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1.外部SRAM简介 本例程使用的STM32F103ZET6本身有64K字节的SRAM,一般应用已经足够;不过在一些对内存要求高的场合,比如跑算法或者GUI等,就需要外扩SRAM来满足大内存使用的需求。这里我们使用了一颗256K字节容量的SRAM芯片:IS62WV12816,利用STM32F1的FSMC控制该SRAM芯片,实现对该SRAM芯片的访问控制 IS62WV12816是ISSI公司生产的16位宽128K(128*2,即256K字节)容量的CMOS静态内存芯片,它有高速访问、低功耗、兼容TTL电平接口、全静态操作(不需要刷新和时钟电路)、三态输出和字节控制(支持高/低字节控制)等特点。IS62WV12816的引脚以及对应的引脚功能如下图示:
$ N6 E2 B- \! |- V( ?( ?* |% @* L. Y _$ N1 @; a6 c( n
A0 ~ A16为地址线,总共17根地址线(可访问2^17 = 128K字节空间);I/O0 ~ I/O15为数据线,总共16根数据线;CS1(低电平有效)和CS2(高电平有效)都是片选信号;WE为输入使能信号(写信号);OE为输出使能信号(读信号);UB和LB分别是高字节和低字节控制信号 % Y% i& z0 n3 g2 m. ~
6 }# @ e' G5 Y
2.硬件设计  D1指示灯用来提示系统运行状态,按键用来控制IS62WV12816数据读写,TFTLCD和串口1用来显示读写的内容
v4 ^! i0 r/ {- w% ED1指示灯 K_UP/K_DOWN按键 p( k9 M' ^$ C" D8 _
USART1串口 TFTLCD . ]8 a, l" O* X
IS62WV12816 - ]9 @4 y+ i0 i3 h! @# B, A4 {& S
( M6 z6 t. M. u) V: V% H
从电路图中可以看到IS62WV12816和STM32F1的连接线路:) P6 c) e7 s6 D y
A0 ~ A16连接在FSMC_A0 ~ FSMC_A16上(连接顺序可以打乱,因为地址是固定的)
# u% x7 v7 R! `0 MI/O0 ~ I/O15连接在FSMC_D0 ~ FSMC_D15上(连接顺序不能打乱,否则读写数据将出错)8 y/ r: G" y N( Q2 |5 N4 c* ^
UB和LB连接在FSMC_NBL1 和 FSMC_NBL0上
4 p5 r1 \* A6 v/ b, COE和WE分别连接在FSMC_NOE 和 FSMC_NWE上' |8 A' n Y$ ~
CE连接在FSMC_NE3上
) H. ^) o. J5 d y
2 z u$ F, A. z
由于TFTLCD核SRAM共用FSMC总线,因此他们通过不同片选分时复用,互不影响
7 _8 t# x; P o# S# {
3.软件设计  3.1 STM32CubeMX设置 ➡️ RCC设置外接HSE,时钟设置为72M ➡️ PC0设置为GPIO推挽输出模式、上拉、高速、默认输出电平为高电平 ➡️ PA0设置为GPIO输入模式、下拉模式;PE3设置为GPIO输入模式、上拉模式 ➡️ USART1选择为异步通讯方式,波特率设置为115200Bits/s,传输数据长度为8Bit,无奇偶校验,1位停止位 ➡️ 激活FSMC ➡️ 输入工程名,选择路径(不要有中文),选择MDK-ARM V5;勾选Generated periphera initialization as a pair of ‘.c/.h’ files per IP ;点击GENERATE CODE,生成工程代码
; i4 p0 L5 P ~) N- @- M0 P+ [
由于TFTLCD使用的Bank1_sector4和SRAM使用的Bank1_sector3无法同时在CubeMX里设置分时复用,因此需要单独创建SRAM的FSMC初始化函数(可自行创建,也可另外创建一个CubeMX工程,按下图设置后将生成的相关FSMC初始化代码拷贝到当前工程源码中并稍作修改)
. @$ @4 ^# i) e7 b
8 E2 e, t+ Z- f4 g) b' Q' c3 g
3.2 MDK-ARM软件编程 ➡️ 创建按键驱动文件key.c和key.h,参考按键输入例程 ➡️ 创建LCD驱动文件tftlcd.c 和tftlcd.h,参考TFTLCD显示例程 ➡️ 创建IS62WV12816芯片驱动文件sram.c和sram.h
" b+ l' k; l; ]( S
- #define Bank1_SRAM3_ADDR ((uint32_t)(0x68000000))//Bank1区域3的起始地址 ; e) J7 N7 K6 O
- SRAM_HandleTypeDef SRAM_Handler;//定义SRAM句柄) n% d! t+ a0 }8 i* G
- //SRAM的FSMC初始化函数2 p. d4 Q8 V; K# V) W) _
- void FSMC_SRAM_Init(void){ 7 V" X/ A' i& A I0 l3 T, R5 T
- GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
0 g1 v% ^* `+ N2 P5 u M4 w - FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_ReadWriteTim;
/ R& Q6 q; R, O - __HAL_RCC_FSMC_CLK_ENABLE(); 5 m2 t: P% S& b. u7 P3 Y- ^3 T7 n* j [
- __HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE(); / z7 t6 y! H5 I& G8 H; ~
- __HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE(); $ i4 z. p5 C7 `# z
- __HAL_RCC_GPIOF_CLK_ENABLE(); 1 w# n6 q( J: D" y
- __HAL_RCC_GPIOG_CLK_ENABLE();
$ K$ c/ y1 W) g5 L) v) \ - GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3
6 ? M( M. ]. Q0 `3 P1 Y% m - |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13
: v; {2 D( U& p: k1 M; ^3 S - |GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15;! W5 f- N- }0 E; a
- GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;- H' u# }8 Z5 B" h. z
- GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;
- v% c7 L1 e+ h - HAL_GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStruct);
