主要内容：
# M4 J( f" [' p8 k- }1） IS62WV51216简介；
2） FSMC简介及相关寄存器介绍；
6 V) g  Z- n" N$ h! S, p' q3） 相关实验代码解读。
硬件连接：
IS62WV51216原理图如下所示，具体连接关系为：
A[0:18]接FMSC_A[0:18]；D[0:15]接FSMC_D[0:15]；UB接FSMC_NBL1；LB接FSMC_NBL0；OE接FSMC_OE；WE接FSMC_WE；CS接FSMC_NE3。

9 n$ Z! h& P9 `: u
2 [3 M, @7 U% J2 Q
实验功能：程序开启后，按下KEY0键，测试外部SRAM容量大小并发送至串口端；按下KEY1键，显示预存在外部SRAM的数据。DS0指示程序运行状态。
# r$ u) L$ D1 |' E( |4 E
7 Y: y! @: e" X$ G8 |0 Y1. IS62WV51216简介
1.1 IS62WV51216是ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc）公司生产的一颗16位宽512K（512*16，即1M字节）容量的CMOS静态内存（SRAM）芯片。

1.2 特点
1） 高速。具有45ns/55ns访问速度（开发版采用55ns型号）；
2） 低功耗。操作时：36mW；待机时：12uW；
3） 兼容TTL电平，兼容5V电压；
4） 全静态操作，不需要刷新和时钟电路；
2 o, _( V1 m2 H8 F0 E& F+ u4 G. j, Y5） 三态输出；
, d) E7 H, Z9 K0 Z/ T' Q- t6） 字节控制功能。支持高/低字节控制。
: S4 Z2 w9 b# S9 U
- a. G" S" y4 W# z1.3 框图
图中A0~18为地址线，总共19根地址线（即2^19=512K，1K=1024）；
I/O0~15为数据线，总共16根数据线；
CS2和CS1都是片选信号，CS2是高电平有效，CS1是低电平有效（开发板采用CS1）；
OE是输出使能信号（读信号）；
" j1 A  G/ ^- j: CWE为写使能信号；
UB和LB分别是高字节控制和低字节控制信号（设0有效，设1无效）。
# l) [1 U$ Z0 M4 N9 \# o
* i. P1 i: z- ^  c  I. E

1.4 IS62WV51216读时序
IS62WV51216芯片的8080并口读时序如下图所示：
重点时序：读周期时间(tRC)；地址建立时间(tAA)；OE建立时间(tDOE)。
开发板使用55ns的IS62WV51216，tRC=55ns，tAA=55ns（Max），tDOE=25ns（Max）。



1.5 IS62WV51216写时序
  g, i/ V0 S* E% b: xIS62WV51216芯片的8080并口写时序如下图所示：
! t* o4 Q% H$ M: B; _重点时序：写周期时间(tWC)，地址建立时间(tSA)，WE脉宽(tPWE)。
开发板使用55ns的IS62WV51216，tWC=55ns，tSA=0ns，tPWE=45ns（min）。
5 T/ C6 n8 M3 o" m. E

3 L% o* v5 J" l2 S0 m% \8 _1 f
7 B, u/ G, B' R; w2. FSMC简介
) {- `8 l; e2 m: L2 UFSMC，即灵活的静态存储控制器，能够与同步或异步存储器和16位PC存储器卡连接，STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存储器（不支持SDRAM）。FSMC的框图如下图所示：

