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使用STM32F411芯片，移植官方例程en.x-cube_classb/STM324xG_EVAL，使用IAR。 CtrlFlowCntInv是控制流所用变量，使用一切正常。 CtrlFlowCntInv是定义在RAM中0x20000058-0x2000007B地址的no_init型，与它一起定义的还有其他几个变量。
但是在执行了RAMMarch自检之后，控制流所用到的CtrlFlowCntInv变量被清除了，只要使用就会导致堆栈溢出卡死。
注：只有CtrlFlowCntInv在使用时会导致卡死，其它同样被存储在@ "CLASS_B_RAM_REV"空间的变量不会导致卡死。 在官方例程中有注释：
只有CtrlFlowCntInv需要使用到RAM_TEST_CALLEE（0xFFFFFFFF），因为在RAM检测中控制流计数器被破坏。 我想问一下这里为什么只有CtrlFlowCntInv被清除了，而在"CLASS_B_RAM_REV"空间的其他变量不会报错？ 而例程中说明的RAM_TEST_CALLEE又该怎么使用呢？重新划出一片空间给CtrlFlowCntInv吗？ |
给uint32_t数组填充整型值，除使用循环赋值外有没有c库函数可以实现
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2023年10月23日 查看ST官方提供的文档《AN4435 Application note》后，找到了解决方法。 RAM自检的范围是我们定义的RAM起始地址到结束地址，需要单独留下16位空间用以保存寄存器状态。
首先更改.icf链接文件，改变RAM结束地址。
在RAM中留出16位空间，定义 ICFEDIT_region_RAM_Backup_start 指向地址。
程序中添加RAM_BCKUP变量。
更改启动时RAM自检函数。 之前：SRAMErrorStatus STL_FullRamMarchC(uint32_t beg, uint32_t end, uint32_t pat); 改变后：SRAMErrorStatus STL_FullRamMarchC(uint32_t beg, uint32_t end, uint32_t pat, uint32_t *bckup); 增加一个参量用于保存寄存器状态。
现在程序中RAM自检函数：
根据手册，将STL_FullRamMarchC汇编函数中所有R3都改为R7。
之后在函数起始和结束位置分别添加:
程序即可正常运行。
试过更改为0x20000057，问题还是存在。
请问能解释的详细一点吗？
刚刚有和小伙伴讨论了一下这个官方的例程，所谓的RAM 测试，是对它的区域（RAM_START to RAM_END）进行0xFF 和 0x00写测试。从例程注释上也可以看出来，是破坏性的。所以这区间的内容一定被改掉。
例程中有恢复初始化的函数。 你对照看看，是这样的化就需要修改一下。