~/ k5 @MBKEN：存储块使能位。需设置为1，使能相应的存储块。
: G3 Y+ d& Y( \5 p! O* o) r
2.5.2 SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）
6 l# I3 e2 }% I6 e6 A
0 X5 z3 {& ?1 T  F% B

ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A,01:模式B,10:模式C,11:模式D。
DATAST[7:0]：数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期（F4只有写的时候要+1），DATAST最大为255。对IS62WV51216来说，其实就是OE/WE低电平持续时间，最大为55ns。对STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3（13.8×（3+1）≈55.2ns）。对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M)，设置为8（有点超频）。
ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET (+1)个HCLK周期（F1不需要+1），ADDSET最大为15。对IS62WV51216来说，访问周期最快为55ns，之前的设置，已经可以保证访问周期不小于55ns，因此这个地址建立时间，直接设置为0即可。
本实验因为EXTMOD位设置为0，所以读写时序共用这个时序寄存器！

2.5.3 SRAM/NOR闪存写时序寄存器（FSMC_BWTRx）
' m. _. o! V4 K2 j3 l. G若EXTMOD位设置为1，读写时序分开，则用该寄存器设置写时序。



ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
+ ^& Z) q. b7 W' h1 C$ T% _DATAST[7:0]：数据保持时间，等于:
: L! G) V9 _$ i/ d4 o% VDATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大为15。
) E1 C- x% M/ m3 V本实验因为EXTMOD位设置为0，所以用不到该寄存器！

+ ~) y0 S+ K- q, o2.5.4 SRAM/NOR闪存片选寄存器组合说明
在ST官方库提供的的寄存器定义里面，并没有定义FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等这些单独的寄存器，而是将他们进行了一些组合。规律如下：
1）FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，对应关系如下：
BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1；
/ c2 B. ?( g0 e  eBTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2；
BTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3；
BTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4。
& ~# m2 c# z: L% d+ L2）FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，对应关系如下：
BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
BWTR[4]对应FSMC_BWTR3，BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，没有用到。
8 {2 Z4 u5 x" n% H3 _  h
3. 相关代码解读
/ q9 n6 [8 ?) x! F5 \7 N* O3.1 sram.h头文件代码解读

2 `  O9 H: u- f8 X2 K; n

1. /**
   3 f/ @; n9 i5 X( P3 }
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   
3. * @文件名称： sram.h
   1 d" q; N+ k, E
4. * @作者名称： Aaron
   
5. * @库版本号： V3.5.0
   
6. * @工程版本： V1.0.0
   ! Y" i, E; [8 o' Y- t$ K2 F& a
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   
8. * @摘要简述： SRAM头文件
     `" U% D- h4 S* h1 E7 t9 U
9. ******************************************************************************/
   9 m, N0 [. G9 ?* y
10. /*----------------------------------------------------------------------------
    
11. * @更新日志：
    
12. * @无
    + |* l' ^3 X# u3 t0 U* j# p  s
13. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    4 R6 r4 C6 i; Y/ S8 q1 d: I. n. F
14. #ifndef __SRAM_H
    # _2 \5 s" _, X4 l) @
15. #define __SRAM_H
    
16. /* 包含的头文件 ---------------------------------------------------------------*/
    
17. #include "sys.h"
    
18. /* 函数申明 -------------------------------------------------------------------*/            
    
19. void FSMC_SRAM_Init(void);
    % E9 B# c1 u0 m$ i7 D* g- c
20. void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 NumHalfwordToWrite);
    
21. void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 NumHalfwordToRead);
    1 w' x- t/ g& l  @& o9 I" l
22. #endif /* __SRAM_H */
    : L3 c& l' D! a' m8 c: E. p: U
23. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/

复制代码

* O. C% I6 v. A5 N% o3.2 sram.c文件代码解读
) B7 r" ]0 A9 g% H! t

1. /**
   5 c: }4 @4 }7 h  v
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   ' T( L9 H: f- O- \
3. * @文件名称： sram.c
   
4. * @作者名称： Aaron
   
5. * @库版本号： V3.5.0
   
6. * @工程版本： V1.0.0
   
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   
8. * @摘要简述： SRAM源文件,使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10,
   2 }& y2 u- u; j7 E# ~4 ]9 F
9. *            对IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
   ; Z. p& D3 [( K
10. ******************************************************************************/
    9 I3 F. j( _  N
11. /*----------------------------------------------------------------------------
    
