仔细读了N6的使用手册和例程手册后，了解了N6的使用过程。主要进行到GUI编程的时候，出现的困惑。想来先通过点灯的方式来了解外部存储器的使用。
" u9 r9 ~6 B2 ^. O! Q1 A! j0 @" n板载的外部存储器，如图1所示：
4 X5 i" D' j+ G( ]3 |& {& \
2 S$ e, V* Q# K6 G0 [7 |图1
* X* m* D+ |+ B
4 R! A( B3 [" E& L4 ?阅读文档以后，基本是了解N6的使用流程的。比如boot模式，有两种启动模式,如图2所示：
* ?  l8 V# o5 a) S1 ^
6 k# b2 r$ L+ {2 ]' Z! p2 O) t图2

Dev boot是在内部Ram中启动，Flash boot是bootrom 程序尝试从外部flash 启动，应用程序需要下载到外部的flash。
了解到这个以后，主要参考例程中的FSBL_LRUN 和FSBL_XIP。工程项目可以是FSBL的，也可以是FSBL+APPLI的。这两个项目模板介绍了连接到外部存储器的使用。
读Readme markdown文档后，会发现整个的启动过程。主要以LRUN项目为学习目标，APPLI烧写到外部Flash, FSBL 还在SRAM中使用，可以debug。以点灯为了解目标。
在IDE中打开项目，分别编译FSBL和APPLI文件。使用
+ L+ |0 w+ K& Q; R# P7 a3 ~4 B- xSTM32_SigningTool_CLI.exe -bin APPLI.bin -nk -of 0x80000000 -t fsbl -o FSBL-trusted.bin -hv 2.3 -dump APPLI-trusted.bin
; \/ v8 V9 D- p( g5 g; A& K在cmd 命令窗口中使用这条指令，需要注意.bin文件的路径也需要加入到命令中。编译成功后如图3所示：
6 F3 @8 X6 F2 L1 O/ ]! m8 }
图3
这个过程主要是给bin文件加信息头（正确签名），毕竟要写入到外部存储器。看到debug文件夹里会有两个bin,一个是APPLI.bin,一个是APPLI-trusted.bin，这两文件都要通过Programmer烧入
. i* ^6 z3 w7 ^# D到外部Flash中。
打开STM32CubeProgrammer，connect到板卡，设置外部存储器，如图4所示：
+ ?2 ], b. \9 Z" _, {- ]( j
图4
下载设置如图5所示：
' m5 }0 m3 B) u1 S' Q6 I/ b
图5
将生成的appli.bin和appli-trust.bin分别下载到flash中，下载完成后，然后再IDE 中debug FSBL project,可以看到如预期所示，如图6所示：
, {9 }6 D( f- j  s4 l
图6
& U" x" O+ }2 ?如果想上电就使用外部Flash启动，可以参考APPLI加签名的方式，也给FSBL加签名，也烧入外部Flash中，注意这两个项目的烧写地址不一样。将按键开关都拨到左边，重新上电，和预期一样。
# N0 ?& Q$ ]  E* F2 G1 g

是不是只要程序不大于FSBL的空间，就不用APP跳转的事？

oet 发表于 2025-3-20 10:32
是不是只要程序不大于FSBL的空间，就不用APP跳转的事？

嗯，我是这么理解的