|
1.外部SRAM简介 本例程使用的STM32F103ZET6本身有64K字节的SRAM,一般应用已经足够;不过在一些对内存要求高的场合,比如跑算法或者GUI等,就需要外扩SRAM来满足大内存使用的需求。这里我们使用了一颗256K字节容量的SRAM芯片:IS62WV12816,利用STM32F1的FSMC控制该SRAM芯片,实现对该SRAM芯片的访问控制 IS62WV12816是ISSI公司生产的16位宽128K(128*2,即256K字节)容量的CMOS静态内存芯片,它有高速访问、低功耗、兼容TTL电平接口、全静态操作(不需要刷新和时钟电路)、三态输出和字节控制(支持高/低字节控制)等特点。IS62WV12816的引脚以及对应的引脚功能如下图示: 0 M4 D2 y/ U% O7 m% b/ ^
g0 E- t- a7 }2 \A0 ~ A16为地址线,总共17根地址线(可访问2^17 = 128K字节空间);I/O0 ~ I/O15为数据线,总共16根数据线;CS1(低电平有效)和CS2(高电平有效)都是片选信号;WE为输入使能信号(写信号);OE为输出使能信号(读信号);UB和LB分别是高字节和低字节控制信号 ; Y7 S$ N$ W+ B; {# T# M1 e7 D
( n! Q6 F5 h2 g& e |. |
2.硬件设计  D1指示灯用来提示系统运行状态,按键用来控制IS62WV12816数据读写,TFTLCD和串口1用来显示读写的内容
; `6 [$ r8 E4 ?D1指示灯 K_UP/K_DOWN按键
' }7 s' f% y3 S USART1串口 TFTLCD . S% u4 n' C* Z! E4 \6 ]! p4 T
IS62WV12816
: U" a9 r/ K1 U
: ?; Y/ H b; F: M8 V8 L7 R, \
从电路图中可以看到IS62WV12816和STM32F1的连接线路:1 p& y: M: b. r2 z- f0 e. S( a
A0 ~ A16连接在FSMC_A0 ~ FSMC_A16上(连接顺序可以打乱,因为地址是固定的)
% A' @# C9 q& Y% l$ ?: \9 p4 JI/O0 ~ I/O15连接在FSMC_D0 ~ FSMC_D15上(连接顺序不能打乱,否则读写数据将出错)7 t$ s ^6 v6 D# E0 s7 I, ~
UB和LB连接在FSMC_NBL1 和 FSMC_NBL0上 r1 Q" n. _7 z; q4 S
OE和WE分别连接在FSMC_NOE 和 FSMC_NWE上
1 T: x- j$ Q8 ?7 z; FCE连接在FSMC_NE3上 j7 M+ f& T' C$ l5 r; r! \
. V3 C6 a+ h6 D J" t. W N: E
由于TFTLCD核SRAM共用FSMC总线,因此他们通过不同片选分时复用,互不影响 I; J1 g, o5 N1 q, u
3.软件设计  3.1 STM32CubeMX设置 ➡️ RCC设置外接HSE,时钟设置为72M ➡️ PC0设置为GPIO推挽输出模式、上拉、高速、默认输出电平为高电平 ➡️ PA0设置为GPIO输入模式、下拉模式;PE3设置为GPIO输入模式、上拉模式 ➡️ USART1选择为异步通讯方式,波特率设置为115200Bits/s,传输数据长度为8Bit,无奇偶校验,1位停止位 ➡️ 激活FSMC ➡️ 输入工程名,选择路径(不要有中文),选择MDK-ARM V5;勾选Generated periphera initialization as a pair of ‘.c/.h’ files per IP ;点击GENERATE CODE,生成工程代码
9 a) K9 K1 D: Y1 J& @
由于TFTLCD使用的Bank1_sector4和SRAM使用的Bank1_sector3无法同时在CubeMX里设置分时复用,因此需要单独创建SRAM的FSMC初始化函数(可自行创建,也可另外创建一个CubeMX工程,按下图设置后将生成的相关FSMC初始化代码拷贝到当前工程源码中并稍作修改) ! F- s/ d" x" Q! d) J' _0 ]4 o
- k( {: m" p' q/ E2 l% Y1 n
3.2 MDK-ARM软件编程 ➡️ 创建按键驱动文件key.c和key.h,参考按键输入例程 ➡️ 创建LCD驱动文件tftlcd.c 和tftlcd.h,参考TFTLCD显示例程 ➡️ 创建IS62WV12816芯片驱动文件sram.c和sram.h
/ I3 j- D# p' Y2 G8 x/ M
- #define Bank1_SRAM3_ADDR ((uint32_t)(0x68000000))//Bank1区域3的起始地址 ! s1 a1 }7 K! [
- SRAM_HandleTypeDef SRAM_Handler;//定义SRAM句柄: z0 x+ \, U1 T& W6 d
- //SRAM的FSMC初始化函数; N) ?! Q2 x1 G+ S
- void FSMC_SRAM_Init(void){ # B- Z, F6 ^" v- q* b
- GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
4 y' p( X* b; }# |2 c8 f - FSMC_NORSRAM_TimingTypeDef FSMC_ReadWriteTim;
, j; y8 y+ J R - __HAL_RCC_FSMC_CLK_ENABLE();