12. * @更新日志：
    3 L' v. F7 v* I) e/ ]
13. * @无
    
14. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    
15.   /* 包含的头文件 --------------------------------------------------------------*/
    
16. #include "sram.h"   
    
17. #include "usart.h"
      \7 N; ]$ u- c7 u& o! o( D
18. /* 定义常量 ------------------------------------------------------------------*/     
    : z# D( E6 g4 J5 O) h) i0 j2 W
19. #define Bank1_SRAM3_ADDR    ((u32)(0x68000000))  
    5 L3 _4 v2 v  u, x1 U
20. /************************************************
    
21. 函数名称：FSMC_SRAM_Init()
    , X3 z& ?- |! O% s4 Q4 T% [
22. 函数功能：初始化外部SRAM
    0 i( G# P+ p9 b0 N# C  G
23. 入口参数：无
    + h: k3 l' E2 L
24. 返回参数：无
    
25. 开发作者：Aaron
    
26. *************************************************/
    
27. void FSMC_SRAM_Init(void)
    % M6 z5 C1 b8 B1 n
28. {
    2 l" ^. a+ s2 {( F% W7 V7 L2 w( c
29. /* 定义结构体 */
    
30. FSMC_NORSRAMInitTypeDef        FSMC_NORSRAMInitStructure;
    % q3 O7 I" a) f
31. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;
    * l6 I: U  O' z) i  |1 }
32. GPIO_InitTypeDef               GPIO_InitStructure;
    $ T7 U( Y( o  S: R8 a+ X+ O
33. /* 使能相关IO口 */
    ! t7 O- O0 {' J8 ~% d/ R3 O
34. RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
    & S% F. S( ^8 v1 U' B$ ~
35. RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
    
36. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33;              /* PD0-1,PD4-5,PD8-15 */
    " \3 u' ?7 T. U. `
37. GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;    /* 复用推挽输出 */
    
38. GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
    
39. GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
    
40. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83;              /* PE0-1,PE7-15 */
    : U! t; C: x: L+ y
41. GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
    . b. T% c) `/ f) g5 g$ K
42. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F;              /* PF0-5，PF12-15 */
    - m. V, P' p0 k0 B& H5 p
43. GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);
    
44. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F;              /* PG0-5,PG10 */
    
45. GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
    
46. /* 读写时序结构体初始化 */        
    
47. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;        /* 地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns */
    
48. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;         /* 地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到 */
    & p, l2 G$ k6 f) \  b/ {
49. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;           /* 数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M≈55ns(对EM的SRAM芯片) */  
    6 X1 W0 W% ]' w# p; O& r8 E
50. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
    ; J0 c0 b( Y+ y4 o3 `/ v' M0 q
51. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
    
52. readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
    ; }4 ?5 ]3 K6 G* u  R# Y
53. readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; /* 模式A */  
      N: l& O+ y+ D, ?+ a# J$ v
54. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;                                /* 使用NE3，对应BTCR[4],[5] */
    
55. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;              /* 地址复用未用 */
    
56. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;                          /* 存储器类型SRAM */   
    
57. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;                /* 存储器数据宽度为16bit */  
    
58. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;             /* 禁止突发访问模式 */
    
59. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    
60. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
    
61. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   
    
62. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  
    
63. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;               /* 存储器写使能 */
    3 I  _- ]7 w% l5 m2 h/ H
64. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  
    . b+ w; \* P0 b7 q5 d* G* A! J
65. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;                  /* 不使用扩展模式，读写使用相同的时序 */
    % Z- t$ A- f1 F8 t% M" y
66. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  
    8 Y! b( G! R1 Z8 }; ?
67. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;                  /* 读写同样时序 */
    / o. A8 R2 I7 h/ _# Z. y1 X
68. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;                      /* 读写同样时序 */
    : J8 e2 j4 r! O$ T# j
69. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);                                             /* 初始化FSMC配置 */
    ' j+ Y1 J# L9 e- a4 S& x7 M8 b) e
70. FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);                                             /* 使能BANK3 */            
    & U" ^% [" Y3 F7 h( s1 w) ~
71. }
    $ P/ O) Z0 M0 `8 Q
72. /**********************************************************************
    ( o" {, g6 \0 A' o+ b3 \5 V
73. 函数名称：FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
      m& I2 k$ e5 _# F
74. 函数功能：在指定地址开始,连续写入n个字节
    2 Z% G; Z2 t; l' O6 y6 d
75. 入口参数：pBuffer:字节指针，首地址;WriteAddr:要写入的地址;n:要写入的字节数
    ' X+ Y* g: B4 q2 |
76. 返回参数：无
    ; L7 S1 [& `8 x$ a  c- c3 `
77. 开发作者：Aaron
    # O: U1 h0 u4 i
78. ***********************************************************************/
    ! X' U! q% V) g# Q
79. void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
    * L! R: v( B! C4 E
80. {
    3 @& S, a2 N* G. e; F7 W/ e& M
81. for(;n!=0;n--)  
    $ h1 J1 c2 n  m$ d5 L0 k3 }
82. {              
    
