引言
- u# h) G, H) X, J4 }3 e  X本应用笔记为系统开发者概述了开发板特性的硬件实现。开发板特性为供电电源、时钟管理、复位控制、自举模式设置和调试管理。
本文档详细介绍了如何使用 STM32U575xx 和 STM32U585xx 微控制器（也称为 STM32U575/585）。其中介绍了使用这些 MCU开发应用程序所需的最少硬件资源。
本文还包括了详细的参考设计原理图，说明了其主元件、接口和模式。
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; U6 X$ z2 J' X% G: T' e# g1 概述
本文档适用于基于 Arm®的 STM32U575/585 微控制器。
. i, p& T2 n" n8 L" ?4 J提示 Arm is a registered trademark of Arm Limited (or its subsidiaries) in the US and/or elsewhere。

9 ]% k: \0 M: R9 Q) B" Q6 w2 电源管理
2.1 电源
STM32U575/585 器件要求 1.71 至 3.6 V 的工作电压电源（VDD）。
下面列出的独立电源可用于特定外设：
; p) @5 o* \% Q4 [8 g. a• VDD = 1.71 V 至 3.6 V
VDD 是为 I/O、内部稳压器和系统模拟信号（如复位、电源管理和内部时钟）供电的外部电源。VDD 通过VDD 引脚从外部提供。• VDDA = 1.58 V (COMPs) / 1.6 V (DACs/OPAMPs) / 1.62 V (ADCs) / 1.8 V (VREFBUF) 至 3.6 VVDDA 是为 A/D 转换器、D/A 转换器、电压参考缓冲器、运算放大器和比较器供电的外部模拟电源。VDDA 电压电平独立于 VDD 电压。不使用这些外设时，VDDA 引脚必须优先连接至 VDD 电压电源。
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! `3 v% z6 W9 d: B$ t& g3 ?
0 K% y) M1 P. K: X* U2 i- v提示 如果 VDDA 引脚保持为高阻抗或连接至 VSS，则可施加到 I/O（具有"_a" I/O 结构）上的最大输入电压将降低
（参见器件数据手册以了解更多详细信息）。
& C* X! y9 {5 F, f• VDDSMPS = 1.71 V 至 3.6 V
VDDSMPS 是为 SMPS 降压转换器供电的外部电源。它通过 VDDSMPS 引脚从外部提供，且必须连接到与VDD 引脚相同的电源。
/ g- s# y. V$ A! I• VLXSMPS
VLXSMPS 引脚是开关 SMPS 降压转换器输出。
2 S5 w1 E+ C! @• VDD11
0 J/ m3 S+ y2 A) MVDD11 是通过内部 SMPS 降压转换器 VLXSMPS 引脚提供的数字内核电源。仅出现在具有内部 SMPS 的封装上的两个 VDD11 引脚连接至总量为 4.7 µF（典型值）的外部电容。此外，每个 VDD11 引脚需要一个 100 nF陶瓷电容。
2 I# _( v  j4 {3 ^• VCAP
% R6 W; \& s" u: C+ V- NVCAP 是来自内部 LDO 稳压器的数字内核电源。VCAP 引脚（一个或两个）仅出现在只具有 LDO（无SMPS）的封装上，需要连接至总量为 4.7 μF（典型值）的外部电容。此外，每个 VCAP 引脚需要一个 100nF 陶瓷电容。
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! N$ A& b- E( A提示 – 如果有两个 VCAP 引脚（UFBGA169 封装），则每个引脚必须连接至 2.2 µF 电容（总量约为 4.4 µF）（最
大 4.7 µF）。每个 VCAP 还需要一个 100 nF 陶瓷电容。
0 J, H& l6 W7 ^" U; O– SMPS 电源引脚（VLXSMPS、VDD11、VDDSMPS、VSSSMPS）仅在具有 SMPS 的封装上可用。在此类封装中，STM32U575/585 器件并联嵌入了两个稳压器（一个 LDO 和一个 SMPS），以便为数字外设提供VCORE 电源。VDD11 引脚上需要总 4.7 μF 的外部电容和 2.2 µH 线圈。此外，每个 VDD11 引脚需要一个100 nF 陶瓷电容。
