前言

本文主要介绍STM32多种的内部Flash读写方式和读写长文件的功能函数怎样编写。阅读完本文可以使你能够正常的完成Flash读写操作。

+ Y  J4 x% q2 P' S/ \7 Z# A' V

介绍STM32 FLASH

不同型号的 STM32，其 FLASH 容量也有所不同，最小的只有 16K 字节，最大的则达到了1024K 字节。本次实验选用的STM32 开发板是F103ZET6，其 FLASH 容量为 512K 字节，属于大容量产品（另外还有中容量和小容量产品），大容量产品的闪存模块组织如图 所示：

6 y5 A9 V( i1 n

STM32 的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等 3 部分组成。
主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如 const 类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为 256 页，每页 2K 字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有 1K 字节。从上图可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000， B0、B1 都接 GND 的时候，就是从 0X08000000开始运行代码的。
信息块，该部分分为 2 个小部分，其中启动程序代码，是用来存储 ST 自带的启动程序，用于串口下载代码，当 B0 接 V3.3，B1 接 GND 的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字节，则一般用于配置写保护、读保护等功能。
; ~/ S  K* X$ {( `8 S/ O- R% \闪存存储器接口寄存器，该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。对主存储器和信息块的写入由内嵌的闪存编程/擦除控制器(FPEC)管理；编程与擦除的高电压由内部产生。
) d+ I6 P2 T5 R8 }在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。

9 Y% r2 v. ?0 g$ y& f

闪存的编程和擦除

STM32 的闪存编程是由 FPEC（闪存编程和擦除控制器）模块处理的，这个模块包含 7 个
32 位寄存器，他们分别是：

• FPEC 键寄存器(FLASH_KEYR)
• 选择字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR)
• 闪存控制寄存器(FLASH_CR)
• 闪存状态寄存器(FLASH_SR)
• 闪存地址寄存器(FLASH_AR)
• 选择字节寄存器(FLASH_OBR)
• 写保护寄存器(FLASH_WRPR)
  : M, e: n/ v3 \! LSTM32 复位后，FPEC 模块是被保护的，不能写入 FLASH_CR 寄存器；通过写入特定的序列到 FLASH_KEYR 寄存器可以打开 FPEC 模块，只有在写保护被解除后，我们才能操作相关寄存器。
  ! x: a# i8 T9 {6 [: z5 R5 j( t- lSTM32 闪存的编程每次必须写入 16 位（不能单纯的写入 8 位数据哦！），当 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’时，在一个闪存地址写入一个半字将启动一次编程；写入任何非半字的数据，FPEC 都会产生总线错误。在编程过程中(BSY 位为’1’)，任何读写闪存的操作都会使 CPU暂停，直到此次闪存编程结束。
  9 m6 s! C% Q7 a/ q同样，STM32 的 FLASH 在编程的时候，也必须要求其写入地址的 FLASH 是被擦除了的（也就是其值必须是 0XFFFF），否则无法写入，在FLASH_SR 寄存器的 PGERR 位将得到一个警告。
  STM23 的 FLASH 写入过程如图所示。
• 
    G, d+ Z% v9 J% k& C, ~- ^
  STM32的Flash写入顺序如下：
• 
  
• 检查 FLASH_CR 的 LOCK 是否解锁，如果没有则先解锁
• 检查 FLASH_SR 寄存器的 BSY 位，以确认没有其他正在进行的编程操作
• 设置 FLASH_CR 寄存器的 PG 位为’1’
• 在指定的地址写入要编程的半字
• 等待 BSY 位变为’0’ - 读出写入的地址并验证数据
  
  

  m) r& ~: k! \* U1 }  FFlash读写的标准库函数

• 解锁函数：void FLASH_Unlock(void)；
  对 FLASH 进行写操作前必须先解锁，解锁操作也就是必须在 FLASH_KEYR 寄存器写入特定的序列,固件库函数实现很简单：只需要直接调用 FLASH_Unlock();即可。
• 锁定函数：void FLASH_Lock(void)；
  4 ~( Z; k6 A- y5 y, u! z有解锁当然就有上锁，为了保护Flash，读写和擦除全部需要的Flash后需要上锁，只需要调用：FLASH_Lock()；
• 写操作函数：
  固件库提供了三个 FLASH 写函数
  
  

1. FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);

复制代码

/ _* W* }7 q6 f2 u. \# z+ I

顾名思义分别为：FLASH_ProgramWord 为 32 位字写入函数，其他分别为 16 位半字写入和用户选择字节写入函数。这里需要说明，32 位字节写入实际上是写入的两次 16 位数据，写完第一次后地址+2，这与我们前面讲解的 STM32 闪存的编程每次必须写入 16 位并不矛盾。写入 8位实际也是占用的两个地址了，跟写入 16 位基本上没啥区别。

* `4 ^% Q8 g4 H  z! u+ X4. 获取 FLASH 状态
主要是用的函数是：FLASH_Status FLASH_GetStatus(void)；
返回值是通过枚举类型定义的，分别为：
FLASH_BUSY = 1,//忙
2 G4 f# G7 {- DFLASH_ERROR_PG,//编程错误
0 X% J: }$ y1 `3 ]+ }2 g( D8 rFLASH_ERROR_WRP,//写保护错误
0 f; S1 J  _! H* NFLASH_COMPLETE,//操作完成
FLASH_TIMEOUT//操作超时

5. 等待操作完成函数
! C6 q6 c* e9 f/ Q* E5 N8 ^+ d在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。
* s% ^: T9 S) M; K+ H! W  ^) t所以在每次操作之前，我们都要等待上一次操作完成这次操作才能开始。使用的函数是：FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout)入口参数为等待时间，返回值是 FLASH 的状态，这个很容易理解，这个函数本身我们在固件库中使用得不多，但是在固件库函数体中间可以多次看到。

/ r6 @$ S4 m8 v: Z+ P6. 读 FLASH 特定地址数据函数
有写就必定有读，而读取 FLASH 指定地址的半字的函数固件库并没有给出来，这里我们自己写的一个函数。

1. u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr){return *(vu16*)faddr; }

复制代码

" s% b5 V+ u6 k5 n! `: O8 i; r
, @3 H( X/ z+ h3 e软件设计
( K& R) w7 ^7 u6 t, k5 LFLASH的读取
0 E6 S4 r4 _, P1 m- z直接读取某一地址的内容

因为读取FLASH并不需要解锁，我们可以直接用指针指向所读的地址，之后读取此地址的内容即可。

p = (uint32_t *)(0x08008000);printf("\r\n读取内部FLASH该地址存储的内容为：0x%x",*p);

此程序就是先将0x08008000赋给指针变量P，之后将P指向地址的内容以16进制的格式输出出来。

  z0 A( x( L4 i1 Y( D

读取选定位置的选定大小的内容

• 首先我们编写一个函数，用以读取指定地址的半字(16位数据)。
  
  : i4 w3 W- B! Z8 k# S

1. u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr){
   
2.         return *(vu16*)faddr; }

复制代码

• 从指定地址开始读出指定长度的数据
  
  ! E( \' c0 ^( S. @& m2 r  |( m4 [

• LReadAddr:起始地址
• pBuffer:数据指针
• NumToWrite:半字(16位)数
  
  $ W7 K3 Z+ }/ U9 w- z) L+ ?( o
  # }) v' K( S) e4 t

1. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)           {
   . K  B. Y/ K7 f! M
2.         u16 i;
   
3.         for(i=0;i<NumToRead;i++)
   8 J, a; Q  }8 H# h& E% {
4.         {
   # n# f0 D2 i* e/ D$ a
5.                 pBuffer=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
   ; l" W% Y$ w8 _# J. q: l: ^
6.                 ReadAddr+=2;//偏移2个字节.        
   
7.         }}

复制代码

当我们想读取FLASH内容时，只需要直接调用上面的函数即可。

1. STMFLASH_Read(FLASH_ADDR,Temporary_storage,size);

复制代码

这里FLASH_ADDR是我们要读取的起始地址，Temporary_storage是
16位的指针变量，存放我们读取到的内容， size是我们要读取的大小，值得注意的是，size是半字大小，也就是有多少个两个字节。比如我们要读取100个字节，size就可以填50。