: H; |0 [5 o+ h# a# Z. m6 C& }
1 D# Y) `8 j1 J& Z3 f
2.1 FSMC驱动IS62WV51216原理
* R3 d, \- z: HFSMC驱动外部SRAM时，外部SRAM的控制一般有：
5 k5 p1 G0 O% X: N$ s  T% R* G$ l1） 地址线（如A0~A25）；
2） 数据线（如D0~D15）；
  f0 j9 E: R4 y2 q* A* e3） 写信号（WE，即WR）；
; o  v) K6 q4 |/ T, I4） 读信号（OE，即RD）；
5） 片选信号（CS）；
0 \" q$ J4 Q0 F) Q" j6） 如果SRAM支持字节控制，还有UB/LB信号。
IS62WV51216的信号包括：
1） 地址线A0~A18；
* Z3 m/ o- x7 y2 {- R2） 数据线I/O0~I/O15；
$ l2 q9 |- X8 ~6 y+ x' n3） 写信号WE；
4） 读信号OE；
5） 片选信号CS；
+ z, ^$ }3 U/ j  X6） 字节控制UB、LB等。
6 P1 w' b7 P# ]8 X& R$ a& R将这些信号依次连接STM32 FSMC接口的A0-A18、D0-D15、WE、OE、CS、UB、LB等信号即可。
4 ~5 x! u! F6 t$ h$ B% k& x) b
4 ^1 F3 C  p6 a2.2 NOR / PSRAM外设接口
STM32的FSMC支持8/16位数据宽度，我们这里用到的SRAM是16位宽度的，所以在设置的时候，选择16位宽就OK了。FSMC的外部设备地址映像，STM32的FSMC将外部存储器划分为固定大小为256M字节的四个存储块(注意每个块的起始地址！)。

6 i) ^7 s6 T% }) B/ E
/ O1 j5 k( l; L# y+ w9 k3 t% |: p: T
) x' S* S& p1 f/ E7 ]+ v2.3 NOR / PSRAM存储块1 操作简介
STM32的FSMC存储块1（Bank1）用于驱动NOR FLASH/SRAM/PSRAM，被分为4个区，每个区管理64M字节空间，每个区都有独立的寄存器对所连接的存储器进行配置。Bank1的256M字节空间由28根地址线（HADDR[27:0]）寻址。
, T! ^7 q( Y# C6 ]这里HADDR，是内部AHB地址总线，其中，HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]对4个区进行寻址（不能直接设置，只能选择片选间接设置）。如下表所示：
! r" d3 A) b% l( e9 h# z

8 O% W/ \1 E6 l9 I" I
注意！
# E0 X1 y9 X- c% d2 r7 F6 d9 a当Bank1接的是16位宽度存储器的时候：HADDR[25:1]——FSMC_A[24:0]（右移一位对齐），
0 ^/ P) d2 A7 @; R: L7 Z当Bank1接的是8位宽度存储器的时候：HADDR[25:0]——FSMC_A[25:0]，
# i( |& }) [9 z# U# }不论外部接8位/16位宽设备，FSMC_A[0]永远接在外部设备地址A[0]。
6 h; J; g( s+ T# U# y+ }: [
2.4 NOR PSRAM存储块1 访问模式
1 k, ^2 H7 M3 E8 ~- z2 }9 c& DSTM32的FSMC存储块1 支持的异步突发访问模式包括：模式1、模式A~D等多种时序模型，驱动SRAM时一般使用模式1或者模式 A，这里使用模式A来驱动SRAM，其他模式说明详见：STM32中文参考手册-FSMC章节。
3 a* R0 q, K  v+ k* Y# H% k
6 \" j! p2 o( ~. A2 w
" o" Z/ z; F6 K+ C# \
模式A支持读写时序分开设置！（可针对一些读写时序不一样的设备分开设置），
# r; K$ ?& T1 m; q对STM32F4仅写时序DATAST需要+1（F1按上图要求即可）。

" T  }8 [  z2 i2.5 FSMC寄存器介绍
: P( q6 i* H: E$ K4 j0 Y对于NOR FLASH/PSRAM控制器(存储块1)，通过FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx（仅读写时序不一致时才设置）寄存器设置（其中x=1~4，对应4个区）。通过这3个寄存器，可以设置FSMC访问外部存储器的时序参数，拓宽了可选用的外部存储器的速度范围。
2.5.1 SRAM/NOR闪存片选控制寄存器（FSMC_BCRx）