* u1 q# E" T$ j2 u. X+ A$ s - GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3 9 x7 w- }$ ^2 u$ O
- |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_10;
0 ^- v: r' o4 Q - GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;+ v$ [' i+ q* I5 w4 W) ~
- GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;
+ R; A$ F( ]' s: H' t8 B/ \ C - HAL_GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStruct);( ^& t9 S5 V; C
- GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_7|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10
: W# }7 Z. X w+ @& W - |GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14 - ]; V1 D: N- d4 r( j2 Y
- |GPIO_PIN_15;+ _: g& ~) Y' E( O
- GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;+ F# A# P. }& ~, ?5 Q1 L
- GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;
% A F0 J8 s- T* h& G - HAL_GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStruct);
0 c) p f8 S$ b' F7 I3 ~/ o - GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_11
8 L5 e0 R- f1 m% ] - |GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15|GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1 6 T. t6 R- w* p
- |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5;7 Q% w! F2 m+ e+ d5 p
- GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
; ]5 D) w* C0 G$ M, S - GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;- A: T! V1 C9 z0 a
- HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStruct); + t: B. Q0 r) ~7 t9 K
-
. R; B& Y( n2 P* U - SRAM_Handler.Instance=FSMC_NORSRAM_DEVICE; - i) d' v* a$ c6 A2 E) X
- SRAM_Handler.Extended=FSMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE;
* I7 R% ?) _( F1 d7 t7 F9 f% X6 t - SRAM_Handler.Init.NSBank=FSMC_NORSRAM_BANK3; //使用NE3
% d, Q9 G+ f$ |, @( N - SRAM_Handler.Init.DataAddressMux=FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE;//地址/数据线不复用9 E5 P3 E4 v% n9 s2 M
- SRAM_Handler.Init.MemoryType=FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM; //SRAM' k1 l3 J) ^( R
- SRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;//16位数据宽度: d) J5 n, z8 r" z* h
- SRAM_Handler.Init.BurstAccessMode=FSMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE;//不使能突发访问
: v1 X- T0 ?: C* U - SRAM_Handler.Init.WaitSignalPolarity=FSMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW;//等待信号的极性(突发模式)
: J% }* I4 {, [7 I" q! @$ M8 \ - SRAM_Handler.Init.WaitSignalActive=FSMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS; 1 j, j5 V3 F1 {: n: s: B
- SRAM_Handler.Init.WriteOperation=FSMC_WRITE_OPERATION_ENABLE; //写使能
! R s K8 _$ c) a8 }; l0 ^ - SRAM_Handler.Init.WaitSignal=FSMC_WAIT_SIGNAL_DISABLE;
0 P9 S6 f# `. Q* O6 h - SRAM_Handler.Init.ExtendedMode=FSMC_EXTENDED_MODE_DISABLE; //读写使用相同的时序* z0 x1 p; _& z
- SRAM_Handler.Init.AsynchronousWait=FSMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE;9 R5 f6 I+ s, y% N# f
- SRAM_Handler.Init.WriteBurst=FSMC_WRITE_BURST_DISABLE; //禁止突发写8 n7 v% Y0 j" B) g( h9 Z" Z
- //FSMC读时序控制器1 v8 h; @! t4 M8 l; s, T
- FSMC_ReadWriteTim.AddressSetupTime=0x00; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK
% T8 a, T! u! A2 P" q - FSMC_ReadWriteTim.AddressHoldTime=0x00; //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到
5 g# `, z0 {2 G. Y0 ?* O - FSMC_ReadWriteTim.DataSetupTime=0x08; //数据保持时间(DATAST)为9个HCLK) Y& B( u9 k- y/ ]
