最近用Cortex-M0内核的STM32F030K6T6做个东西，需要做IAP升级，发现它的中断向量与M3、M4等内核的单片机不太一样，这里分享给大家。

( o8 b: v& I" o3 v& D& W

IAP升级需要一个BootLoader程序，一个应用程序。BootLoader程序直接烧写到flash起始地址就行，中断向量也不用改。但是应用程序需要烧写到BootLoader程序后面，且中断向量必须重新映射。
2 Z( E' S0 }2 I+ [M3、M4等内核的单片机，直接修改中断向量的偏移地址（VECT_TAB_OFFSET）就行。但在M0内核的库中，根本就没有这个定义。查阅相关资料发现，M0内核的中断向量需要用户自己从Flash映射到RAM中，即0x20000000地址。
; j9 V. T4 z6 S* [/ x/ l实际操作也很简单，在程序开始加上这两句话：

1. #define IAP_ADDR                 ((uint32_t)0x08002800)
     R9 J9 f5 t* }, m, G' L5 H
2. 
   
3. memcpy((void*)0x20000000,(void*)IAP_ADDR,0xB4);
   
4. __HAL_SYSCFG_REMAPMEMORY_SRAM();

复制代码

/ X+ o* C% u! O# V2 `7 B其中0x20000000是SRAM的地址，IAP_ADDR是应用程序的起始地址，0xB4是中断向量表的大小。具体多大可以在startup.s文件里计算得到。以下以startup_stm32f030.s为例作说明：

* p1 i' P8 L7 K! b$ ?1 L5 }' x3 r

/ ~  [/ l) a  @可以看到，中断向量从29行开始到75行结束（中间空2行），一共45个，每个占4字节，一共180字节，即0xB4。

% X) M: K( T! S8 X6 K4 S* ^由于SRAM开始的180字节被用作中断向量映射了，所以用户程序就不能在使用这里了，需要在编译器中把这部分空出来，设置如下。空出大于0xB4的空间就行，这里设置的是0xC0。
8 k4 t$ p! D* `8 R& ]$ a
* g8 l+ A$ b) @

    这样，STM32F0系列Cortex-M0内核芯片中断向量表重映射的问题就解决了。

9 T. I/ u' y* f0 p0 \3 P7 P. o来源：嵌入式技术开发

& V9 ~+ t/ M$ z& _2 C