9 q" p4 N* h+ T: C% l' s
0 [7 }, B: Y$ T* ]9 ]
EXTMOD：扩展模式使能位，控制是否允许读写不同的时序，设置为0（读写相同时序）；
WREN：写使能位。我们需要向SRAM写数据，故该位必须设置为1；
1 ]9 G0 P* ~4 L" I# ^1 UMWID[1:0]：存储器数据总线宽度。00，表示8位数据模式，01表示16位数据模式，10和11保留。我们的SRAM是16位数据线，所以设置WMID[1:0]=01；
) r1 Z) k. o  Y! Y* UMTYP[1:0]：存储器类型。00表示SRAM、ROM，01表示PSRAM，10表示NOR FLASH，11保留。我们驱动的芯片为SRAM，所以需要设置MTYP[1:0]=00；
MBKEN：存储块使能位。需设置为1，使能相应的存储块。

2.5.2 SRAM/NOR闪存片选时序寄存器（FSMC_BTRx）
% l/ `$ `1 P! A. i2 X8 z( P
6 e% \5 S* A- S0 ^% K
' R0 F3 A' `# }& x7 O
ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A,01:模式B,10:模式C,11:模式D。
DATAST[7:0]：数据保持时间，等于: DATAST(+1)个HCLK时钟周期（F4只有写的时候要+1），DATAST最大为255。对IS62WV51216来说，其实就是OE/WE低电平持续时间，最大为55ns。对STM32F1，一个HCLK=13.8ns (1/72M)，设置为3（13.8×（3+1）≈55.2ns）。对STM32F4，一个HCLK=6ns(1/168M)，设置为8（有点超频）。
ADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET (+1)个HCLK周期（F1不需要+1），ADDSET最大为15。对IS62WV51216来说，访问周期最快为55ns，之前的设置，已经可以保证访问周期不小于55ns，因此这个地址建立时间，直接设置为0即可。
本实验因为EXTMOD位设置为0，所以读写时序共用这个时序寄存器！
! R; F' y, z( |( a" r& l% x
3 S/ w7 M6 B6 b2.5.3 SRAM/NOR闪存写时序寄存器（FSMC_BWTRx）
8 j  E0 G2 Z) I若EXTMOD位设置为1，读写时序分开，则用该寄存器设置写时序。
) l& V' e8 Q; l
, ^$ r5 T, j4 H' V! k  p$ K
! b( T' o* P5 ~0 e& ]$ e) q3 S4 o
- c" w3 O; i5 @ACCMOD[1:0]：访问模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。
DATAST[7:0]：数据保持时间，等于:
% }$ V6 I! O5 iDATAST(+1)个HCLK时钟周期，DATAST最大为255。
  |: H) `# X9 b- d; V8 X. QADDSET[3:0]：地址建立时间。表示：ADDSET+1个HCLK周期，ADDSET最大为15。
本实验因为EXTMOD位设置为0，所以用不到该寄存器！

0 C9 A7 }" H7 b' z- Q6 G5 i0 i2.5.4 SRAM/NOR闪存片选寄存器组合说明
在ST官方库提供的的寄存器定义里面，并没有定义FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等这些单独的寄存器，而是将他们进行了一些组合。规律如下：
1）FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，组合成BTCR[8]寄存器组，对应关系如下：
BTCR[0]对应FSMC_BCR1，BTCR[1]对应FSMC_BTR1；
BTCR[2]对应FSMC_BCR2，BTCR[3]对应FSMC_BTR2；
  L/ a2 M- J" O( f) \) NBTCR[4]对应FSMC_BCR3，BTCR[5]对应FSMC_BTR3；
( t! y5 k7 s1 t. ]  d) u7 J" ZBTCR[6]对应FSMC_BCR4，BTCR[7]对应FSMC_BTR4。
2）FSMC_BWTRx则组合成BWTR[7]，对应关系如下：
BWTR[0]对应FSMC_BWTR1，BWTR[2]对应FSMC_BWTR2，
  u+ J) Q7 s2 b* V$ U8 A9 jBWTR[4]对应FSMC_BWTR3，BWTR[6]对应FSMC_BWTR4，
1 d% ^* ?! M2 t) e* F$ MBWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留，没有用到。
: O* G* ]$ J' i$ E% k
3. 相关代码解读
% f. C; s, I" n# `9 u1 D6 Y3.1 sram.h头文件代码解读