! O# n' Q; l. m" c/ [5 v) { - __HAL_RCC_GPIOD_CLK_ENABLE();
( v: I$ F2 a: ] - __HAL_RCC_GPIOE_CLK_ENABLE(); % j) A# T1 F. I1 Y. F5 p
- __HAL_RCC_GPIOF_CLK_ENABLE();
0 h2 s9 M# u: w9 @ X! p" \; `* Q - __HAL_RCC_GPIOG_CLK_ENABLE(); , I; X1 j _( ]9 b5 x9 z! N: s+ I( \' V
- GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3
( r" w2 s; t* L' F+ { - |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13
- x" ]! @* V7 V+ Z! _ - |GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15;! {1 I2 P0 p4 j6 V4 F. O, t5 ?5 T+ B
- GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;
2 O& q) g8 K+ v; L/ x) y' N - GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;
3 i- [) H) g# w. B6 A6 P5 W( H - HAL_GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStruct);) o/ O" p0 E& D, C
- GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_2|GPIO_PIN_3 % F3 V0 S/ G7 j v6 O0 [. p% K
- |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5|GPIO_PIN_10;
2 t( N# w* \. B9 e" u2 F. V1 W/ D - GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;, h% ], h% }$ p% X6 d1 u
- GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;1 I* { i2 b9 y) m# M
- HAL_GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStruct);
' b9 D& {# s/ h0 H - GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1|GPIO_PIN_7|GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10
* j4 p9 P# J, @8 ?4 R - |GPIO_PIN_11|GPIO_PIN_12|GPIO_PIN_13|GPIO_PIN_14 ' F! N9 C( }& A/ O
- |GPIO_PIN_15;7 T ^0 H7 j, Z3 g
- GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;1 K0 {# B! A* ^* T; r- ]
- GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;3 C$ X" [0 b& ?0 \. i
- HAL_GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStruct);8 ], K. S! }) j& g3 O" ~
- GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_8|GPIO_PIN_9|GPIO_PIN_10|GPIO_PIN_11
+ z0 W% Q/ ?/ b5 Z! s6 ~+ T0 d* X - |GPIO_PIN_14|GPIO_PIN_15|GPIO_PIN_0|GPIO_PIN_1 # ~9 u9 H5 i7 @$ r
- |GPIO_PIN_4|GPIO_PIN_5;
4 o i, K3 _8 [) \9 E! F1 y - GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_AF_PP;& Y$ \) X5 c& a
- GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_HIGH;! H* e/ k7 b9 ^- {6 b; H
- HAL_GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStruct);
( Y7 x) R( ^% B U( z" I - 6 S- w4 J* U2 b; A3 G, v
- SRAM_Handler.Instance=FSMC_NORSRAM_DEVICE; # q: b7 Y3 O& P" |6 Y5 A
