|
接触读保护的代码如下: void Flash_DisableReadProtection(void) { FLASH_OBProgramInitTypeDef OBInit; HAL_FLASHEx_OBGetConfig(&OBInit); if(OBInit.RDPLevel == OB_RDP_LEVEL_1) { OBInit.OptionType = OPTIONBYTE_RDP; OBInit.RDPLevel = OB_RDP_LEVEL_0; // OBInit.WRPState = OB_WRPSTATE_DISABLE; HAL_FLASH_Unlock(); HAL_FLASH_OB_Unlock(); if(HAL_FLASHEx_OBProgram(&OBInit)!=HAL_OK) { HAL_FLASH_OB_Launch(); HAL_FLASH_OB_Lock(); HAL_FLASH_Lock(); return; } HAL_FLASH_OB_Launch(); HAL_FLASH_OB_Lock(); HAL_FLASH_Lock(); } return; }各位帮忙看看什么问题 |
STM32H750VBT6 sdio
cubeIDE编译后如何能把部分代码存放到内部Flash,剩下的存放在外部Flash?
//STM32H7A3VGT6 QSPI的DMA方式无法正常工作
求助:STM32H7B0 + QSPI W25Q128JV无法读取ID
STM32H743内部温度传感器读数错误
配置CubeMX后(STM32H723VGT6),自动生成的代码,编译报错
PC在进行程序烧录或芯片擦除时,一直显示"no target connect"可能的原因?
STM32H7A3VGTA QSPI读W25Q128J DMA模式不能工作
STM32H7系列FDCAN配置成经典CAN有没有什么参考的
STM32H7 JPEG硬件编码疑问(非解码)
微信公众号
手机版
RDP_LEVE1改到RDP_LEVE0会全片擦除,这个我也通过手册了解了。但是在通过这个代码后,用ST-link查看时,读保护没有解除,这可能是什么原因导致?
你通过用户代码来解除读保护 导致用户代码都完蛋了,解除的意义是什么呢?
毕竟读保护对用户自身代码是没有妨碍的。
你现在是好奇或纠结的是为何代码里做过解除操作后仍是读保护状态,这个不好说。
个人观点是或不是读保护状态 已经不重要了。可能是因为用户代码只运行一部分
就被干掉了。下面部分来自H7系列参考手册的文字供你参考。
When Level 1 is active, programming the protection option byte (RDP) to Level 0causes the Flash memory and the backup SRAM to be mass-erased. As a result the
user code area is cleared before the read protection is removed.