% e7 w: K+ [0 v5 Y– Flash 由 VCORE 和 VDD 供电。
• VDDUSB = 3.0 V 至 3.6 V
2 E" r7 z$ Z$ y: X. V/ HVDDUSB 为外部独立电源，为 USB 收发器供电。VDDUSB 电压电平独立于 VDD 电压。不使用 USB 时，VDDUSB 引脚必须优先连接至 VDD 电压电源。
: f% b. `% f2 K( Z4 M* V
提示 如果 VDDUSB 引脚保持为高阻抗或连接至 VSS，则可施加到 I/O（具有"_u" I/O 结构）上的最大输入电压将降低（参见器件数据手册以了解更多详细信息）。
• VDDIO2 = 1.08 V 至 3.6 V
VDDIO2 是为 14 个 I/O (port G[15:2])供电的外部电源。VDDIO2 电压级别与 VDD 电压无关，不使用 PG[15:2]时，最好连接到 VDD。
, s+ z5 i0 \$ x# \' Y
提示 在小封装上，VDDA、VDDIO2 或 VDDUSB 独立电源可能不作为专用引脚出现，且内部连接至 VDD 引脚。如果产品上不支持某功能，则该功能也不会出现。
: W& Q( E) O+ k; g• VBAT = 1.65 V 至 3.6 V（保证功能降至 VBOR_VBAT 最小值，参见产品数据手册）
5 \+ c; x5 H% E- B! m1 H当 VDD 掉电时（通过电源开关），VBAT 为 RTC、TAMP、外部时钟 32 kHz 振荡器、备份寄存器和可选备份SRAM 提供电源。
1 h8 L$ f% P2 o% \  h7 {5 X2 c0 A• VREF- 和 VREF+
6 f2 s& N) x( aVREF+ 为 ADC 和 DAC 的输入参考电压。使能时，它还是内部电压参考缓冲器（VREFBUF）的输出。当ADC 和 DAC 不使能时，VREF+引脚可接地。
, r6 d8 p' f, ~5 Q5 r; b, R内部电压参考缓冲器支持四个输出电压，可利用 VREFBUF_CSR 寄存器中的 VRS[2:0]字段进行配置：
– VREF+大约为 1.5 V。这要求 VDDA ≥ 1.8 V。
- v3 T5 Z6 t& V" j– VREF+大约为 1.8 V。这要求 VDDA ≥ 2.1 V。
+ p  r# s6 A; V' g5 b% Z– VREF+大约为 2.048 V。这要求 VDDA ≥ 2.4 V。
– VREF+大约为 2.5 V。这要求 VDDA ≥ 2.8 V。
VREF- 和 VREF+ 引脚并非在所有封装上可用。当不可用时，它们分别与 VSSA 和 VDDA 引脚绑定。
0 x3 K0 C7 E1 D+ V: m6 Q. `当 VREF+引脚与 VDDA 在一个封装中互相绑定时，内部 VREFBUF 不可用且必须禁用。
VREF- 必须始终等于 VSSA。
* A! H" m2 R) i" D
下图显示了 STM32U575/585 器件电源概述，具体取决于 SMPS 存在性。
6 W  O& J/ I/ Q% i# P

0 g4 C2 V. s5 H" P8 E- A, d1 a



在无 SMPS 的器件中，I/O 和系统模拟外设（如 PLL 和复位模块）由 DD 电源供电。为数字外设和存储器供电的VCORE 电源由 LDO 生成。

提示 如果选定的封装具有 SMPS 降压转换器选项，但 SMPS 不被应用程序使用（而是使用嵌入式 LDO），则建议设置 SMPS 电源引脚，如下所示：
# B1 p4 a/ O6 Z9 x" E' _) Z• 将 VDDSMPS 和 VLXSMPS 连接至 VSS
$ A- F$ ?$ K# U/ Q9 _2 Z• 将 VDD11 引脚通过两个(2.2 µF + 100 nF)电容连接至 VSS（如在正常模式下）

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出处：社区用户：lugl发布


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