- SRAM_Handler.Extended=FSMC_NORSRAM_EXTENDED_DEVICE;
% j/ U6 S7 C3 H9 J) [$ R - SRAM_Handler.Init.NSBank=FSMC_NORSRAM_BANK3; //使用NE3
6 f5 e2 P- S; \8 | - SRAM_Handler.Init.DataAddressMux=FSMC_DATA_ADDRESS_MUX_DISABLE;//地址/数据线不复用
5 o) p- n) z2 B* L% J - SRAM_Handler.Init.MemoryType=FSMC_MEMORY_TYPE_SRAM; //SRAM* L: B; H. \, f$ h" Y( Z/ T
- SRAM_Handler.Init.MemoryDataWidth=FSMC_NORSRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;//16位数据宽度; j% a9 J6 M" ] A2 ]( V/ g8 d2 a
- SRAM_Handler.Init.BurstAccessMode=FSMC_BURST_ACCESS_MODE_DISABLE;//不使能突发访问/ p8 B4 ^. E( s
- SRAM_Handler.Init.WaitSignalPolarity=FSMC_WAIT_SIGNAL_POLARITY_LOW;//等待信号的极性(突发模式)
9 r& o8 ]5 }. {" Z) X - SRAM_Handler.Init.WaitSignalActive=FSMC_WAIT_TIMING_BEFORE_WS;
/ b. A. P0 l; q7 s - SRAM_Handler.Init.WriteOperation=FSMC_WRITE_OPERATION_ENABLE; //写使能
. g8 j: P$ J2 a7 `$ } - SRAM_Handler.Init.WaitSignal=FSMC_WAIT_SIGNAL_DISABLE;
' |6 D D' }9 }5 e, ^7 E- P, w" H - SRAM_Handler.Init.ExtendedMode=FSMC_EXTENDED_MODE_DISABLE; //读写使用相同的时序
0 v t" A% R* f0 q0 d& @" ^1 a - SRAM_Handler.Init.AsynchronousWait=FSMC_ASYNCHRONOUS_WAIT_DISABLE;
8 u$ a' [6 Q3 J* ?5 V7 ? - SRAM_Handler.Init.WriteBurst=FSMC_WRITE_BURST_DISABLE; //禁止突发写% B! m, \* S4 h6 c1 p8 i
- //FSMC读时序控制器
4 C/ I: U9 j1 |/ z& N8 V: @ - FSMC_ReadWriteTim.AddressSetupTime=0x00; //地址建立时间(ADDSET)为1个HCLK
8 Z% F A/ U( m( _6 _ - FSMC_ReadWriteTim.AddressHoldTime=0x00; //地址保持时间(ADDHLD)模式A未用到
) y" H% z; W4 X/ e - FSMC_ReadWriteTim.DataSetupTime=0x08; //数据保持时间(DATAST)为9个HCLK
4 i. K2 H. Y2 W) O- z' U: w7 ] - FSMC_ReadWriteTim.BusTurnAroundDuration=0X00;+ k/ Z" R1 B* x7 i1 k! {
- FSMC_ReadWriteTim.AccessMode=FSMC_ACCESS_MODE_A;//模式A
8 K1 w( z9 V$ \' W- x, z+ B3 q - HAL_SRAM_Init(&SRAM_Handler,&FSMC_ReadWriteTim,&FSMC_ReadWriteTim); ! E3 O# g5 W4 R1 q9 ^2 d4 ]7 m
- }
% m Y0 X& {$ `- B( ]- R2 l1 Q - //n向指定地址写数据
* |% l G6 c8 Q$ A - void FSMC_SRAM_WriteBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t WriteAddr,uint32_t n){
! ^, l& L0 e) p - for(;n!=0;n--){ // n表示要连续写入的字节个数. z) @2 e& \3 g9 N9 I% g
- *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR + WriteAddr) = *pBuffer;* O# P) @) v6 H
- WriteAddr++; //要写入的地址
6 X/ j2 [) }5 ]) Y2 U8 l- u$ r6 } - pBuffer++; //要写入的数据的指针0 _' m' Y% G9 e. t( A
- }
+ {8 Y+ }1 x" o5 N+ w - }
" q# K9 ` L; G- P+ O9 ]5 ~5 w7 A - //从指定地址读数据" q# M0 U. l1 R; g) i0 }9 ~! a3 [- b5 _, a