- FSMC_ReadWriteTim.BusTurnAroundDuration=0X00;
: f; t$ o, \8 W& ~& o# I$ }& r3 C) y - FSMC_ReadWriteTim.AccessMode=FSMC_ACCESS_MODE_A;//模式A" [. f8 C" u2 u9 o+ W1 b& \
- HAL_SRAM_Init(&SRAM_Handler,&FSMC_ReadWriteTim,&FSMC_ReadWriteTim); 2 f) | x4 }$ i2 d9 |7 ]+ U
- }( O8 d% E+ m" S2 C* A! ]. n" H, a) Z
- //n向指定地址写数据' m3 R# f& i$ G
- void FSMC_SRAM_WriteBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t n){
# m5 U4 ?) h9 T1 c) @2 Y { o1 @ - for(;n!=0;n--){ // n表示要连续写入的字节个数
3 s8 p0 w# w) K4 u/ o7 q - *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR + WriteAddr) = *pBuffer;- A( P# a7 c, |* A: m% f3 l( T# Y
- WriteAddr++; //要写入的地址
' a$ |7 x6 r% c; q* ?' } - pBuffer++; //要写入的数据的指针
" D6 {- E& M. ^( {4 o3 F! b - }: q R8 `5 c z1 [$ C* d
- }, Y9 z, R! w: `3 }
- //从指定地址读数据
8 G! S- k# y) e0 s - void FSMC_SRAM_ReadBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint32_t n){
6 L8 u% @, v _% Y' G1 K - for(;n!=0;n--){ // n表示要连续读出的字节个数- s% R" O( {7 b% b7 E
- *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);//存放读出的数据
/ m: j0 z4 b4 z) N, Y - ReadAddr++; //要读出的起始地址
6 L! `" E# v0 Y, b8 e4 E9 H' O7 c - }" j# J5 k/ a! C3 {9 d
- }6 G K+ s; \" J4 s Z4 C* Q
- // & w6 |* H2 k: S2 c8 T5 _
- void ExSRAM_Cap_Test(uint16_t x,uint16_t y){* } m$ d" N; I+ b$ j
- uint8_t writeData = 0xf0, readData;
! y$ c: y' g; q* a: l& E. r( g4 y - uint16_t cap=0;' L: U; `/ ~- A: J
- uint32_t addr;
/ s3 k* z1 Z/ W( T; j - addr = 1024; //从1KB位置开始计算 4 F$ S$ t$ z* U9 A( V1 q) q: ?
- LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"ExSRAM Cap: 0KB");
8 b, W8 b' @. J& M3 P -
. Y0 M' j5 S( d. B" |: L8 w% ~* f - while(1){1 r1 M* @# e3 a) V. c6 U8 \
- FSMC_SRAM_WriteBuffer(&writeData, addr, 1);( o! f. |0 `4 u( t& q* \
- FSMC_SRAM_ReadBuffer(&readData,addr,1);
- m J/ t& J. S+ ^6 x3 u7 r -
, ]2 `' \- E2 x" o8 | - if(readData == writeData){//检查读出的数据是否与写入的数据一样* o# @9 a: T+ \* n7 x
- cap++; //如果相同表示写入/读出成功,容量加1(单位KB)
k: Y' M+ X' H+ k# g! B5 A: l( O - addr += 1024; //地址加1024
. o/ k6 e4 ?) E- @" L. {5 D - readData = 0;
6 C& A' J) u( b6 `& R! @( f3 [ - if(addr > 256 * 1024)//IS62WV12816的容量为256KB
2 W e4 Y4 v/ X6 F - break; 9 Z/ Z/ U2 `1 U$ l7 _( }$ g2 c
- }
1 y7 A( S" O) D p - else. e: l% m; W9 _. h$ ?6 h- k
- break;
' z3 E# E2 e) R; n2 W - }
& n8 Z* m6 y. `0 P3 @7 x' F - LCD_ShowxNum(x+11*8,y,cap,4,16,0);//LCD上显示内存容量7 T# ]$ z# i0 ? h
- printf("SRAM Menmory Size:%dKB\r\n",cap);
+ o3 t2 x% v5 q9 ] - }
复制代码
/ H+ a7 t4 m N" u➡️ 在main.c文件下编写SRAM测试代码
. p+ z% Z% B- A# A. S% v5 j* Z
- int main(void){% D* V6 L& T# ?& B, @3 g3 a! I6 ?% e- C/ W
- /* USER CODE BEGIN 1 */# R8 _4 q2 P' e' d' Z4 g$ ], h' }
- uint8_t key;1 Z# i2 J7 ? u- k7 m
- uint8_t text_buf[] = "This is SRAM testing...";- J7 C+ F& |, i0 o ~
- uint8_t textlen = sizeof(text_buf);4 B& p$ A2 D; u Q
- uint8_t read_buf[textlen];7 Z: H8 u* o3 ^
- /* USER CODE END 1 */- M4 [' ~; x8 V, G4 n. _4 w# H. R+ a
- HAL_Init();
2 c: Y) X, v& \3 y$ { - SystemClock_Config();( w8 D1 w8 ?, y5 z7 I2 E( Y
- MX_GPIO_Init();
) Q6 a/ `2 F' d& t7 ]8 e - MX_FSMC_Init();4 C! E7 [2 ?; Y" H! K3 t3 D" f
- MX_USART1_UART_Init();9 m" X2 T8 S1 g; ]) o8 b
- /* USER CODE BEGIN 2 */ n; ^9 C& G+ q6 G' j1 F% Y
- TFTLCD_Init();7 b3 F. b) {" y5 V. y! Q! |6 O
- FSMC_SRAM_Init();1 G$ ?* f2 e+ q, N J8 {5 D1 ?