FLASH的写入
直接使用标准库写入

首先需要先解锁

1. FLASH_Unlock();

复制代码

' l( c& {2 w: d+ f& u

写入前需要擦除当前页，对擦除有不理解的可以看我的另一篇文章：基于STM32的Flash擦除方式

1. FLASH_ErasePage(0x08000000+2*1024*5);

复制代码

之后可以调用固件库函数，进行写入。例如向地址 0x08000000+210245 至 0x08000000+210246 地址写入数据

1. FLASH_ProgramWord(0x08000000+2*1024*5,0x01234567);

复制代码

0 g! _. g& T& W1 X+ Y# p& Z* X

写入之后，不要忘了上锁。

1. FLASH_Lock();

复制代码

, ?+ x1 E/ H- G5 O7 b

写入选定位置的选定大小的内容

我们首先编写一个不检查的写入的函数。
WriteAddr:起始地址，pBuffer:数据指针，NumToWrite:半字(16位)数 。

1. void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   {                                          
   
2.         u16 i;
   
3.         for(i=0;i<NumToWrite;i++)
   
4.         {
   
5.                 FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer);
   0 k$ m' z1 r! |+ B2 r
6.             WriteAddr+=2;//地址增加2.
   
7.         }  }

复制代码

之后编写函数，实现从指定地址写入指定大小的指定内容。

1. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)        {
   
2.         u32 secpos;           //扇区地址
   
3.         u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
   
4.         u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)           
   
5.          u16 i;   
   * }  a6 A8 z. u! ]8 \* N5 H
6.         u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
   4 a; \' S7 @! H
7.         if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
   ; m+ q+ U( g5 r7 B* Z$ J! a5 J
8.         FLASH_Unlock();                                                //解锁
   ' h- u6 C# Q. c! ~1 R( m- V
9.         offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
   - _! K! p* c: j
10.         secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    
11.         secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    
12.         secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
    
13.         if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
    3 z8 E0 H  Q6 ^1 B
14.         while(1)
    
15.         {        
    : U/ x2 x. D  j- E5 L* K
16.                 STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
    & f. @" @; N1 I/ Q6 z( O
17.                 for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
    + u. b. \* f9 ^- J( Y7 g: ~
18.                 {
    
19.                         if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
    : m8 c! u* o* y- Q) c$ _& h
20.                 }
    4 m5 h5 H. G- u# A
21.                 if(i<secremain)//需要擦除
    - d1 E4 e+ q! i* [  B
22.                 {
    ; _( K- @9 ^# j5 i& A- [1 ^* q' b, r
23.                         FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
    
24.                         for(i=0;i<secremain;i++)//复制
    
25.                         {
    # V! O+ C" L" e; `4 a3 u  E
26.                                 STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;         
    
27.                         }
    
28.                         STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
    * S9 ~, f3 ?: T  A9 I
29.                 }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                    
    
30.                 if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
    8 y7 b/ J) {) K7 N
31.                 else//写入未结束
    
32.                 {
    
33.                         secpos++;                                //扇区地址增1
    ' w: ^7 q( X/ E2 O: R: |
34.                         secoff=0;                                //偏移位置为0         
    / ]: z$ I/ o. _5 x( N- C
35.                            pBuffer+=secremain;          //指针偏移
    
36.                         WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移           
    
37.                            NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
    4 B# V2 I2 X5 t, c, T/ `
38.                         if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
    / n' W' G/ ~: D& ~
39.                         else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
    3 V% S! J3 ~' Z- v* C/ i) u" b$ O
40.                 }         
    3 R2 x) `4 v) h6 h% J- h* k& y
41.         };        
    ! X4 ]1 T& ^- w5 q$ U) c
42.         FLASH_Lock();//上锁}

复制代码

" @, j: c2 h  I. R

使用时，我们只需要当我们功能需要写入Flash时，调用此函数即可。

1. STMFLASH_Write(FLASH_ADDR,flg_false,size);//将标志位置为更改为0x00

复制代码

此语句实现从FLASH_ADDR地址写入size大小的Temporary_storage数据。

* R! j3 j1 I8 o# `+ i6 R

如何在Keil 5中查看Flash某地址的内容

Keil的软件调试中，有专门可以查看所连接的板子的Flash的内容。
首先我们点击调试按钮，如下图。

2 `8 ^4 D' E# k; X8 T$ Y之后我们在View中找到memory Windows，选择memory1。之后我们就可以看到右下角出现Flash的内容,第一次打开是空白，因为还没有选定地址，会出现下图内容。

, i  t- t1 X8 n3 z" R+ w& _! R9 N( \; `% p
我们在地址处填写想查看的地址，比如查看0x0800 3A98，输入完成后点击回车，就会出现Flash地址对应的内容。