1. /**
   7 c: S+ h8 [! {7 f% N- `0 p- @: b5 s. i
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   - h, p; R! ^; g9 k+ P
3. * @文件名称： sram.h
   
4. * @作者名称： Aaron
   " g$ h" J3 c7 o( Q) {
5. * @库版本号： V3.5.0
   
6. * @工程版本： V1.0.0
   * {. E' u$ g. N  x2 n4 X+ M
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   9 ?( l9 ~5 l* O/ w) M5 g2 o# B
8. * @摘要简述： SRAM头文件
   7 G3 |, o* P/ ~2 c$ f
9. ******************************************************************************/
   
10. /*----------------------------------------------------------------------------
    
11. * @更新日志：
    + o8 w7 P* A( c# t" j
12. * @无
    
13. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    
14. #ifndef __SRAM_H
    
15. #define __SRAM_H
    
16. /* 包含的头文件 ---------------------------------------------------------------*/
    
17. #include "sys.h"
    
18. /* 函数申明 -------------------------------------------------------------------*/            
    
19. void FSMC_SRAM_Init(void);
    
20. void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 NumHalfwordToWrite);
    
21. void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 NumHalfwordToRead);
    3 X0 z2 D0 k0 l
22. #endif /* __SRAM_H */
    0 w3 \7 B( d' _7 _4 l0 r2 {1 R
23. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/

复制代码

3.2 sram.c文件代码解读

2 J2 t$ O. w: q0 g

1. /**
   
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   
3. * @文件名称： sram.c
   
4. * @作者名称： Aaron
   , _9 y# W4 U' F# m$ D
5. * @库版本号： V3.5.0
   : e- p& D1 i; G4 j
6. * @工程版本： V1.0.0
   3 G, ^) D6 }* p
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   
8. * @摘要简述： SRAM源文件,使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10,
   7 D8 }0 f1 d; |9 G; X2 l' P' r% N- ]; @
9. *            对IS62WV51216,地址线范围为A0~A18
   ( A9 X4 z0 h* t5 h
10. ******************************************************************************/
    ' g, A* t- g" q
11. /*----------------------------------------------------------------------------
    # G: e, D9 q8 S
12. * @更新日志：
    / A; T& u$ L# A
13. * @无
    
14. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    
15.   /* 包含的头文件 --------------------------------------------------------------*/
    
16. #include "sram.h"   
    
17. #include "usart.h"
    - }9 F( i1 l, L# j
18. /* 定义常量 ------------------------------------------------------------------*/     
    ; W# C! b' K. n# Y% ~# n% `
19. #define Bank1_SRAM3_ADDR    ((u32)(0x68000000))  
    
20. /************************************************
    0 W7 _4 [, X. s2 ^
21. 函数名称：FSMC_SRAM_Init()
    
22. 函数功能：初始化外部SRAM
    
23. 入口参数：无
    
24. 返回参数：无
    
25. 开发作者：Aaron
    
26. *************************************************/
    
27. void FSMC_SRAM_Init(void)
    
28. {
    . W! m8 @$ ^( r: g2 m
29. /* 定义结构体 */
    * A' l, a7 O/ a4 W  X
30. FSMC_NORSRAMInitTypeDef        FSMC_NORSRAMInitStructure;
    
31. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;
    
32. GPIO_InitTypeDef               GPIO_InitStructure;
    & \4 e5 B9 Z" C3 _5 I1 M1 ]
33. /* 使能相关IO口 */
    ' N0 @; P. i7 _% I2 y9 i
34. RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
    % w5 E6 k4 K; V+ a; U" N
35. RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
    7 ~$ T& k! S, o! P5 N1 D0 T
36. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33;              /* PD0-1,PD4-5,PD8-15 */
    $ K# [' A2 x  ]! c0 _/ t2 c
37. GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;    /* 复用推挽输出 */
    
38. GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
    3 P1 S* u8 v$ x3 ^
39. GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
    
40. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83;              /* PE0-1,PE7-15 */
    ( ^2 Q& k) e( y4 s' p- x
41. GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
    ! S" m: b1 O$ Q' o- Y: R
42. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F;              /* PF0-5，PF12-15 */
    : E1 J5 u2 P, Z3 m
43. GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);
    & B0 }1 K. J0 C% W, L- r( J& x
44. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F;              /* PG0-5,PG10 */
    
45. GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
    - k  z/ T; |# S
46. /* 读写时序结构体初始化 */        
    * J2 J( Z2 T% U( T
47. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;        /* 地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns */
      P$ _1 l% V' _
48. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;         /* 地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到 */
    
49. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;           /* 数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M≈55ns(对EM的SRAM芯片) */  
    
50. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
      \% o) L* c( |% U# J
51. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
    ' s" {/ U+ ]7 |( ~+ _
52. readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
    
53. readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A; /* 模式A */  
    
54. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;                                /* 使用NE3，对应BTCR[4],[5] */
    ! D: o9 T4 i9 z) E
55. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;              /* 地址复用未用 */
    9 H: o# \) q4 r: |- M) G. g
56. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;                          /* 存储器类型SRAM */   
    3 e; z; T3 W- }' f- e) ^$ H' Z
57. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;                /* 存储器数据宽度为16bit */  
    % F( {8 Y1 H) p, V) y% r" {% K5 e
58. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;             /* 禁止突发访问模式 */
    & a  n  y. `) n, u# T+ ~
59. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    
60. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
    $ u* H3 b% ]4 d4 ]3 Z4 Y% g: G
61. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   
    
62. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  
    - C. X; h6 ^, n
63. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;               /* 存储器写使能 */
    ; F( W, w, L! `% ^! j" e
64. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  
    ) R! @7 t6 o; X9 A
65. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;                  /* 不使用扩展模式，读写使用相同的时序 */
    
66. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;  
    . `) o. G! r! ~/ G& `
67. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming;                  /* 读写同样时序 */
    ) y( G. K# N; S0 k. q9 f% K( `
68. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;                      /* 读写同样时序 */
    * k, N$ z# S% M; E
69. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);                                             /* 初始化FSMC配置 */
    
70. FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);                                             /* 使能BANK3 */            
    
71. }
    % o5 b. b. P4 j! X
72. /**********************************************************************
    2 g0 [% \5 q0 ^6 Z
73. 函数名称：FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
    
74. 函数功能：在指定地址开始,连续写入n个字节
    : x$ n3 k9 ~& v* E1 A/ q
75. 入口参数：pBuffer:字节指针，首地址;WriteAddr:要写入的地址;n:要写入的字节数
    - c. x& G5 r. T8 A2 {( V' T
76. 返回参数：无
    
77. 开发作者：Aaron
    : e0 n6 o: B  Y6 f2 f0 V
78. ***********************************************************************/
    
79. void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
    * s  T. J9 O- O8 I6 q$ J. k
80. {
    5 v4 b6 K' O; h& _- F. Q
81. for(;n!=0;n--)  
    4 z1 J( O  s- x  G3 E  M0 {. w3 N
82. {              
    
83.   *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;   /* Bank1_SRAM3_ADDR ((u32)(0x68000000)) */
    $ E+ `5 [" _' f; h8 T9 W4 J2 s
84.   WriteAddr++;
    
85.   pBuffer++;
    7 C9 @! e* |! q5 a/ q$ o
86. }   
    
87. }
    
88. /**********************************************************************
    : O; c7 j6 T. P
89. 函数名称：FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
    
90. 函数功能：在指定地址开始,连续读出n个字节
    ( w2 s/ G: P5 ^3 L7 ?1 l4 H8 l$ f
91. 入口参数：pBuffer:字节指针，首地址;ReadAddr:要写入的地址;n:要读出的字节数
    ; |6 S9 A/ P7 h
92. 返回参数：无
    