- FRONT_COLOR=BROWN;2 r& w K! p+ ?0 U( B
- LCD_DrawRectangle(5,5,235,95);
* L6 B& X, R# B - FRONT_COLOR=BLACK;( C0 w5 y! @ R' _3 m
- LCD_ShowString(10,10,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"ANDYXI STM32F1");/ j& ]) T2 V+ Q" `; _) `. Y
- LCD_ShowString(10,30,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"STM32CubeMx SRAM");, @3 v; E8 J2 p4 {! Y+ G; L
- LCD_ShowString(10,50,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"ExSRAM Test");9 |4 w3 [, |. X
- LCD_ShowString(10,70,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"K_UP:Write K_DOWN:Read");
0 k& \/ I4 J* o9 d: R) L - FRONT_COLOR=RED;; A5 C( c, @, r& Q$ O$ J
- ExSRAM_Cap_Test(10,110); / [0 q& n7 Z4 \. j
- FRONT_COLOR=MAGENTA;1 D; V3 k6 U% l4 M# B# B4 v& h: H
- LCD_ShowString(10,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Write:");' d; ]! c* f7 h7 p' _
- LCD_ShowString(10,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Read :");, T" p7 f# F- B6 Q
- /* USER CODE END 2 */. w! f# I- E4 p! g/ o2 U5 R8 l
- /* Infinite loop */
6 y2 H5 y g2 g2 Q" b - /* USER CODE BEGIN WHILE */
& f3 [: x% C: m1 @ - while(1){
' t x, k9 [/ {) [ - key = KEY_Scan(0);
) z; O6 Z" ?7 s- I2 e2 G% |3 w/ Y# l* Y - if(key == KEY_UP_PRES){ //KEY_UP按下写数据到SRAM$ ~/ L3 h+ Q* z- V* k
- FSMC_SRAM_WriteBuffer(text_buf,0,textlen);- a& l4 H/ B4 o) D! _ B
- printf("SRAM_Write:%s\r\n",text_buf);. u2 N1 K& a9 Z6 I! G
- LCD_ShowString(10+6*8,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,(uint8_t *)text_buf);
( i; t# z% N( U - }
3 `+ [0 L. o6 Z& u2 a J% ?+ i - if(key == KEY_DOWN_PRES){ //KEY_DOWN按下从SRAM读出数据/ I. P. T; J6 ? J6 P1 Y) C
- FSMC_SRAM_ReadBuffer(read_buf,0,textlen);$ ]* h- V' n% t0 E& {
- printf("SRAM_Read:%s\r\n",read_buf);/ k: n& v" v8 D( e' m
- LCD_ShowString(10+6*8,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,read_buf);
) z4 b3 ?- D5 D* Z" } - } ; v `5 ^* c3 w
- HAL_GPIO_TogglePin(GPIOC,GPIO_PIN_0);+ D3 O" h+ ]& k" ~: k+ K
- HAL_Delay(200);
& J3 t" F. J: s- k Y) C$ i - }$ K/ ?' X+ }5 n0 g0 d: u' e
- }
复制代码
" ^ D9 w9 `4 d' e3 _4.下载验证
0 }, T/ E/ r: D% q3 g( A编译无误下载到开发板后,可以看到D1指示灯不断闪烁,KEY_UP按下写数据到SRAM,KEY_DOWN按下从SRAM读出数据,并将写入和读出的数据显示在LCD屏上,并通过串口1打印出来 / w0 c# k* G* Y0 K! [, {7 M9 F8 R
如有侵权请联系删除
6 t# P0 f5 S( m. G! _5 z : j2 n" O; a8 s- P5 F* H0 A
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