本文通过对比F1、F4、L4系列的手册数据，浅谈对Bank、Sector、Page相关概念的理解。
以我们常用的STM32F103C8T6为例：
" t% c: V/ ~% G3 f


它具有64K的闪存大小，属于中容量产品。
: m& ^9 I: {% j在STM32中文参考手册_V10中，是这样描述嵌入式闪存的：



- z3 Y% D8 {* e  U9 Q( K, [- @中容量产品主存储块最大为16x64位，每个存储块划分为128个1K字节的页，对应的表3如下：
& H5 O: K' H- {& D  G9 v

1 U: _& w5 F+ {
在手册随后的擦除和编程相关的描述中：


( F, a( |5 }2 T# O' @' T
我们就知道了，STM32F1系列最小擦除粒度为页面（1K），最小写入粒度为半字（2byte）。
4 M7 Z0 a! M' S! }6 v& v
9 B1 Q+ [4 X- p+ L4 P( ?再以STM32F4系列为例，这里就不看芯片手册，直接看中文参考手册了：
  n2 \$ Q, N$ d9 \% g) J, j- y* i6 w


最小擦除粒度为扇区（最小的16K），最小写入粒度为字节（1byte）。

再看看STM32L4系列，这里只找到了英文的参考手册：


( a' t$ M. R7 p. s1 X% t! r
, L6 ]/ H- l1 a( D( k) Q, g然后是它的分区结构：

5 D, }5 e/ |9 [% l  ]

它把存储器分成了2份，所以有页擦除、bank擦除和整体擦除三种擦除方式。
6 B" |6 D7 ]+ I/ G$ q/ t! w最小擦除粒度为页（2Kbyte），因为具有ECC纠错，所以最小写入粒度为64bit。

( y/ N: U) v7 {, y其实对于bank、sector和page的了解，我觉得需要知道针对我们所使用的MCU，最小写入粒度和最小擦除粒度是什么，具体大小是多少就行了。



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