93. 开发作者：Aaron
    , {% {! g8 _; C
94. ***********************************************************************/
    + M. U. r  D4 T9 |: U
95. void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
    
96. {
    
97. for(;n!=0;n--)  
    
98. {               
    . i; n: F1 @4 O' c3 o& G0 c
99.   *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);   
    " ^$ D# r7 {0 [: a9 a6 I
100.   ReadAddr++;
     
101. }  
     
102. }
     , w) F) Q+ T# v/ ~
103. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/

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6 T, X) Y5 Y* Q3.3 main.c文件代码解读

1. /**
   
2. ********************************  STM32F10x  *********************************
   
3. * @文件名称： main.c
   
4. * @作者名称： Aaron
   
5. * @库版本号： V3.5.0
     f3 z! A! f9 B
6. * @工程版本： V1.0.0
   1 M5 L5 `: \( j% m6 v8 ]) I/ K
7. * @开发日期： 2020年10月7日
   2 q3 M/ y9 t+ R! q& {& v& W) ~9 j
8. * @摘要简述： 主函数
   
9. ******************************************************************************/
   7 z" D& a- N6 M7 b$ z
10. /*----------------------------------------------------------------------------
    
11. * @更新日志：
    
12. * @无
    
13. * ---------------------------------------------------------------------------*/
    
14. /* 包含的头文件 --------------------------------------------------------------*/
    
15. #include "sram.h"
    8 v& L6 P& [' a$ _2 D0 X
16. #include "led.h"
    $ _! U- |+ I( _
17. #include "key.h"
    
18. #include "sys.h"
    9 z# q& s$ y6 L: _, o! T. |7 M% S
19. #include "delay.h"
    3 L0 L. \& H+ ^: L& H
20. #include "usart.h"
    
21. /* 定义一个数组testsram[]，u32表示每个数占4个字节，数组包含250000个值，*/
    ) L3 u5 v2 v) i. ^( Y
22. /* 采用绝对地址定义，数组的起始地址在0x68000000 */
    
23. u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));
    - z$ P/ s7 o/ a% Q, V  A) k5 n% p' w3 h( H
24. /**********************************************************************
    ! ?% p3 _, d& p5 T4 ?+ `' I# a. b
25. 函数名称：fsmc_sram_test()
    
26. 函数功能：外部内存测试(最大支持1M字节内存测试)
    
27. 入口参数：无
    
28. 返回参数：无
    6 {9 A7 M1 f" V. Q# J1 I
29. 开发作者：Aaron
    8 T1 A6 q' B  y$ H
30. ***********************************************************************/
    $ x; A* O2 b9 h$ r; n  e( j3 M
31. void fsmc_sram_test(void)
    
32. {  
    
33. u32 i=0;     
    
34. u8 temp=0;                        /* 0≤temp≤255 */
    ! a3 S0 k' P3 R5 g# r
35. u8 sval=0;                        /* 在地址0读到的数据 */
    5 c/ m( Z* g- {7 M, {& [8 r
36. printf("外部内存测试:0KB\r\n");
    
37. /* 每隔4K个字节,写入一个数据,总共写入256个数据,刚好是1M字节 */
    
38. for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
    ; A+ Q8 O. m/ }. E: P1 {+ e
39. {
    5 A; D% {# u5 e2 }0 ~4 Q# D6 S
40.   FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
    
41.   temp++;                          /* for循环运行完后，temp值为0 */
    2 m, C# `# ^8 ]  `6 G3 `
42. }
    ! v, y: Q$ I  L" p
43. /* 依次读出之前写入的数据,进行校验 */   
    
44. for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
    " |4 r  J0 n$ I  V
45. {
    : d: P/ R$ H" u; g" P+ d
46.   FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);
    
47.   if(i==0)                         /* 将第一次的temp值赋给sval，即sval=temp=0 */
    9 Z, r9 `* T9 o) Z- C
48.   sval=temp;
    
