
mcu使用stm32f407,查表gm大于5mA/V; 按照例子中公式,我的参数如下: Frequency = 25MHz C0 = 3 pF CL = 10 pF ESR = 50 Ω 计算得到 gmcrit = 4x50x6.28x6.28x25x25x13x13 = 0.8mA/V 计算Rext = 316Ω 如果重新计算gmcrit= 4.08mA/V gain= 5/5.08 不符合要求; 但是实际上没出现不起振问题; 查看文档,有一句话,如下: If the power dissipated in the crystal is higher than the value specified by the crystal manufacturer, the external resistor RExt becomes mandatory to avoid overdriving the crystal. If the power dissipated in the selected quartz is lower than the drive level specified by the crystal manufacturer, the insertion of RExt is not recommended, and its value is then 0 Ω.
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串口空闲+DMA接收GPS信号,空闲中断触发时间不对。
STM32F407ZGT6的SD卡通过DMA控制时,无法从外部SRAM取数据
求助:I2S通过DMA搬运后通过USB上传上位机,转为.wav文件后声音嘈杂,音质很差,基本听不出人声
STM32F407VET6 I2S 采用纯中断接收数据的问题
tougfx 显示问题
F429同时使用SDRAM和SRAM
CAN数据重发
littlefs系统能读写SD卡吗?
STM32F405的ADC功耗参数不理解
STM32F405RGT6 ADC2+TIM4触发+DMA(DMA2_Stream2_CH1)+DMA中断会死机(取消中断后完全正常)
我是这样理解的:
如果实际电路中晶体消耗的功率超过了晶体厂家规定的最大驱动功率(drive level),须加上RExt来降低流经晶体的工作电流,减少功耗,防止晶体被“过驱动”,以免损坏或加速老化。
如果实际电路中晶体消耗的功率低于厂家规定的最小驱动功率,不建议加RExt,保证晶体获得足够的驱动能量,确保它能可靠起振和稳定工作。
CL是晶振厂家给出的,应该等于实际电路里那两个负载电容的并联值 加上 杂散电容值 。