- void FSMC_SRAM_ReadBuffer(uint8_t *pBuffer,uint32_t ReadAddr,uint32_t n){4 o( t* p; t @& P9 J4 E# P7 `: ~4 b
- for(;n!=0;n--){ // n表示要连续读出的字节个数+ `7 _: W3 k' K' W( h6 a" F, A/ _
- *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);//存放读出的数据1 D3 a. A" {9 }) C) c4 D
- ReadAddr++; //要读出的起始地址
& E& F# H# v8 C3 p% }: N - }+ Y7 i0 n. Z* k0 ^( T" H
- }
9 C! E$ ?0 l; ]" k$ I/ V - //
' e. F x: O( x+ l - void ExSRAM_Cap_Test(uint16_t x,uint16_t y){3 b O, `! q: A$ f' L4 a" X. F
- uint8_t writeData = 0xf0, readData;! A) q) h0 q# @3 P8 o& z
- uint16_t cap=0;
3 C9 f& D) G' ?) U! d1 z - uint32_t addr; 2 H* q( t) Q& m7 m$ O, _% S1 p
- addr = 1024; //从1KB位置开始计算
4 F% [3 N7 L. Z# l# K3 z - LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"ExSRAM Cap: 0KB"); 2 N R1 n7 m, y) R" g
-
8 x: K; f2 `* x$ a* K& ? - while(1){
% T& `$ `) L8 e2 J - FSMC_SRAM_WriteBuffer(&writeData, addr, 1);
& v1 A. K- q/ e. Z& P2 g' B$ Q, F - FSMC_SRAM_ReadBuffer(&readData,addr,1);# B3 p A2 F$ [
-
2 t) f: ^+ }: ~' \' S - if(readData == writeData){//检查读出的数据是否与写入的数据一样5 Q8 f% i0 B O/ q
- cap++; //如果相同表示写入/读出成功,容量加1(单位KB)$ @/ @( _) o9 X
- addr += 1024; //地址加1024' ]2 M9 T' {6 O# i# k
- readData = 0;+ d: S2 P2 K6 [2 J( N9 b6 k, d0 r
- if(addr > 256 * 1024)//IS62WV12816的容量为256KB
5 P, ?$ f9 U. H" i - break; + k: K1 u) Y8 d) }, T7 R- [: I1 r
- }2 B z) A; Q/ E f
- else7 s- }5 e0 H$ J9 u
- break;
R# i. |% T4 ?! R6 w& | - }5 s4 I+ N- z7 H
- LCD_ShowxNum(x+11*8,y,cap,4,16,0);//LCD上显示内存容量. {# R$ w5 ^0 ]' n8 E$ s! L
- printf("SRAM Menmory Size:%dKB\r\n",cap);, l Z1 x+ k9 b
- }
复制代码
Z, v( ~3 N& U% A6 J+ F' `6 v➡️ 在main.c文件下编写SRAM测试代码 * s' V, G! k! o0 V1 `4 b. L0 P
- int main(void){% F8 w& K9 m: T# h* v
- /* USER CODE BEGIN 1 */; L0 Z" `2 C! J+ M4 ~& p
- uint8_t key;
5 Z! l' z3 ^" z; R2 G% }. P, W2 @$ b2 H - uint8_t text_buf[] = "This is SRAM testing...";( e1 h: {6 Y1 `
- uint8_t textlen = sizeof(text_buf);( N8 B; i; t+ M
- uint8_t read_buf[textlen];
) D6 W7 _$ @2 i1 o9 F - /* USER CODE END 1 */
' G7 ]& b' I* Y$ P- J8 W$ [5 y - HAL_Init();5 j9 _/ e: {6 W2 Y7 [" k
- SystemClock_Config();
6 l2 X3 q. B& S, y! M - MX_GPIO_Init();+ p$ E4 ^* n; ~7 |( Q' m
- MX_FSMC_Init();. A# }7 q* X0 L' X4 O2 I% r
- MX_USART1_UART_Init();
/ U8 K1 b. A, k$ o4 G G3 r - /* USER CODE BEGIN 2 */
9 f) \( `. Q% b" x' u; N& ^( W - TFTLCD_Init();
& \5 C* W |9 n2 n5 s' ? - FSMC_SRAM_Init();