83.   *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;   /* Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000)) */
    
84.   WriteAddr++;
    
85.   pBuffer++;
    
86. }   
    ' u! L: v! V+ w! D/ A$ `
87. }
    " C( M3 X( y, ~7 d0 l& Q
88. /**********************************************************************
    
89. 函数名称：FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
    ! b4 n6 E+ f1 O; d$ Q5 V
90. 函数功能：在指定地址开始,连续读出n个字节
    9 c4 I& V- s8 }+ ?
91. 入口参数：pBuffer:字节指针，首地址;ReadAddr:要写入的地址;n:要读出的字节数
    - B0 |; z( F3 U7 S+ W& T" K! g
92. 返回参数：无
    2 Q* p5 `0 _% c: Z% j
93. 开发作者：Aaron
    
94. ***********************************************************************/
    , R# _6 o* l. c6 ]/ M/ ^( j# p
95. void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
    % |" `! C: a/ F5 V: S+ t
96. {
    
97. for(;n!=0;n--)  
    
98. {               
    , z/ O! E5 M3 ~2 `
99.   *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);   
    
100.   ReadAddr++;
     ) f* j5 `! N9 a" q" r
101. }  
     1 A" z, W9 Y. F- t& {7 e9 t
102. }
     ) k; s- w, P# c: j! z& f6 L
103. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/

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; e+ G+ c6 r$ E' ?1 V& ~5 D3.3 main.c文件代码解读

% I* ?) e- s3 Y" h! Y

1. /**
   
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   - \" }% J# C3 |& ]' L
3. * @文件名称： main.c
   
4. * @作者名称： Aaron
   1 ?0 Z) i1 X% b/ G) H# E3 r
5. * @库版本号： V3.5.0
   
6. * @工程版本： V1.0.0
   1 }( |( [6 \7 O- t$ k  y" m
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   * m! C" B9 G- s* x4 S+ e( o7 R
8. * @摘要简述： 主函数
   
9. ******************************************************************************/
   2 g; E2 R2 T8 p9 b/ ?: \; M- X
10. /*----------------------------------------------------------------------------
    ; p2 O2 ~8 e. ^' B9 }5 n; T
11. * @更新日志：
    
12. * @无
    # Z% y. b, s0 z5 c) V+ N
13. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    
14. /* 包含的头文件 --------------------------------------------------------------*/
    ' s5 R6 y8 B$ a: y
15. #include "sram.h"
    
16. #include "led.h"
    ; ^+ z- o' a% ^+ u  ^
17. #include "key.h"
    
18. #include "sys.h"
    & D/ N6 h! e' L; \3 u
19. #include "delay.h"
    
20. #include "usart.h"
    * c4 k5 Y( j( t0 {. U  v
21. /* 定义一个数组testsram[]，u32表示每个数占4个字节，数组包含250000个值，*/
    
22. /* 采用绝对地址定义，数组的起始地址在0x68000000 */
    1 s% ]$ W- S2 q7 n1 y7 [) a
23. u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));
    6 E! A5 I$ b. v! O0 D6 l
24. /**********************************************************************
    " }) E  f2 b& Q
25. 函数名称：fsmc_sram_test()
    
26. 函数功能：外部内存测试(最大支持1M字节内存测试)
    & F2 N! o% u. S% ]1 z9 X+ s0 z
27. 入口参数：无
    
28. 返回参数：无
    
29. 开发作者：Aaron
    ! n2 S: Z7 {8 n3 ~1 E" r
30. ***********************************************************************/
    