49.   else if(temp<=sval)
    
50.   break;                         /* 本程序设计思路，后面读出的数据一定比第一次读到的数据大 */  
    : {. h! n. ?; X0 u
51.   printf("内存容量为：%dKB\r\n",(temp-sval+1)*4);  
    
52. }      
    
53. }
    
54. /**********************************************************************
    : T/ c' |2 T' R: |' b
55. 函数名称：main()
    . v) c7 Q1 B0 L, K% o
56. 函数功能：主函数
    - v. D! Z) c: @7 S) T
57. 入口参数：无
    $ g% {1 ^5 Y$ |# \; `% ]
58. 返回参数：无
    
59. 开发作者：Aaron
    . d! F( T; {5 _
60. ***********************************************************************/
    
61. int main(void)
    
62. {  
    % {1 V3 n% [" o  X5 g0 N1 Q  q: w
63. u8 key;   
    $ V% T3 \9 t5 \7 }1 ]$ V, ?' l
64. u8 i=0;      
    : \% t8 q- [: k$ W0 N* C
65. u32 ts=0;
    ; D7 ]0 E" X6 i0 J+ c2 h. O
66. delay_init();        
    ) I3 t' ~" s2 ]% M4 n
67. NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);
    . e" f/ t. k3 J1 J
68. uart_init(115200);   
    0 ?# X  I; ^" i  |/ d' X" A7 U
69. LED_Init();      
    8 [" L$ L% q, ]* p. _5 O
70. KEY_Init();     
    5 c9 c5 a. S0 C! ]
71. FSMC_SRAM_Init();
    % w" [4 ~$ x% u( V) y
72. for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=ts;       /* 预存测试数据 */
    
73. while(1)
    , E" J( A) J0 \) b) I) Z) P
74. {
    
75.   key=KEY_Scan(0);                              /* 不支持连按 */
    
76.   if(key==KEY0_PRES)
      b& c- T- F1 A- P2 \" G; _" O
77.    fsmc_sram_test();                           /* 测试SRAM容量 */
    3 E& d: T  r6 R- g
78.   else if(key==KEY1_PRES)                       /* 打印预存测试数据 */
    
79.   {
    ) g  T. H7 r7 [" x9 j
80.    for(ts=0;ts<250000;ts++)
    / u/ D  M  O# U: s, A: R/ p
81.     printf("显示测试数据testsram[%d]=%d\r\n",ts,testsram[ts]);
    
82.   }
    ' v: e2 H2 V1 u+ s
83.   else
    6 z) ?4 B8 `6 t
84.    delay_ms(10);   
    
85.   i++;
    , E/ q3 U0 Y/ D0 d; J
86.   if(i==20)
    . p" T9 Z! A. L6 O' S, y* P7 p
87.   {
    
88.    i=0;
    : s; _4 @2 V. t, A
89.    LED0=!LED0;
    * h7 z" ^$ ]+ w
90.    }
    
91. }      
    # o; B2 I1 B4 ~& X6 e0 ?1 c
92. }
    3 U# v- z% r% J9 I  f& v) V
93. /****** Copyright (C)2020 Aaron. All Rights Reserved ****** END OF FILE *******/
    ! O0 _0 l5 ~# v
94. 
    1 T% q: c" K/ J

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8 s4 L8 d$ ~& P4. 实验结果
; r; q; ]: Y  Y: V) v按KEY0键：
: y+ O- |+ I* P0 C6 j

$ A  q/ y0 z7 ]9 w( ~
, n$ l% t  @9 t1 l$ V  {0 C( |# x; z
' p5 ?8 t1 p/ a7 w
3 d. g! H: \& U按KEY1键：

( n! m  g) \* C+ L  U4 d7 y

! U+ ?; D8 l. p8 H3 X) Z9 K————————————————
版权声明：天亮继续睡
0 e, ?! x5 t" c) m# `

5 a# |5 k3 x* f* W7 J4 E4 U