9 ^; P0 Y/ _' d) o* ]( c. K - FRONT_COLOR=BROWN;
5 ?4 c6 e) e9 B& _5 e* p) p - LCD_DrawRectangle(5,5,235,95);( ?; V; b. V7 k O
- FRONT_COLOR=BLACK;, Z- J: O9 N# d [. j% x
- LCD_ShowString(10,10,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"ANDYXI STM32F1");
- N6 r# b/ l3 X% G9 l0 {, P- t( I - LCD_ShowString(10,30,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"STM32CubeMx SRAM");
5 x% M) Q/ ^' I! T8 u5 Y7 i Y, i - LCD_ShowString(10,50,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"ExSRAM Test");) s- h1 ~, w$ c1 X; n
- LCD_ShowString(10,70,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"K_UP:Write K_DOWN:Read");
1 |+ a/ L* i1 D; Y3 e3 O/ i - FRONT_COLOR=RED;% a# @9 ]6 U! L- C0 w7 `
- ExSRAM_Cap_Test(10,110);
, G& @+ y! G/ e$ ?9 n - FRONT_COLOR=MAGENTA;$ _& G$ U; x* A, p
- LCD_ShowString(10,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Write:");
- q& j& ^+ K: l) L$ O1 G - LCD_ShowString(10,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,"Read :");
2 R2 h, f/ h" O; _! |1 p* x- T/ }7 k - /* USER CODE END 2 */
' ~: I1 q8 S3 w. Z- J+ a1 S& U: m( v - /* Infinite loop */% |8 a" ~0 R" V5 |" j1 P& ^' u
- /* USER CODE BEGIN WHILE */
7 z h; B7 K0 e2 [* M! ?( g8 R4 O# z - while(1){: i% ?% a6 G7 P. ^3 j7 q- O9 i
- key = KEY_Scan(0);/ u* b- D6 ]+ D
- if(key == KEY_UP_PRES){ //KEY_UP按下写数据到SRAM) X0 t! |& ?4 M; o$ e ^% S1 D
- FSMC_SRAM_WriteBuffer(text_buf,0,textlen);$ J! q0 x8 {8 q8 N7 {; D: k; s
- printf("SRAM_Write:%s\r\n",text_buf);
" ?* x# a1 R$ W. K7 J4 p# A/ i - LCD_ShowString(10+6*8,130,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,(uint8_t *)text_buf);
' p* M K9 M2 U8 ?+ }; a - }
0 l+ K; D7 F7 X# ` - if(key == KEY_DOWN_PRES){ //KEY_DOWN按下从SRAM读出数据
" J5 ?$ c# `9 q" q& q, O0 B5 K - FSMC_SRAM_ReadBuffer(read_buf,0,textlen);+ S/ U2 |8 G9 _6 l" i
- printf("SRAM_Read:%s\r\n",read_buf);) x! _2 u/ q, D& Y- n8 k
- LCD_ShowString(10+6*8,150,tftlcd_data.width,tftlcd_data.height,16,read_buf);5 l5 o; G, F; _
- }
# _" H" ?$ [$ b' k7 C - HAL_GPIO_TogglePin(GPIOC,GPIO_PIN_0);/ h, {4 [2 ~- |2 _
- HAL_Delay(200);, Y x. z. M; q5 w: g z {$ u4 C
- }
, o$ ]$ z3 \- j B. l4 f' H - }
复制代码
- w& R% \8 F: G) N9 }) t5 I4.下载验证 ( p# S- o$ u+ B3 @/ f# _% n3 t# {' E
编译无误下载到开发板后,可以看到D1指示灯不断闪烁,KEY_UP按下写数据到SRAM,KEY_DOWN按下从SRAM读出数据,并将写入和读出的数据显示在LCD屏上,并通过串口1打印出来
# ^ F7 `. {: ]$ q; w3 t如有侵权请联系删除& `9 m9 b! X$ A5 _; l
/ |/ M( B; F g# @' i3 n |