31. void fsmc_sram_test(void)
    0 w' P; R4 M6 K: \  ?
32. {  
    
33. u32 i=0;     
    
34. u8 temp=0;                        /* 0≤temp≤255 */
      d6 X# b% M, n7 D
35. u8 sval=0;                        /* 在地址0读到的数据 */
    # v& `! P  W, l
36. printf("外部内存测试:0KB\r\n");
    
37. /* 每隔4K个字节,写入一个数据,总共写入256个数据,刚好是1M字节 */
    
38. for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
    
39. {
    
40.   FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
    
41.   temp++;                          /* for循环运行完后，temp值为0 */
    
42. }
    3 G2 S1 k9 a; o  t4 h# g
43. /* 依次读出之前写入的数据,进行校验 */   
    6 N( l% m% S+ n0 a1 y3 g1 A# W# l3 V
44. for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
    
45. {
    
46.   FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);
    
47.   if(i==0)                         /* 将第一次的temp值赋给sval，即sval=temp=0 */
    * P% L3 a1 y3 @) V$ v
48.   sval=temp;
    
49.   else if(temp<=sval)
    ! `* P0 Z$ U0 A; v* L
50.   break;                         /* 本程序设计思路，后面读出的数据一定比第一次读到的数据大 */  
    
51.   printf("内存容量为：%dKB\r\n",(temp-sval+1)*4);  
    $ q* V! j' ^( j/ ~; C4 T
52. }      
    $ O: w  B& J% f0 O& a  \. v
53. }
    
54. /**********************************************************************
    9 v* s; E1 `* H5 G2 N% c8 {% J4 z
55. 函数名称：main()
    
56. 函数功能：主函数
    
57. 入口参数：无
    
58. 返回参数：无
      u' i2 V& }4 u' `) B
59. 开发作者：Aaron
    % Z! ~/ V* n2 q
60. ***********************************************************************/
    
61. int main(void)
    1 l2 S4 Q1 I% E8 R- l/ m4 r& c
62. {  
    
63. u8 key;   
    3 ?& O$ M6 v4 ~
64. u8 i=0;      
    
65. u32 ts=0;
    
66. delay_init();        
    % w( N; `$ M: O* |# z5 ?/ F5 c# b
67. NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
    ! D) _8 O, [6 q) ^; q# p7 L* f
68. uart_init(115200);   
    ( f$ x5 d% T  C" P$ r/ U  O2 @
69. LED_Init();      
    
70. KEY_Init();     
    
71. FSMC_SRAM_Init();
    ( ?  U6 Z- `* d( d
72. for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;       /* 预存测试数据 */
    
73. while(1)
    
74. {
    
75.   key=KEY_Scan(0);                              /* 不支持连按 */
    
76.   if(key==KEY0_PRES)
    
77.    fsmc_sram_test();                           /* 测试SRAM容量 */
    1 t# h. c! V. i7 l( z" f
78.   else if(key==KEY1_PRES)                       /* 打印预存测试数据 */
    
79.   {
    + q% o- Z/ n7 A' r" T) v
80.    for(ts=0;ts<250000;ts++)
    
81.     printf("显示测试数据testsram[%d]=%d\r\n",ts,testsram[ts]);
    6 |8 R9 J# `) J8 e* W
82.   }
    ) q) R) O! Z4 a/ g' U0 e
83.   else
    
84.    delay_ms(10);   
    
85.   i++;
    
86.   if(i==20)
    
87.   {
    5 d2 B2 T% S& T
88.    i=0;
    
89.    LED0=!LED0;
    3 E1 N+ \  p3 B- Z; y& C
90.    }
    0 b: A7 ~$ z# M8 V! r& l, X/ O
91. }      
    , b7 ^# J+ N. \5 I5 q
92. }
    # {, V: n' H, w& T) R( A
93. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/
    0 R4 e$ n+ I! G) ?& a" |
94. 
    % P: e6 `; W7 B7 ?. ^* u7 X

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4. 实验结果
1 x. I' p% H1 h7 o- I按KEY0键：
- j6 d* d- L* B, i2 c* b7 Q
( T1 ^9 q5 q6 I
# S6 S5 ^; T3 |& Q0 N8 |' i


按KEY1键：
9 O/ W* J( N# c6 W$ [. f+ D

0 O9 O7 f3 o0 H% e- {" ^
) r# b; b" V* y! Y% k. I1 I3 `————————————————
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